「layer element」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

A blue-violet semiconductor laser element 100 (a nitride semiconductor laser element) having an active layer 25 comprises: a semiconductor element layer 2 in which resonator end surfaces 2a and 2b are formed; an inorganic dielectric layer 30 formed on the resonator end surface 2a; and a fluorinated polymer layer 38 formed on the surface at the opposite side of the resonator end surface 2a of the inorganic dielectric layer 30.例文帳に追加

この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises: a first electrode layer 1 having light transmittance; an electron transportation/charge separation layer 2 formed on the first electrode layer; a charge amplification layer 5 contacting the layer 2 and containing at least a potential gradient type dendrimer; an electrolyte layer 3 contacting the layer 5 and containing at least oxidation-reduction species; and a second electrode layer 4 contacting the electrolyte layer 3.例文帳に追加

光透過性を有する第一の電極層（１）と、第一の電極層上に形成された電子輸送・電荷分離層（２）と、電子輸送・電荷分離層（２）と接し、少なくとも電位傾斜型デンドリマーを含有する電荷増幅層（５）と、電荷増幅層（５）と接し、少なくとも酸化還元種を含有する電解質層（３）と、電解質層（３）と接する第二の電極層（４）を有する光電変換素子とする。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

The heater includes: base material; a carbon-based heating element layer provided on the base material and containing at least amorphous carbon; a first protective layer covering the carbon-based heating element layer and obtained by mixing a metal or semimetal compound in heat resistant resin body material; and a second protective layer covering the first protective layer and composed of heat resistant resin.例文帳に追加

基材と、前記基材上に設けられ、少なくともアモルファス炭素を含む炭素系発熱体層と、前記炭素系発熱体層を被覆する、耐熱樹脂体質材中に金属または半金属化合物を混合した第一の保護層と、さらに前記保護層を被覆する、耐熱樹脂からなる第二の保護層とを具備したヒータとする。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.例文帳に追加

金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the organic electroluminescence element, a luminous layer contains a compound in a specific structure having a carbazole skeleton as a host material and a layer in contact with the luminous layer contains a metal complex compound in a specific structure in an organic electroluminescence element where an organic thin-film layer having at least the luminous layer is clamped between positive and negative electrodes.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と陽極間に、少なくとも発光層を有する有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層が、カルバゾール骨格を有する特定構造の化合物をホスト材料として含有し、前記発光層と接する層が、特定構造の金属錯体化合物を含有する。 - 特許庁

To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に第一の半導体層／第一の透明導電層／第二の半導体層／第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device wherein an element is separated by the LOCOS oxide film is provided with an SOI board having an insulating layer and a silicon layer formed thereon, a plurality of semiconductor elements formed on the silicon layer, and an element isolation area that is formed from the surface of the silicon layer up to the insulating layer and isolates the semiconductor elements electrically.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ酸化膜により素子分離された半導体装置が、絶縁層と絶縁層上に設けられたシリコン層とを含むＳＯＩ基板と、シリコン層に形成された複数の半導体素子と、シリコン層の表面から絶縁層に達するように形成され、半導体素子の間を電気的に分離する素子分離領域とを含む。 - 特許庁

This organic EL display device comprises an array substrate; the organic EL element formed on the array substrate and having transparent anode, a positive hole transport layer, a luminescent layer and a cathode; an epoxy resin layer formed so as to cover the organic EL element and containing not more than 1 wt.% of moisture; and a moisture-proof layer formed on the epoxy resin layer.例文帳に追加

アレイ基板と、前記アレイ基板上に形成され、透明な陽極、正孔輸送層、発光層および陰極を有する有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を覆うように形成され、水分量が１重量％以下のエポキシ樹脂層と、前記エポキシ樹脂層上に形成された防湿層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The first conductive layer is formed as a light shielding layer of the semiconductor switching element formed on the first insulation layer and the second conductive layer is formed as one of electrodes of the capacitive element formed on its upper layer.例文帳に追加

基板上の画素領域に、第１の導電層、第１の絶縁膜、第２の導電層が順次形成され、前記第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成される半導体スイッング素子の遮光膜として形成されているとともに、前記第２の導電層はその上層に形成される容量素子の一の電極として形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a 1st semiconductor layer 33 which is formed on a base substrate 31 across an buried oxide layer 32 and a 2nd semiconductor layer 34 which is formed on the base substrate and also has a 1st element formed in the 1st semiconductor layer and a 2nd element in the 2nd semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板３１上に埋め込み酸化物層３２を介在して形成された第１の半導体層３３と、この支持基板上に形成された第２の半導体層３４とを備え、上記第１の半導体層中に第１の素子が形成され、上記第２の半導体層中に第２の素子が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic detecting element comprises the steps of laminating a ferromagnetic layer 19 and a second antiferromagnetic layer 20 on the nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness, then digging out the layer 20 to form a recess 22, and thereby forming the magnetic detecting element in which the free magnetic layer 17 can be surely formed in a single domain in the track width direction.例文帳に追加

一定の厚さで形成されている非磁性層１８上に、強磁性層１９及び第２反強磁性層２０を積層した後、第２反強磁性層２０を掘り込んで凹部２２を形成することによって、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる磁気検出素子を形成することができる。 - 特許庁

This method comprises a step for preparing a substrate 101, a step for forming a semiconductor element on the substrate 101, a step for accumulating a metallic layer 107 on the substrate 101 and for electrically connecting this metallic layer 107 with the semiconductor element, a step for accumulating a solder layer 108 on the metallic layer, and a step for wire- bonding a wire 109 with the metallic layer 107.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、基板（１０１）を用意する段階、基板（１０１）上に半導体素子を形成する段階、基板（１０１）上に金属層（１０７）を堆積し、半導体素子に電気的に結合する段階、はんだの層（１０８）を金属層上に堆積する段階、およびワイヤ（１０９）を金属層（１０７）にワイヤ・ボンドする段階を含む。 - 特許庁

This floor heating structure is constituted by successively stacking a heat-resisting layer 2, a sheet heating element 3 and a floor material layer 4 on an upper side of a heat storage layer 1, and a temperature sensor 7 for controlling a temperature is disposed at a lower side of the heat storage layer 1.例文帳に追加

蓄熱層１の上側に、耐熱層２、面状発熱体３、床材層４を順に積層して床暖房構造体を構成するとともに、温度制御のための温度センサー７を、蓄熱層１の下側に設置した。 - 特許庁

A polymer electroluminescent element comprises transparent or translucent conductive layer 2, a polymer luminescent layer 3 and a negative electrode layer 5, formed in layers in order on top of a board and the negative electrode layer is made of a metal foil of a thickness of more than 1 μm.例文帳に追加

基材１上に透明または半透明の導電層２、高分子発光層３、陰極層５が順次積層されてなる高分子ＥＬ素子であって、陰極層が厚さ１μｍ以上の金属箔からなる。 - 特許庁

The inorganic EL element (1) has a conductive layer (2), a phosphor layer (3), a reflecting insulation layer (4), and a rear electrode (5) in this order on a transparent support body (21), and the conductive layer (2) contains silica of 0.05 g/m^2 or more.例文帳に追加

透明支持体（２１）上に導電層（２）、蛍光体層（３）、反射絶縁層（４）および背面電極（５）をこの順で有するＥＬ素子であって、前記導電層（２）にシリカを０．０５ｇ／ｍ^2以上含有する無機ＥＬ素子（１）。 - 特許庁

To provide a method by which a nonconductive tunnel barrier layer of a tunnel junction element can be treated through layers overlying the barrier layer so that the oxide and nitride of the barrier layer may be distributed uniformly and homogeneously throughout the barrier layer.例文帳に追加

トンネル障壁層の酸化および窒化がトンネル障壁層全体を通して均一かつ均質になるように、トンネル接合素子内の上層を通して非導電性トンネル障壁層を処理する方法を提供すること。 - 特許庁

In a planar display element which is constituted by being provided with a pair of an ITO (indium tin oxide) electrode layer and an aluminum electrode layer which are disposed to face oppositely with a display layer on an insulating substrate, the aluminum electrode layer is formed by dry etching.例文帳に追加

絶縁基板上に表示層を介して対向配置される一対のＩＴＯ電極層とアルミニウム電極層とを備えてなる平面表示素子において、前記アルミニウム電極層はドライエッチングで形成される。 - 特許庁

A discrimination is executed from a correction amount corresponding to the recording layer whether the recording layer is an objective recording layer, by means of changing a correction amount of an aberration correction element, when position control is performed for positioning a focal point to an arbitrary optical recording layer.例文帳に追加

任意の記録層に焦点を位置づけ制御する際に、当該の記録層に対応する補正量から、収差補正素子の補正量を変動させることによって記録層が目標の記録層であるかを判定する。 - 特許庁

This semiconductor laser element 10 is provided with a laminated structure of an n-type AlGaAs clad layer 14, a GaAs active layer 16, a p-type AlGaAs clad layer 18, and a p-type GaAs contact layer 20 on an n-type GaAs substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、ＧａＡｓ活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０の積層構造を備えている。 - 特許庁

This ferromagnetic tunnel junction element 7 includes a fixed layer 20, a tunnel insulation layer 21 and a recording layer 22 which are successively laminated, wherein the length of a magnetization easy axis direction of the recording layer 22 is shorter than the length of a magnetization difficult axis direction thereof.例文帳に追加

この強磁性トンネル接合素子７は、順次積層された固着層２０、トンネル絶縁層２１および記録層２２を含み、記録層２２の磁化容易軸方向の長さが磁化困難軸方向の長さよりも短い。 - 特許庁

Under conditions that the crystal orientations of the bonding faces of the wafer 4b for the absorption layer and the wafer 5a for the blocking layer are in agreement, the wafer 4b for the absorption layer and the wafer 5a for the blocking layer are stuck, and thereby a detection element 3 is formed.例文帳に追加

次いで、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aの貼り合わせ面の結晶方位を合わせた状態で、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aを貼り合わせて検出素子３を形成する。 - 特許庁

The magnetic oscillation element includes a magnetic free layer 1 whose magnetizing direction is variable, a magnetic pinned layer 3 whose magnetizing direction is fixed, a spacer layer 2 arranged between them, and a magnetic field generating portion 7 which imparts an external magnetic field to the magnetic free layer 1.例文帳に追加

本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層１と、磁化方向が不変の磁気ピンド層３と、両者間に配置されるスペーサー層２と、磁気フリー層１に外部磁場を与える磁場発生部７とを備える。 - 特許庁

A middle protective film 24A is formed between a continuous recording layer and a first mask layer 34, and the first mask layer 34 is removed while the middle protective film 24A is left on a divided recording element 20 after the continuous recording layer is divided.例文帳に追加

連続記録層と第１のマスク層３４との間に中間保護膜２４Ａを形成し、連続記録層の分割後、分割記録要素２０上の中間保護膜２４Ａを残しつつ第１のマスク層３４を除去するようにした。 - 特許庁

To simultaneously emit light with a hole transport luminescent layer and an electron transport luminescent layer and optionally display color in a visible light region in an organic EL(electroluminescence) element having structure in which the hole transport luminescent layer directly comes in contact with the electron transport luminescent layer.例文帳に追加

正孔輸送性発光層と電子輸送性発光層とが直接接した構造を有する有機ＥＬ素子において、両発光層にて同時発光を行い、可視光領域における任意な表示色を可能とする。 - 特許庁

A thickness and impurity density of an I layer 32I (channel region, semiconductor layer) of a photo detector 3 and a thickness and impurity density of an I layer 22I (channel region, semiconductor layer) of a TFT element 2 are nearly identical to each other.例文帳に追加

光検出素子３におけるＩ層３２Ｉ（チャネル領域，半導体層）と、ＴＦＴ素子２におけるＩ層２２Ｉ（チャネル領域，半導体層）とにおいて、それらの厚みおよび不純物濃度がそれぞれ互いに略等しくなっている。 - 特許庁

A connection layer for connecting the semiconductor element 1 and a base material 2c has a laminated structure of an air gap layer 13 and a bonding layer 7, and consequently, a gas can be dissipated efficiently d to the outside of the connection layer in a process of connection.例文帳に追加

半導体素子１を基材２に接続するための接続層が、空隙層１３と、接合層７との積層構造となっていることにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 - 特許庁

In the organic electric field light-emitting element having the light-emitting layer composed of a pair of electrodes and at least one layer of organic substance between the electrodes, a light emitting region controlling layer to adjust the light emitting region in its light-emitting layer is installed.例文帳に追加

一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機物からなる発光層を有する有機電界発光素子において、その発光層中に発光領域を調整する発光領域制御層を設ける。 - 特許庁

The element part of semiconductor device 1 comprises an n+ type semiconductor substrate 11; an n- type drift layer 12; a p- type base layer 13; and an n+ type source layer 14 or a p+ type contact layer 15 selectively formed in turn.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置１の素子部は、ｎ＋型半導体基板１１、ｎ−型ドリフト層１２、ｐ−型ベース層１３、及び選択的形成のｎ＋型ソース層１４またはｐ＋型コンタクト層１５を順に有する。 - 特許庁

An oxide film layer 8, a solid electrolyte layer 9 and a carbon layer 10, and a silver layer 11 are formed sequentially on the surface of a anode body 6 composed of a valve action metal on which an anode lead wire 7 is inserted thus obtaining a capacitor element 12.例文帳に追加

陽極導出線７が植立された弁作用金属からなる陽極体６の表面に、酸化皮膜層８、固体電解質層９およびカーボン層１０、銀層１１が順次形成されたコンデンサ素子１２を有する。 - 特許庁

A blue luminous layer 16CB consisting of a low molecule material is formed by a vapor deposition method on the whole surface of the red luminous layer 16GR, the green luminous layer 16CG, and the hole transporting layer 16BB for the blue organic EL element 10B.例文帳に追加

赤色発光層１６ＣＲ，緑色発光層１６ＣＧおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂ用の正孔輸送層１６ＢＢの全面に低分子材料よりなる青色発光層１６ＣＢを蒸着法により形成する。 - 特許庁

A wiring layer 107 in the surface layer of the first wiring board 101 and a wiring layer 108 in the surface layer of the second wiring board 102 are electrically connected through the conductor 105 and at least one of the wiring layers 107 and 108 is buried in the board bonding element 106.例文帳に追加

第一の配線基板101の表層の配線層107と第二の配線基板102の表層の配線層108とが導電体105を介して電気的に接続され、配線層107,108の少なくとも一方が基板接合体106に埋設される。 - 特許庁

In the light-emitting element 1, a hole-injecting metallic oxide layer 6 and an electron-injecting metallic oxide layer 7 are interposed between an anode 5 and an organic compound layer 4, and between a cathode 3 and the organic compound layer 4 respectively.例文帳に追加

発光素子１は、陽極５と有機化合物層４の間および陰極３と有機化合物層４の間にそれぞれ、正孔注入性金属酸化物層６と電子注入性金属酸化物層７を介挿してなるである。 - 特許庁

The sealing element 17 includes an aluminum layer 25 consisting of aluminum disposed at the side of a battery case 6 and the like, and a nickel layer 26 that is formed on the aluminum layer 25 using nickel with the thermal conductivity smaller than that of the aluminum layer 25 and other materials.例文帳に追加

封止体１７は、電池ケース６側に配置されたアルミニウム等からなるアルミニウム層２５と、アルミニウム層２５上に形成されて、アルミニウム層２５よりも熱伝導率の小さいニッケル等で形成されたニッケル層２６とからなる。 - 特許庁

In a one-layer drawn-up winding process in S1, six pieces, in one layer, of coil wires are wound in line, and in a multilayer conversion process in S3, the slot section is converted from one-layer lined-up lap winding into three-layer lined-up lap winding so as to form a cassette coil element piece.例文帳に追加

Ｓ１の一層整列巻き工程で、一層で６本のコイル線を整列巻きし、Ｓ３の多層変換工程で、スロット部分を、一層整列重ね巻きから三層整列重ね巻きに変換し、カセットコイル素片を形成する。 - 特許庁

Within this pin type semiconductor photodetecting element 100, an InGaAsP photoabsorbing layer is composed of an impurity implanted photoabsorbing layer 104 in higher impurity concentration than that in i layer 105 and the i layer in low inputity concentration.例文帳に追加

本ｐｉｎ型半導体受光素子１００は、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層が、不純物濃度がｉ層より高い不純物注入光吸収層１０４と、不純物濃度の低いｉ層１０５と、から構成されている。 - 特許庁

To provide a composition for an alignment layer in which the layer is hardly scraped by rubbing processing and in which an alignment layer having uniformly aligning property can be manufactured in a high yield, and a liquid crystal display element using the alignment layer having uniformly aligning property.例文帳に追加

ラビング処理によって、膜が削れにくいく、配向特性が均一な配向膜を高い歩留まりで製造できる配向膜用組成物およびその配向特性が均一な配向膜を用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a thin film layer of hole transportability contacting a positive electrode layer, and its thin film layer contains 5 mass % or more polymer compound and the energy value of the lowest unoccupied molecular orbital of the thin film layer is 2.1 eV or more.例文帳に追加

陽極層に接する正孔輸送性の薄膜層を有し、その薄膜層が５質量％以上の高分子化合物を含みかつ該薄膜層の最低空軌道の値が２．１ｅＶ以上である、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

Cathode connection wiring 6 is formed in an area between cathode leading about wiring 11 and the organic EL display element 7 in the lower layer of a layer of an insulation film 12 for electrically insulating the layer of an anode 11 and the layer of a cathode 2.例文帳に追加

陽極１の層と陰極２の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜１２の層の下層であって、陰極引き回し配線１１と有機ＥＬ素子７との間の部位において、陰極接続配線６を形成する。 - 特許庁

A layer p11 being a second conductivity type semiconductor layer is formed in the vicinity of an end of a transfer gate TG of a layer n2 being a first conductivity type semiconductor layer forming floating diffusion FD in an imaging element comprising a CMOS.例文帳に追加

CMOSからなる撮像素子における、フローティングディフュージョンＦＤを形成する第１導電型半導体層である層ｎ２の転送ゲートＴＧの端部付近に、第２導電型半導体層である層ｐ１１を形成する。 - 特許庁

The organic light-emitting device includes an organic light-emitting element having a lower reflecting electrode 4, hole transporting layer 7, white luminous layer 8, electron transporting layer 9, electron injecting layer 10, and upper transparent electrode 11 arranged on a metal substrate 2.例文帳に追加

有機発光装置は、下部反射電極４，正孔輸送層７，白色発光層８，電子輸送層９，電子注入層１０及び上部透明電極１１を有する有機発光素子が、金属基板２上に配置されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element includes a base material, an anode formed on the base material, a light-emitting layer formed above the anode, an electron injection layer formed above the light-emitting layer, and a cathode formed on the electron injection layer.例文帳に追加

基体、基体の上に形成された陽極、陽極の上に形成された発光層、発光層の上に形成された電子注入層、及び電子注入層の上に形成された陰極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The organic EL element is provided with an organic thin-film layer including at least a light emitting layer between positive and negative electrodes, and one layer of the organic thin-film layer contains 1,3,6,8-tetraphenylpyrene compound and triphenyl benzene derivative.例文帳に追加

正極び負極の間に発光層を少なくとも含む有機薄膜層を有してなり、有機薄膜層における一層が、１，３，６，８−テトラフェニルピレン化合物と、トリフェニルベンゼン誘導体とを含有する有機ＥＬ素子等である。 - 特許庁

The composite electronic component 100 includes first and second magnetic substrates 11a and 11b, and a functional layer 12 sandwiched between these magnetic substrates, and the functional layer 12 is configured of a common-mode filter layer 12a and an (ESD) protection element layer 12b.例文帳に追加

複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂと、それらの間に挟まれた機能層１２とを備え、機能層１２はコモンモードフィルタ層１２ａと静電気対策素子層１２ｂによって構成されている。 - 特許庁