「lattice distortion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As for the epitaxial layer to which phosphorous is doped, the concentration of phosphorous is controlled so as to be 1×1021 cm-3 or less, so that device characteristics due to the influence of crystal distortion due to lattice mismatching with a III-V group compound semiconductor can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

これは燐をドーピングしたエピタキシャル層は、III-Ｖ族化合物半導体と格子不整合による結晶歪みの影響によるデバイス特性が悪化しない程度に燐の濃度を１×１０^21ｃｍ^-3以下に制御するためである。 - 特許庁

As the high driving force gate 10ph or 20ph is disposed in the discontinuous active region R10p or the two-input active region R20p, a high driving p-channel-type MISFET can be attained by utilizing a right hole caused by a lattice distortion.例文帳に追加

不連続活性領域Ｒ１０ｐ 又は２入力型活性領域Ｒ２０ｐ に、高駆動力型ゲート１０ｐｈ又は２０ｐｈが配置されているので、格子歪みによって生じたライトホールを利用して高駆動型Ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが得られる。 - 特許庁

Thereby, the carbon-doped hardened layer 21 can maintain high hardness and high corrosion resistance, has uniform and stable lattice state as compared to conventional martensitic transformation and work-hardened stainless material, hardly causes deterioration of reflective definition due to crystal distortion of the surface layer part and, therefore, is excellent as the metal mirror.例文帳に追加

これにより、上記炭素固溶硬化層２１は、高硬度で高い耐蝕性を維持でき、従来のマルテンサイト変態や加工硬化させたステンレス材に比べて格子状態が均一かつ安定で、表層部の結晶歪による反射解像度の悪化が極めて少ないことから、金属ミラーとして優れている。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

A line connecting lattice points in a two-dimensional photonic crystal is distorted along a free curve, and an entire crystal structure is deformed in accordance with this distortion, and a refractive index on the free curve is removed, and an optical waveguide and an optical device system which have the free curve as the center line are constituted.例文帳に追加

２次元フォトニック結晶において格子点を結ぶ直線を自由曲線に沿って歪曲させ、それに合わせて結晶構造全体を変形させるとともに、自由曲線上の屈折率構造を除去し、上記自由曲線を導波路中心線とした光導波路及び光デバイス装置。 - 特許庁

Thus, the fixed operation layer of the spin valve type magneto-resistance effect film and the vertical bias shield layer are separated from each other without being in contact, crystal lattice distortion of the vertical bias shield layer is prevented, and highly stable and good magnetic recording characteristics are obtained.例文帳に追加

こうすることにより、スピンバルブ型磁気抵抗効果膜の固定作用層と、縦バイアスシード層とが互いに接触することなく隔てられ、縦バイアスシード層の結晶格子歪みの発生を防止でき、安定性が高く良好な磁気再生特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus capable of continuously producing a stable and high quality silicon carbide single crystal under stable conditions, which has a large diameter and in which the density and unevenness of crystal defects in the growth direction are small and no lattice distortion exists.例文帳に追加

成長方向における結晶欠陥の密度及びばらつきが小さく、格子歪の無い、しかも大口径かつ安定した品質の炭化珪素単結晶を、安定した条件下で連続的に製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for HBT for successively laminating and forming the buffer layer 2, the subcollector layer 3, a collector layer 4 and an emitter layer 6 on a semi-insulating substrate 1, graded layers 11 and 12 changed continuously so as to relax the lattice distortion by a composition ratio between the semi-insulating substrate 1 and the buffer layer 2, and between the subcollector layer 3 and the buffer layer 2, respectively.例文帳に追加

半絶縁性基板１上にバッファ層２、サブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が順に積層形成されたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、前記半絶縁性基板１及び前記バッファ層２の間と、前記サブコレクタ層３及び前記バッファ層２の間とに、それぞれ組成比が格子歪を緩和させるように連続的に変化するグレーデッド層１１、１２を形成する。 - 特許庁

The clad layer may be in ultra-lattice structure and the amount of distortion of itself is preferably in a composition within ±0.01.例文帳に追加

続いて、SiドープIn_ｘ３(Al_ｚ３Ga_１−ｚ３)_１−ｘ３N光導波層８、In_ｘ３Ga_１−ｘ３N(5nm)/In_ｘ４Ga_１−ｘ４N（2.5nm)多重量子井戸活性層９、MgドープIn_ｘ３(Al_ｚ３Ga__１−ｚ３)_１−ｘ３N光導波層10、MgドープIn_ｘ２(Al_ｚ２Ga_１−ｚ２)_１−ｘ２N(2.5nm)/In_ｘ３(Al_ｚ３Ga_１−ｚ３)_１−ｘ３N(2.5nm)の超格子クラッド層11、MgドープIn_ｘ１Ga_１−ｘ１Nコンタクト層12を形成する。 - 特許庁