「ion‐beam milling」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To enhance beam quality for milling of a liquid metal ion beam.例文帳に追加

液体金属イオン・ビームのミリングに対するビーム品質を向上させる。 - 特許庁

When the wafer is irradiated with the ion beam, while rotating the wafer in milling, milling processing amount is made uniform on an entire surface of the wafer.例文帳に追加

ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。 - 特許庁

To provide an ion milling device and method capable of directly cooling a surface of a sample irradiated with an ion beam at the time of milling by irradiating the sample with the ion beam.例文帳に追加

イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。 - 特許庁

The preparation of cross-section specimens using focused ion beam milling is outlined in the present article. 例文帳に追加

集束イオンビーム・ミリングを使った断面試料の作製は、今回の論文でその概要が述べられる。 - 科学技術論文動詞集

In the focused ion beam system, gases such as iodine or xenon difluoride are used to assist the milling of metals and insulators. 例文帳に追加

集束イオンビーム装置では、ヨウ素または二弗化キセノンなどのガスが金属や絶縁体のミリングを(補助的に)促進するために使われる。 - 科学技術論文動詞集

A perpendicular magnetic recording single magnetic pole head having such a shape is processable by an ion beam milling method.例文帳に追加

このような形状を有する垂直磁気記録単磁極ヘッドは、イオンビームミリング法によって加工することが可能である。 - 特許庁

Recessed parts having prescribed directivity are formed in the film by irradiating the film with the ion beam in the milling step.例文帳に追加

ミリング工程において、前記膜に前記イオンビームを照射することにより、前記膜上に所定の方向性を有する凹部を形成する。 - 特許庁

To provide an ion milling apparatus where ion beam ends up irradiating other than a testpiece is reduced to a minimal extent and a processing efficiency is improved.例文帳に追加

試料以外に照射されてしまうイオンビームをできるだけ少なくし、加工効率の良いイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁

For milling a lamella to its final thickness of, for example, 30 nm, a focused ion beam 100 is scanned repeatedly along the lamella.例文帳に追加

薄片を最終的な厚さ-たとえば30nm-にまでミリングするため、集束イオンビーム100は前記薄片に沿って繰り返し走査される。 - 特許庁

This ion milling device is provided with an ion beam source radiating ion beams to the specimen, an acceleration electrode accelerating ions of the ion beam source and functioning as a secondary electron suppressor, and an ion beam current measurement apparatus measuring electric current of the ion beams, and the acceleration electrode is installed between the specimen and the ion beam source.例文帳に追加

本発明は、試料にイオンビームを照射するイオンビーム源と、前記イオンビーム源のイオンを加速させるとともに二次電子サプレッサとして機能する加速電極と、前記イオンビームの電流を測定するイオンビーム電流測定器とを備え、前記試料と前記イオンビーム源との間に前記加速電極を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

To provide a system and a method for ion milling by which a material to be worked can be formed in a desired worked shape by arbitrarily changing the intensity distribution of an ion beam at the time of performing ion milling.例文帳に追加

イオンミリングにおいて、イオンビームの強度分布を任意に変更して、被加工物の所望の加工形状を達成できるようにする。 - 特許庁

This etching step includes a step (step S7) of setting an incident angle of an ion beam made incident on the surface of the magnetic recording medium side of the laminated part to ≥40° to ≤88°, and carrying out ion beam etching or dry etching by ion milling.例文帳に追加

このエッチング段階は、前記積層部の前記磁気記録媒体側の面に入射させるイオンビームの入射角度を、４０゜以上８８゜以下に設定して、イオンビームエッチング又はイオンミリングによるドライエッチングを行う段階（ステップＳ７）を含む。 - 特許庁

The ion milling apparatus is provided with an ion beam source for emitting ion beams and a testpiece holder for fixing the testpiece, and a mask is provided for shielding a part of the testpiece, and a non-axially symmetric lens is arranged between the ion beam source and the mask, and the ion beam is deformed to meet a desired range for processing the testpiece.例文帳に追加

イオンビームを照射するイオンビーム源と、試料を固定する試料ホルダを備えたイオンミリング装置において、試料の一部を遮蔽するマスクを備え、イオンビーム源とマスクとの間に非軸対称レンズを配置し、試料の加工の希望範囲に合わせてイオンビームを変形させるようにした構成のイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam.例文帳に追加

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The stage of generation of the work to be milled generated by the ion milling when the work is irradiated with the ion beam is measured and evaluated, and at least one of the parameters including the current, the voltage and the high-frequency power of an ion source is fed back based on the result of evaluation, and the ion milling is achieved by automatically calculating the optimum milling time by the obtained milling rate.例文帳に追加

イオンビームをミリング対象物に照射して加工した際にイオンミリングによって発生した被ミリング物の発生状況を計測評価し、評価結果に基づいてイオン源の電流、電圧、高周波数電力を含むパラメータの内の少なくとも一つにフィードバックをかけ、得られたミリングレートにより最適なミリング時間を自動算出してイオンミリングを行う。 - 特許庁

To provide an ion milling system that can obtain an ion beam having a desired facial distribution and energy distribution and can form a desired etched shape on a material to be worked.例文帳に追加

所望のイオンビーム面分布、エネルギー分布をもつイオンビームを得ることができ、被加工物に所望のエッチング形状を形成することが可能となる。 - 特許庁

A converging ion beam is used for milling successive cross sections or slices of an object feature at an interval previously selected over a measurement distance previously selected.例文帳に追加

事前に選択された測定距離にわたって事前に選択された間隔において、対象フィーチャの断面または「スライス」の連続をミリングするために、集束イオン・ビームが使用される。 - 特許庁

To provide a method for performing milling and imaging in a focused ion beam (FIB) system employing an inductively coupled plasma ion source.例文帳に追加

誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion milling method and its device wherein a uniform and stable ion beam current is dram out of a large diameter ion source electrode and whereby working precision is improved even if a thermal deformation is generated in the large diameter ion source electrode.例文帳に追加

大口径のイオン源電極に熱変形が生じても大口径のイオン源電極から均一で安定なイオンビーム電流の引き出しを可能にして加工精度の向上をはかったイオンミリング加工方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

The forming method of the inorganic oriented film where the inorganic oriented film is formed on a base material has a film-depositing step for depositing a film constituted principally of an inorganic material on the base material and a milling step for irradiating the surface of the film with an ion beam from a direction oblique by a prescribed angle θ_b to the vertical direction of the surface.例文帳に追加

本発明の無機配向膜の形成方法は、基材上に、無機配向膜を形成する方法であって、基材上に、主として無機材料で構成された膜を形成する成膜工程と、前記膜の表面に、該表面の垂直方向に対して所定の角度θ_ｂだけ傾斜した方向から、イオンビームを照射するミリング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a reactive ion etching step to form grooves in a semiconductor by partly removing the surface of the semiconductor by reactive ion etching, and a small-angle ion milling step to partly remove the bottom of the groove by emitting an ion beam to the bottom of the groove in an inclined direction at a zero degree or higher and 45 degrees or lower with respect to the bottom thereof.例文帳に追加

半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

An ion milling device comprises; a sampling stage 1 where a sample S is placed; an ion source 2 for generating an ion beam with which the sample S is irradiated; a sample chamber 3 maintaining a storage space of the sampling stage 1 as a predetermined vacuum; and refrigerant supplying means 5 for supplying a gaseous refrigerant to cool the sample S inside the sample chamber 3.例文帳に追加

試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。 - 特許庁