a STIとは 意味・読み方・使い方

In this manner, the SOI wafer will present the STI structure at the time of completion of the SOI process without the need of a further STI manufacturing step.例文帳に追加

こうして、ＳＯＩウェーハは更なるＳＴＩ製造ステップを必要とせずにＳＯＩプロセスの完了時にＳＴＩ構造を呈する。 - 特許庁

To provide the MOS transistor of a pseudo double gate structure while keeping the element separation resistance of STI element separation.例文帳に追加

STI 素子分離の素子分離耐性を保ちつつ、疑似ダブルゲート構造のＭＯＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

To form fine and accurate STI using a silica-based SOD film.例文帳に追加

シリカ系ＳＯＤ膜を用いて微細で緻密なＳＴＩを形成する。 - 特許庁

A second STI region is formed while the second STI region extends between the first STI region and the collector region, and undercuts a part of an active base region with an undercut angle of about 90° or less.例文帳に追加

第２のＳＴＩ領域が形成され、この第２のＳＴＩ領域は、第１のＳＴＩ領域とコレクタ領域との間に延在し、約９０°以下のアンダーカット角度で活性ベース領域の一部をアンダーカットする。 - 特許庁

A pair of second STI regions includes regions which lie directly under the gate electrode, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第二STI領域は、ゲート電極の真下に位置する部分を含み、一対の第二STI領域は、半導体ストリップにより互いに分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁

A pair of first STI (shallow trench isolation) regions includes regions which lie directly under parts of the source/drain regions, respectively, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第一STI領域は、ソース/ドレイン領域の一部分の真下に位置する部分を含み、一対の第一STI領域は、半導体ストリップにより分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a device isolation structure in place of an STI that is a factor of stress.例文帳に追加

ストレスの原因となるＳＴＩに代わる素子分離構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To bury an insulation film even in a minute STI groove without forming a hole.例文帳に追加

微細なＳＴＩ溝であっても、空孔を形成させることなく絶縁膜を埋め込むことができる。 - 特許庁