「layers type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２は、ｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第２半導体層）とｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂ（第１半導体層）を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

The n-type layer 13 is formed on the p-type layers 2 and 12, and the conductive type of the layer is n type.例文帳に追加

ｎ型層１３は、ｐ型層２、１２上に形成され、導電型がｎ型である。 - 特許庁

P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ型ドレイン分離層６とＰ型素子分離層３に囲まれたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ｂにその表面から内部に延在するＰ型コレクタ層７を形成する。 - 特許庁

Structure in which the N type layers 2 and the P type layers 3 are repeatedly arranged by further making a region sandwiched between the P type layers 3 in the N-type substrate 10 be the N type layer 2.例文帳に追加

また、Ｎ型基板１０のうち各Ｐ型層３に挟まれた領域をＮ型層２とすることで、当該Ｎ型層２とＰ型層３とが繰り返し配置された構造を形成する。 - 特許庁

A sandwich structure composed of slit type gate electrodes, the first vertical type oxide layers, capture layers and the second oxide layers is formed.例文帳に追加

スリット式ゲート電極と、垂直式の第１酸化層、キャプチャ層、及び第２酸化層とによるサンドイッチ構造を形成する。 - 特許庁

A pn semiconductor is arranged in pnp layers, or in npn layers for serving as a current driving type or a voltage driving type or the pn semiconductor may be arranged in pnpn layer or in npnp layers for serving as the voltage driving type.例文帳に追加

また、ｐｎ半導体を、ｐ層ｎ層ｐ層ｎ層またはｎ層ｐ層ｎ層ｐ層に配置した電圧駆動型としてもよい。 - 特許庁

Around the N-type diffusion layers 22, 23, P-type diffusion layers 19, 20 are formed as collector regions by being spaced apart from the N-type diffusion layers 22, 23.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層２２、２３の周囲には、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層１９、２０が、Ｎ型の拡散層２２、２３と離間して形成される。 - 特許庁

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。 - 特許庁

In the apertures, n type GaN layers 106a, undoped AlN layers 106b, undoped GaN layers 106c, undoped AlN layers 106d, and n type GaN layers 106e are sequentially formed.例文帳に追加

該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。 - 特許庁

The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加

ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン層３７，４０をパターニングして、ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン３７ａ，３７ｂ，４０ａ，４０ｂを形成する。 - 特許庁

The p-type cap layer 11 includes an alternate stack of m+1 p-type GaAs layers and m p-type GaInP layers.例文帳に追加

ｐ型キャップ層１１はｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層とｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層とが交互に積層されている。 - 特許庁

A number of p-type deep layers 10 are arranged in grid patterns.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０を格子状に配置する。 - 特許庁

a type of lacquerware made by putting papers in layers and lacquering over them例文帳に追加

紙を張り重ねたものにうるしを塗った漆器 - EDR日英対訳辞書

On both the sides of an intrinsic semiconductor layer, n-type semiconductor layers 6 and p-type semiconductor layers 5 are alternately provided.例文帳に追加

真性半導体層の両側にｎ型半導体層６およびｐ型半導体層５を交互に設けた。 - 特許庁

The protective diode includes a plurality of p^+-type diffusion layers and a plurality of n^+-type diffusion layers, both provided on a p-well of a p-type semiconductor substrate, the plurality of the p^+-type diffusion layers serving as anodes, and the plurality of the n^+-type diffusion layers serving as cathodes.例文帳に追加

本発明の保護用ダイオードは、Ｐ型半導体基板のＰウェル上に複数のＰ＋型拡散層と、複数のＮ＋型拡散層を設け、複数のＰ＋型拡散層をアノード、複数のＮ＋型拡散層をカソードとして構成される。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

The barrier layers 2 and the quantum well layers 3 constitute a type II superlattice.例文帳に追加

障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。 - 特許庁

The p-type impurity layer 60 is formed between the n-type impurity layers 50.例文帳に追加

ｐ型不純物層６０はｎ型不純物層５０間に形成されている。 - 特許庁

To realize a power-MOSFET using n-type drift layers and p-type drift layers and capable of reducing the ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減化を図れる、ｎ型ドリフト層とｐ型ドリフト層を用いたパワーＭＯＳＦＥＴを実現すること。 - 特許庁

P-type buried layers 35 are formed on the bottom of the conduits.例文帳に追加

溝の底部には、ｐ埋め込み層35が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a semiconductor substrate having n-type layers and p-type layers in stripes in a plane.例文帳に追加

ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of p-type diffusion layers 3 are formed on the surface layer of an n^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^-型エピ層２の表層部に複数のｐ型拡散層３を形成する。 - 特許庁

The layers 3-6 have p^+ type regions 3a-6a and n type regions 3b-6b.例文帳に追加

層３〜６はｐ^+型領域３ａ〜６ａとｎ型領域３ｂ〜６ｂとを有する。 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

This semiconductor device has a p-type avalanche region 9, formed between adjacent p-type base layers 2 which is deeper than the p-type base layers.例文帳に追加

本発明の半導体装置においては、隣り合うｐ型ベース層２の間にｐ型ベース層２よりも深くｐ型アバランシェ領域９が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

A plurality of low-concentration n-type SOI layers 12 and a plurality of high-concentration n-type SOI layers 13 are alternately formed, and arranged side by side.例文帳に追加

複数の低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２と複数の高濃度Ｎ型ＳＯＩ層１３を交互に並べて形成する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 25 and 26 are formed in a surface parts of the p-type wells 22 and 24.例文帳に追加

ｐ型ウェル２２及び２４の表面部には、ｎ型拡散層２５、２６が形成される。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

In the epitaxial layers 7, 8, p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 constituting separating regions 3, 4, 5 are formed, and also, p-type diffusion layers 46, 47, 48 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層７、８には、分離領域３、４、５を構成するＰ型の埋込拡散層４３、４４、４５及びＰ型の拡散層４６、４７、４８が形成されている。 - 特許庁

At formation of the second p-type pocket layers 11, the concentration of the impurity ions implanted for forming the layers 11 are made higher than that of the impurity ions implanted for forming the first p-type pocket layers 9.例文帳に追加

この時、第２ｐ型ポケット層１１を形成する不純物イオン濃度は第１ｐ型ポケット層９を形成する不純物イオン濃度より高くなるようにする。 - 特許庁

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers provided between the plurality of barrier layers.例文帳に追加

発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。 - 特許庁

A surface channel layer 5 comprises n-type channel layers 5a, 5b formed to touch the surface parts of p- type base regions 3a, 3b and an n- type epi layer 2, and p-type channel layers 5c, 5d formed on the n-type channel layers.例文帳に追加

表面チャネル層５を、ｐ^-型ベース領域３ａ、３ｂの表面部及びｎ^- 型エピ層２の表面部と接するように形成されたｎ型チャネル層（５ａ、５ｂ）と、ｎ型チャネル層の上に形成されたｐ型チャネル層（５ｃ、５ｄ）とによって構成する。 - 特許庁

This nitride semiconductor laser device is provided with n-type nitride semiconductor layers 102-105 and p-type nitride semiconductor layers 107-110 formed on a substrate 100, and a light emitting layer 106 interposed between the n-type layers 102-105 and p-type layers 107-110.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ素子は、基板１００上に形成された窒化物半導体からなるｎ型層１０２〜１０５およびｐ型層１０７〜１１０と、ｎ型層１０２〜１０５とｐ型層１０７〜１１０との間に配置された発光層１０６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a laminate structure including n-type semiconductor layers 102 and 103, p-type semiconductor layers 110 and 111, and an active layer 105 interposed between those n-type semiconductor layers 102 and 103 and p-type semiconductor layers 110 and 111.例文帳に追加

半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。 - 特許庁

The multilayer film 25 consisting of the two p-type AlInAs layers and the one p-type AlAs layer is formed into the constitution of a multilayer film formed by making the p-type AlAs layer 25b interpose between the p-type AlInAs layers 25a.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層の多層膜２５は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５ａの間にｐ−ＡｌＡｓ層２５ｂを介在させた多層膜の構成になっている。 - 特許庁

In the N-type diffused source and drain layers 20, there is formed P-type impurity-implanted regions 19 having a P-type impurity concentration lower than that of the N-type diffused source and drain layers 20.例文帳に追加

Ｎ型ソース・ドレイン拡散層２０の内部には、Ｐ型不純物濃度がＮ型ソース・ドレイン拡散層２０よりも低いＰ型不純物注入領域１９が形成されている。 - 特許庁

Second conduction type third semiconductor layers 25 are arranged so as to respectively contact with the second semiconductor layers 2.例文帳に追加

第２半導体層２と夫々接するように第２導電型の第３半導体層２５が配設される。 - 特許庁

First conduction type fourth semiconductor layers 26 are formed on the surfaces of the third semiconductor layers 25.例文帳に追加

第３半導体層２５の表面に夫々第１導電型の第４半導体層２６が形成される。 - 特許庁

The first layer of the p-type GaAs layers contacts the p-type band-discontinuity relaxation layer 10 and the m+1 th layer of the GaAs layers contacts a first electrode 14.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。 - 特許庁

The graded composition superlattice layer 20 is formed by laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i and p-type ZnSe layers 20b, 20d, 20f, 20h, 20j alternately.例文帳に追加

組成傾斜超格子層２０はｐ型ＺｎＴｅ層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉとｐ型ＺｎＳｅ層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊとを交互に積層して形成する。 - 特許庁

N-type diffusion layers 7, 8 as source regions are formed on the p-type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５には、ソース領域としてのＮ型の拡散層７、８が形成されている。 - 特許庁

The second resonator includes resonator-forming conductor layers of a third type and a fourth type.例文帳に追加

第２の共振器は第３および第４の種類の共振器用導体層を有している。 - 特許庁