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layer elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18197件
FORMING METHOD OF ALUMINUM OXIDE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF CHARGE TRAP MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法 - 特許庁
The electrostatic discharge protection element has a holding layer 22 of an insulator covering the intermediate electrode 20 and the static electricity absorber 12.例文帳に追加
中間電極20及び静電気吸収体12を覆った絶縁体の保持層22を備える。 - 特許庁
To provide an electromagnetic wave detection element which prevents the trapping of charges in a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体層で電荷がトラップされることを抑制することができる電磁波検出素子を提供する。 - 特許庁
The dimmer element is equipped with a dimmer layer M1 of which the reflectance is varied responding to an external stimulus.例文帳に追加
外部刺激に応答して光反射率が変化する調光層M1を備えた調光素子である。 - 特許庁
When a write current passes through the magnetic element 100, free layer magnetization is switched using spin transition.例文帳に追加
書き込み電流が磁気素子100を通過する時、自由層磁化がスピン転移を用いて切換えられる。 - 特許庁
A nonvolatile memory element is provided with a charge trap layer formed in such a manner that it includes a crystalline material.例文帳に追加
結晶質物質を含むように形成された電荷トラップ層を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁
The barrier layer 7 is interposed between the element isolation insulating film 4 and the block film 8 while including the nitride film.例文帳に追加
バリア層7が窒化膜を含んで素子分離絶縁膜4とブロック膜8との間に介在している。 - 特許庁
An insulating layer 200 is formed on the element formation region 104 and the gate electrode 140.例文帳に追加
絶縁層200は、素子形成領域104上、及びゲート電極140上に形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device comprising a one layer gate type nonvolatile memory element having a novel structure.例文帳に追加
新規な構造を有する一層ゲート型の不揮発性メモリ素子を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁
The secondary electrons are injected to an electron transport layer 4 and the organic field luminous element 20 is made to emit light.例文帳に追加
この二次電子を電子輸送層4に注入して有機電場発光素子20を発光させる。 - 特許庁
A BMD layer 4 for carrying out the gettering of metal impurities is formed directly under the element formation region 5.例文帳に追加
素子形成領域5の直下に、金属不純物をゲッターするBMD層4が設けられている。 - 特許庁
COATING LIQUID FOR COLOR CONVERSION LAYER FORMATION, SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THEM例文帳に追加
色変換層形成用塗工液および有機エレクトロルミネッセンス素子用基板、ならびにこれらの製造方法 - 特許庁
Pixel electrodes P each having a nearly square shape are disposed in a matrix shape on the uppermost layer of an element substrate.例文帳に追加
素子基板の最上層に、略正方形状の画素電極Pをマトリックス状に配置した。 - 特許庁
To provide a semiconductor element using a p-type nitride semiconductor layer with sufficient crystallinity and low resistance.例文帳に追加
結晶性が良く、低抵抗なp型窒化物半導体層を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁
PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT HAVING OPTICAL CONFINEMENT LAYER, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND SOLAR BATTERY HAVING THE DEVICE例文帳に追加
光閉じ込め層を持つ光電変換素子と光電変換装置およびこの装置を備えた太陽電池 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor light receiving element 12 is buried in a resin layer 36 except the light receiving face 14.例文帳に追加
更に、半導体受光素子12は、受光面14を除いて樹脂層36で埋め込まれている。 - 特許庁
An element isolation layer 21 of the peripheral circuit formation region 20 isolates elements from each other with a STI structure.例文帳に追加
周辺回路形成領域20の素子分離層21はSTI構造により素子間を分離する。 - 特許庁
In the element isolation region of an SOI substrate 1, an STI 10 is formed inside the silicon layer 4.例文帳に追加
SOI基板1の素子分離領域において、シリコン層4内にはSTI10が形成されている。 - 特許庁
The battery element 1 is formed by laminating a positive electrode 11, a negative electrode 12 and an immobilizing electrolyte layer 13.例文帳に追加
電池要素1は、正極11、負極12及び非流動性電解質層13を積層してなる。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加
GaN系化合物半導体層の形成方法、及び、GaN系半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
Preferably, the heating layer is made to radiate heat before having the organic EL element emit light for the first time.例文帳に追加
好ましくは、前記有機EL素子を初めて発光させる前に、前記発熱層を発熱させる。 - 特許庁
The liquid crystal display element is provided with the liquid crystal alignment layer formed from the liquid crystal aligning agent.例文帳に追加
上記液晶表示素子は、上記液晶配向剤から形成された液晶配向膜を具備する。 - 特許庁
A heat conductive layer 8 is disposed on a surface of the heater 1, and a temperature sensing element is placed thereon.例文帳に追加
床暖房1の表面に熱伝導層8が配置され、その上に感温素子4が載置される。 - 特許庁
The surface-emitting laser element has reflecting layers 103, 107 and has a cavity 120 including an active layer 105.例文帳に追加
面発光レーザ素子は、反射層103,107と、活性層105を含む共振器120とを備える。 - 特許庁
A light-emitting device 1 has a translucent layer 12, the light-emitting element 11, and a sealing material 17.例文帳に追加
発光装置1は、透光性層12、発光素子11および封入材料17を有している。 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER USING PHOTOSENSITIVE POLYMER COMPOUND AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
感光性高分子化合物を用いた液晶配向膜、および該配向膜を用いた液晶表示素子 - 特許庁
The coercive structural element 56 provides a closed magnetic flux route for guiding a demagnetized field away from the sense layer 50.例文帳に追加
保磁子構造要素56は、減磁界をセンス層50から遠くに導く閉じた磁束経路を提供する。 - 特許庁
To provide a light-receiving element capable of easily forming the position of a pn junction in a light-receiving layer.例文帳に追加
pn接合の位置を受光層内に形成することが容易である受光素子を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device is formed with interlayer insulating films and a wiring layer on the semiconductor substrate surface in which an element region is formed.例文帳に追加
特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。 - 特許庁
The translucent layer 23 is formed of a light transmitting insulating material and forms the resonator structure by being interposed between the light reflection layer 21 and the first electrode 25 of unit element Ur, but does not overlap with at least a part of the light reflection layer 21 of the unit element Ub which has different resonant wavelength from the unit element Ur.例文帳に追加
透光層23は、光透過性の絶縁材料によって形成され、単位素子Urの光反射層21と第1電極25との間に介在して共振器構造を構成する一方、単位素子Urとは共振波長が相違する単位素子Ubの光反射層21のうち少なくとも一部とは重なり合わない。 - 特許庁
The organic EL element part 1000 is covered with a protection layer 113 containing an SiNxOy film.例文帳に追加
有機EL素子部1000はSiNxOy膜を含む保護層113によって覆われている。 - 特許庁
The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加
第一磁気抵抗効果素子MTJ1の磁気フリー層11−1は、第一磁気抵抗効果素子MTJ1に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ2の磁気フリー層11−2と磁気ピンド層12−2との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁
The upper end surface of each first conductive layer 3 is lower than the upper end surface of the element isolation insulating film 7.例文帳に追加
第一導電層3の上部端面は、素子分離絶縁膜7の上部端面の位置よりも低い。 - 特許庁
A light emitting device has a light emitting element 13, a light emitting member 15 and a light transparent layer 16.例文帳に追加
発光装置1は、発光素子13、発光部材15および透光性層16を有している。 - 特許庁
To increase heat generation efficiency while reducing damage to a recording layer at the time of manufacture of a nonvolatile memory element.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子の製造時における記録層へのダメージを低減しつつ、発熱効率を高める。 - 特許庁
The ceramic heater 1 is formed by embedding a metallic heating element 3 into an insulating layer 2 comprising the insulating ceramic.例文帳に追加
セラミックヒータ1は、前記絶縁セラミックからなる絶縁層2中に、金属発熱体3を埋設した。 - 特許庁
To provide a capacitor element including a large area of dielectric layer having a thin and uniform thickness, and to provide a capacitor.例文帳に追加
薄く均一な厚みで大面積の誘電体層を備えたコンデンサ素子及びコンデンサを提供。 - 特許庁
The heating element 20 is structured by laminating a heat conductive layer 21 and high melting material layers 22 and 23.例文帳に追加
発熱体20を発熱導体層21と、高融点材料層22,23との積層構造にする。 - 特許庁
A tunnel magnetic resistance effect element including a ferrimagnetic material in a ferromagnetic recording layer is applied to a memory cell.例文帳に追加
強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。 - 特許庁
The organic EL display 1 includes an organic EL element 5, a heat-absorbing layer 22 provided apart from the organic EL element 5 and containing a material making a phase shift at a temperature of 50 to 130°C, and by having an isolation member enclose the heat-absorbing layer 22 to isolate the heat-absorbing layer 22 from the organic EL element 5.例文帳に追加
有機EL素子5と、有機EL素子5より離間して設けられ、50℃以上130℃以下の温度にて相転移する材料を含む吸熱層22と、吸熱層22を取り囲むことにより、有機EL素子5から吸熱層22を隔離する隔離部材と、を備えたことを特徴とする有機ELディスプレイ1。 - 特許庁
The conductive layer of the outer package material is set at the same potential as the positive electrode or the negative electrode of the battery element.例文帳に追加
外装材の導電層は、電池素子の正極または負極と同電位に設定されている。 - 特許庁
The liquid crystal element has a liquid crystal alignment layer formed of the liquid crystal aligning agent.例文帳に追加
上記液晶表示素子は、上記の液晶配向剤から形成された液晶配向膜を具備する。 - 特許庁
TAILORING OF WETTING/BARRIER LAYER TO REDUCE ELECTROMIGRATION IN ALUMINUM INTER-ELEMENT CONNECTION例文帳に追加
アルミニウム素子間配線におけるエレクトロマイグレーションを減少させるためのウエッティング/バリヤー・レイヤーの適合方法。 - 特許庁
The optical element 10 is constituted of a polarizing plate 7, a protection layer 3, the optical compensation film 8 and a glass pane 6.例文帳に追加
光学素子10は、偏光板7と、保護層3と、光学補償フィルム8と、ガラス板6とからなる。 - 特許庁
The overcoat is applied together with the emulsion layer on a substrate including the support of the photographic element.例文帳に追加
オーバーコートは乳剤層と一緒に同時に写真要素の支持体を含む基体に適用されている。 - 特許庁
To provide a method for detecting the defect of a photovoltaic element module in which the defective part of a photovoltaic element having a protective layer on the plane of incident can be detected with high sensitivity from above the protective layer without removing it, and a method for repairing the defect of a photovoltaic element from above the protective layer.例文帳に追加
光入射面上に保護層を有する光起電力素子の欠陥部分を、保護層を除去せずに、保護層の上から感度良く検出できる光起電力素子モジュールの欠陥検出方法、及び保護層の上から修復できる光起電力素子の欠陥修復方法を提供する。 - 特許庁
To enable the patterning of a light emitting layer of an organic electroluminescent element with high precision without swelling a printing plate.例文帳に追加
印刷版の膨潤がなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の高精細なパターニングを可能とする。 - 特許庁
A method for manufacturing the III nitride semiconductor light emitting element comprises a step of supplying an indium material into a growing atmosphere during growing of a gallium aluminum nitride layer.例文帳に追加
窒化アルミニウムガリウム層の成長中に成長雰囲気中にインジウム原料を供給する。 - 特許庁
In the semiconductor laser module where a Peltier module having a semiconductor laser element 1 and a Peltier element 8 for cooling the semiconductor laser element are accommodated in a package 11, an electric insulating layer 22, an ITO layer 23, and an electrode layer 24 for Peltier elements are successively formed on the inner surface of the package 11.例文帳に追加
半導体レーザー素子1とそれを冷却するペルチェ素子8を有するペルチェモジュールがパッケージ11に収納された半導体レーザーモジュールにおいて、前記パッケージ11の内面上に電気絶縁層22、ITO層23、ペルチェ素子用電極層24を順次積層形成したことを特徴とする。 - 特許庁
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