「lattice distortion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A difference Δ1 between the lattice constant d (13) of Al_YGa_1-YN having distortion and a lattice constant d0 (15) inherent to Al_ZGa_1-ZN having no distortion becomes smaller than a difference Δ2 between the lattice constant d0 (15) and the lattice constant d0 (13).例文帳に追加

歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮの格子定数ｄ（１３）と無歪みのＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮに固有の格子定数ｄ０（１５）との差△１は、格子定数ｄ０（１５）と格子定数ｄ０（１３）との差△２より小さくなる。 - 特許庁

To provide a method and system for measuring lattice distortion that can improve accuracy in lattice distortion measurement of nanobeam electronic diffractometry to measure stress/lattice distortion of local domain in crystalline sample with a high degree of precision.例文帳に追加

ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can alleviate lattice distortion between a semiconductor layer not matched in lattice with a semiconductor substrate and the same semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と格子整合しない半導体層と半導体基板との間の格子歪みを緩和した半導体素子を提供する。 - 特許庁

When the reference coordinates 5 are in the lattice shape, fluidity can be visually evaluated with ease from distortion of lattice lines thereof.例文帳に追加

格子状の基準座標５であれば、その格子線の歪みによって視覚的に流動性を簡易評価できる。 - 特許庁

The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion.例文帳に追加

１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LATTICE DISTORTION MEASUREMENT IN LOCAL REGION IN CONVERGENT ELECTRON DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

収束電子回折法による局所領域の格子歪み測定方法及びその測定装置 - 特許庁

The strain imparting layer 20 causes lattice distortion at the channel of the FET 40 in the silicon layer 30.例文帳に追加

歪み付与層２０は、シリコン層３０中のＦＥＴ４０のチャネル部に格子歪みを生じさせる。 - 特許庁

The plastic strain accumulated in the crystal is measured from the lattice strain before and after the distortion (S3).例文帳に追加

変形前と変形後の格子歪から結晶内に蓄積した塑性歪を測定する（Ｓ３）。 - 特許庁

The Si thin film 13 has the distortion because it is formed on the lattice relaxed solid phase mixed layer 12, and the distortion is kept by the supporting body.例文帳に追加

Ｓｉ薄膜１３は格子緩和した固相混合層１２上に形成されるので歪みを持ち、この歪みは支持体によって保持される。 - 特許庁

A lattice constant d (13) of Al_YGa_1-YN of the first semiconductor layer 13 having distortion has an intermediate value between a lattice constant d0 (13) inherent to Al_YGa_1-YN having no distortion and a lattice constant d (21) of Al_XGa_1-XN.例文帳に追加

第１の半導体層１３の歪んだＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮの格子定数ｄ（１３）は、無歪みのＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮに固有の格子定数ｄ０（１３）とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの格子定数ｄ（２１）との間の中間値を有する。 - 特許庁

Cracks previously provided on a second nitriding compound semiconductor layer 2 have an action to reduce a tensile distortion caused by a difference in a lattice constant.例文帳に追加

第２の窒化化合物半導体層２に予め設けられたクラックは、格子定数の違いによる引張り歪みを緩和する作用がある。 - 特許庁

The first semiconductor layer 13 includes distortion, and is lattice-relaxed on the Al_XGa_1-XN of the semiconductor surface 21a.例文帳に追加

また、第１の半導体層１３は、歪みを内包すると共に、半導体表面２１ａのＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの上において格子緩和している。 - 特許庁

Consequently, distortion of the crystal due to the lattice mismatch is sufficiently moderated to ensure a semiconductor crystal with less dislocation defect.例文帳に追加

これにより、格子不整合による歪みが十分に緩和され、転位欠陥の少ない半導体結晶が得られる。 - 特許庁

The piezoelectric material is lead-free, and yet ensures good piezoelectric characteristics, e.g. a sufficient amount of the lattice distortion.例文帳に追加

さらに、鉛フリーでありながら、良好な圧電特性、例えば充分な格子のひずみ量を得ることができる。 - 特許庁

To provide an ink set for inkjet recording excellent in line quality and character quality, having a suppressed lattice distortion, and forming high-quality images.例文帳に追加

ライン品質、文字品質に優れ、格子のゆがみが抑制された、高画質の画像形成が可能なインクジェット記録用インクセットを提供する。 - 特許庁

Thus stress/lattice distortion of local domain in the crystalline sample 4 can be measured with a high degree of accuracy.例文帳に追加

これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 - 特許庁

Next, by an in-plane method as one type of the X-ray diffraction method, the lattice surface interval of the horizontal surface direction of the thin film is measured, and distortion ε is determined.例文帳に追加

次に、Ｘ線回折法の一種であるin-plane法により、薄膜の水平面方向の格子面間隔を測定し、ひずみεを求める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a lead-acid battery, capable of relaxing a distortion produced during an expanding process and keeping strength of a lattice body itself.例文帳に追加

エキスパンド加工時に生じた歪を緩和でき、格子体自体の強度を保持できる鉛蓄電池の製造方法を得ることにある。 - 特許庁

Then, calibration information for correcting the distortion of the wide angle image is calculated from geometric relation between the positions of the plurality of lattice points on the wide angle image and the calculated positions of the plurality of lattice points on the three-dimensional space.例文帳に追加

そして、複数の格子点の広角画像上での位置と、算出された三次元空間上での位置との幾何学的関係から広角画像の歪みを補正するための較正情報を算出する。 - 特許庁

Lattice strain before and after the distortion is obtained from the crystal orientation distribution before and after the distortion in between an arbitrary crystal orientation measuring point and a neighboring crystal orientation measuring point (S5, S8).例文帳に追加

任意の結晶方位測定点と隣接する結晶方位測定点間における変形前と変形後の結晶方位分布より変形前と変形後の格子歪を求める（Ｓ５，Ｓ８）。 - 特許庁

The image processor 13 is configured so as to correct the distortion of the pattern forming the picked up image on the basis of distortion of the lattice forming the picked up image.例文帳に追加

画像処理装置１３は、前記撮像した画像を構成する前記格子の歪みに基づいて、前記撮像した画像を構成する前記パターンの歪みを補正するように構成されている。 - 特許庁

When the lattice mismatching coefficient is lower than -0.20%, the n-type Al_xIn_zP current block layer 50 alleviates the lattice for the n-type GaAs substrate 41 and the p-type Al_xGa_yIn_zP second clad layer 45 in order to eliminate the effect of distortion.例文帳に追加

尚、上記格子不整合率が−０.２０％よりも下の場合には、ｎ型Ａl_xＩn_zＰ電流ブロック層５０がｎ型ＧaＡs基板４１およびｐ型Ａl_xＧa_yＩn_zＰ第２クラッド層４５に対して格子緩和して歪みの効果が無くなる。 - 特許庁

Then by converting the value of pixels of the projection image to an image on the lattice points on the model 101 based on the found coordinate positions on the three-dimensional space of the lattice points of the model 101, the image of the object imaged in the distorted state is shaped in the condition without distortion.例文帳に追加

そして、求められたモデル１０１の各格子点の３次元空間上の座標から投影像の画素値を、モデル１０１上の格子点上の画像に変換することにより、歪んだ状態で撮像された対象物体の画像を歪の無い状態に整形する。 - 特許庁

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6.例文帳に追加

互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。 - 特許庁

This field effect transistor is provided with a substrate 6, an insulating layer 5 formed on the substrate 6, a lattice relaxation SiGe layer 4 formed like an island on the insulating layer 5, a distortion Si layer 3 formed on the lattice relaxation SiGe layer 4, a gate insulating layer 2 formed on the distortion Si layer 3, and a gate electrode 1 formed on the gate insulating layer 2.例文帳に追加

基板６と、基板６上に形成された絶縁層５と、絶縁層５上に、島状に形成された格子緩和ＳｉＧｅ層４と、格子緩和ＳｉＧｅ層４上に形成された歪Ｓｉ層３と、歪Ｓｉ層３上に形成されたゲート絶縁層２と、ゲート絶縁層２上に形成されたゲート電極１とを具備する電界効果トランジスタである。 - 特許庁

In this case, the composition of Al in the distortion inhibition layer 13 is set so that the lattice constant at room temperature in the distortion inhibition layer 13 substantially coincides with that in the bulk state of the n-type cladding layer 15 by heat shrinkage or thermal expansion.例文帳に追加

ここで、歪抑制層１３におけるＡｌの組成を、該歪抑制層１３の室温における格子定数が、ｎ型クラッド層１５のバルク状態の格子定数と熱収縮又は熱膨張によって実質的に一致するように設定する。 - 特許庁

Thus, the Ge density of the oxide film interface of the polycrystal silicon-germanium film becomes uniform to reduce lattice distortion and film stress and the reliability of the gate electrode is improved.例文帳に追加

このようにすると、多結晶シリコンゲルマニウム膜の酸化膜界面のＧｅ濃度が均一になり結晶粒内の格子ひずみと膜ストレスが減少し、ゲート電極の信頼性が向上する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for HBT reducing the lattice distortion of a buffer layer and a substrate, or the buffer layer and a subcollector layer, and to obtain HBT using it.例文帳に追加

バッファ層と基板またはバッファ層とサブコレクタ層の格子ひずみを減少させたＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたＨＢＴを得る。 - 特許庁

Herein, since silicon is narrower in a lattice interval than SiC, the silicon layer 16 is given compression distortion in parallel to the principal surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

この場合、シリコンはＳｉＣよりも格子間隔が狭いため、シリコン層１６はシリコン基板１０の主面に対して平行な方向の圧縮歪みを受けている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of increasing a quantity of carbon existing at a lattice position in a region that adds distortion to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを加える領域内の格子位置に存在する炭素量を多くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crucible for pulling up silicon single crystal, whose cost is low and which can easily produce a normal silicon single crystal free from generation of crystal lattice distortion.例文帳に追加

コストが安価で，結晶格子に歪みが生じない正常なシリコン単結晶を容易に作製可能なシリコン単結晶引上用ルツボを提供すること。 - 特許庁

By applying a voltage to the prescribed row and column of the lattice shaped substrate layer, a large distortion is caused on the part that the prescribed row and column are intersected.例文帳に追加

前記格子状の下地層の所定の行及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及び列が交差する部分に大きな歪を生じさせる。 - 特許庁

The Raman spectrum of the channel forming region 17 of the FET resides on a wave number side lower than the peak value 520 cm-1 of a single crystal silicon, and the crystal of the semiconductor film 13 is possessed of a lattice distortion and kept free from barriers.例文帳に追加

このＦＥＴのチャネル形成領域１７のラマンスペクトルは単結晶シリコンのピーク値５２０ｃｍ^−１よりも低波数側にあり半導体膜１３の結晶は格子歪みを有しバリアがない特徴を備える。 - 特許庁

These epitaxial layers form a source region, a drain region, and a channel region each having a different lattice constant, so that it is easy to control distortion happening in the channel.例文帳に追加

これらのエピタキシャル層により、それぞれ格子定数の異なるソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を形成するので、チャネルに生じる歪を制御しやすくなる。 - 特許庁

The lattice distortion of a plating film measured by using an X-ray diffraction apparatus is 0.02 to 0.35% and the carbon content in the plating film is 0.01 to 0.07 wt.%.例文帳に追加

Ｘ線回析装置を用いて測定したメッキ皮膜の格子歪が０．０２〜０．３５％であり、かつメッキ皮膜中の炭素含有量が０．０１〜０．０７重量％である亜鉛メッキ品により課題を解決できる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminated structure having a structure to reduce the distortion caused by a lattice mismatch between a substrate and a semiconductor layer formed on the substrate and also to provide a light-emitting element and a light-receiving element having this structure.例文帳に追加

基板と、この基板上に形成される半導体層との格子不整合に起因する歪みの低減がなされた化合物半導体積層構造と、この構造を有する発光素子及び受光素子を提供する。 - 特許庁

The optical absorption layer 103 has a band gap energy corresponding to a wavelength of targeted light, is composed of a semiconductor with a lattice constant different from that of the substrate 101, and has distortion.例文帳に追加

光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 - 特許庁

In this case, a distortion Si layer 3' is positioned on the face within 5 μm from the periphery of the contact face of the lattice relaxation SiGe layer 4 to the insulating layer 5, and the gate insulating layer 2 is formed on this.例文帳に追加

このトランジスタにおいて、格子緩和ＳｉＧｅ層４の絶縁層５との接触面の周囲から５μｍ以内にある面上に位置する歪Ｓｉ層３´がありこの上にゲート絶縁層２が形成されている。 - 特許庁

At an image correction section 106, a transformation matrix is partially calculated by using the lattice-point information and the transformation matrix is used for correcting, thus generating a corrected image having no distortion.例文帳に追加

イメージ補正部１０６では、格子点情報を用いて部分的に変換行列を算出し、その変換行列を用いて補正することにより歪みのない補正画像を生成する。 - 特許庁

The lattice tower includes: at least one support extending from a supporting surface 14; at least one cross-support member 42 coupled to the support to form the lattice tower; and a reinforcement assembly 62 coupled to the support to transfer at least portion of a bending load and a torsional load induced to the support to reduce a local distortion of the support.例文帳に追加

ラチス構造のタワーは、支持面１４から延在する少なくとも１つの支持部と、この支持部に結合されておりラチス構造のタワーを形成する少なくとも１つの交差支持部材４２と、この支持部に結合された補強構体６２であって、支持部に生じる曲げ荷重及びねじり荷重の少なくとも一部が伝達されることにより、支持部の局所的な歪みを低減させる補強構体６２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This radiogram conversion panel which has a phosphor layer formed by a vapor phase deposition method, is characterised in that the phosphor layer is composed of an alkali metal halide-based photostimulable phosphor activated with an activator, and the lattice distortion of crystal lattice of the phosphor layer is within the range of 0.035 to 0.30%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、該蛍光体層が付活剤で付活したアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体からなり、そして該蛍光体層の結晶格子の格子歪みが０．０３５乃至０．３０％の範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁

The image analysis section 18 Fourier-transforms the crystal lattice image to acquire a diffraction spot image, and corrects the magnification, aspect ratio, and distortion of the image so that the position of the diffraction spot of the diffraction spot image matches with the position of a theoretical diffraction spot.例文帳に追加

画像解析部１８は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。 - 特許庁