「ldd」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

自己整合ＬＤＤ構造を備えたポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

If set to a non-empty string, causes the program to list its dynamic library dependencies, as if run by ldd (1), 例文帳に追加

を実行したときのように動的ライブラリの依存関係をリスト表示させる。 - JM

The transmission part 10 includes a CDR part 11, an LDD 12, and a laser diode 13.例文帳に追加

送信部１０は、ＣＤＲ部１１，ＬＤＤ部１２およびレーザダイオード１３を含む。 - 特許庁

The LDD region is composed of two kinds of low concentration diffusion layer regions with different conductivity types.例文帳に追加

ＬＤＤ領域は導電型が異なる２種の低濃度拡散層領域からなる。 - 特許庁

GOLD structure and LDD structure can separately be used according to circuit specifications.例文帳に追加

回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

The GOLD structure and the LDD structure can be used appropriately for circuit specifications.例文帳に追加

回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

To provide a lightly doped drain(LDD) structure and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、軽度にドープされたドレイン (ＬＤＤ) 構造とその製造方法とに関する。 - 特許庁

This TFT having an LDD structure is constituted such that a region where the LDD region and a gate electrode are overlapped and a region where these are not overlapped are provided in one TFT.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＴＦＴにおいて、そのＬＤＤ領域がゲート電極とオーバーラップする領域と、オーバーラップしない領域とが一つのＴＦＴに設けられた構造とした。 - 特許庁

Further, the high withstand voltage system MOS transistor 31 has an LDD structure 35 having an LDD length in response to the side wall length of the thick film gate side wall insulating film 34.例文帳に追加

また、高耐圧系のＭＯＳトランジスタ３１は、厚膜ゲート側壁絶縁膜３４の側壁長に応じたＬＤＤ長を有するＬＤＤ構造３５を有して構成されている。 - 特許庁

To suppress the occurrence of void upon embedding an intermediate insulating film, by setting an LDD width SW11 of a logic transistor (Tr) 33 separately from an LDD width SW13 of a cell Tr35.例文帳に追加

ロジックトランジスタ（Ｔｒ）３３のＬＤＤ幅ＳＷ１１をセルＴｒ３５のＬＤＤ幅ＳＷ１３とは別個に設定し、中間絶縁膜の埋め込み時のボイド発生を抑制する。 - 特許庁

A gate overlap type LDD polysilicon TFT consists of a transparent insulation substrate 30, a polysilicon layer formed on the transparent insulation substrate and a gate insulation layer 40 formed in the polysilicon layer.例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型LDD ポリシリコンTFT は、透明絶縁基板３０と、前記透明絶縁基板上に形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層に形成 されたゲート絶縁層４０と、からなる。 - 特許庁

Alternatively, the switching transistor and the current transistor have the LDD structure or the offset structure and the LDD length or the offset length of the switching transistor is made longer than that of the current transistor.例文帳に追加

あるいは、スイッチングトランジスタおよびカレントトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、スイッチングトランジスタの、ＬＤＤ長またはオフセット長を、カレントトランジスタよりも、長くする。 - 特許庁

To provide a highly productive thin film transistor(TFT) having different light-doped drain structures(LDD) on the same substrate, and to provide the manufacturing method of the LDD structures.例文帳に追加

本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

In addition, the MDD area 9 is formed shallow at higher concentration than the LDD area 6.例文帳に追加

また、ＭＤＤ領域９は、ＬＤＤ領域６よりも、高濃度かつ浅く形成されている。 - 特許庁

Thus, a NMOS transistor having a source-drain region of the LDD structure is formed.例文帳に追加

これによりＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域を有するＮＭＯＳトランジスタが形成される。 - 特許庁

Distance-measuring light from the central LDD 63a advances on the optical axis LP of a taking lens 20a.例文帳に追加

中心ＬＥＤ６３ａからの測距光は撮影レンズ２０ａの光軸ＬＰ上を進む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having an LDD-type source/drain region, and to provide production method therefor.例文帳に追加

ＬＤＤ型ソース／ドレイン領域を有する半導体素子及びその提供方法を提供する。 - 特許庁

First of all, an LDD region 5 is formed by an ion implantation using a gate electrode 4 as a mask.例文帳に追加

まず、ゲート電極４をマスクとしたイオン注入によりＬＤＤ領域５が形成される。 - 特許庁

The LDD regions 5a, 5b are formed immediately under the side 6a, 6b of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極側方部６ａ，６ｂの直下にＬＤＤ領域５ａ，５ｂが形成されている。 - 特許庁

To both optimize antireflection effects and microfabricate a transistor having an LDD structure.例文帳に追加

反射防止効果の最適化と、ＬＤＤ構造を有するトランジスタの微細化とを両立する。 - 特許庁

To provide good saturation characteristics in a thin film transistor of an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタにおいて、良好な飽和特性を得ることができるようにする。 - 特許庁

An N-type source region 12s, an N-type drain region 12d, a source side LDD region 7s and a drain side LDD region 7d are provided in the surface of a P-type well 2 and a gate electrode 5 is provided on the surface of a well 2.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２の表面に、Ｎ型ソース領域１２ｓ、Ｎ型ドレイン領域１２ｄと、ソース側ＬＤＤ領域７ｓ、ドレイン側ＬＤＤ領域７ｄと、ゲート電極５を備える。 - 特許庁

The formation of an insulation part for interrupting heat conduction between an LDU mounted part and an LDD mounted part on the optical substrate reduces heat flow from the LDD side to the LDU side in particular.例文帳に追加

光学基台のＬＤＵ取付部とＬＤＤ取付部との間に熱伝導を遮断する断熱部を形成することにより、特にＬＤＤ側からＬＤＵ側への熱の流れ込みを低減する。 - 特許庁

An LDD region 113 overlaps on the first wiring 102a and does not overlap on the second wiring 107a.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。 - 特許庁

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-alignment structure.例文帳に追加

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁

Subsequently, an LDD side spacer 91 is formed on the inside wall of an opening of the ring-shaped gate electrode 35.例文帳に追加

続いて、リング状ゲート電極３５の開口部の内壁にＬＤＤサイドスペーサ９１を形成する。 - 特許庁

In first and second implantations, the size of a gate electrode is changed in accordance with LDD length.例文帳に追加

第１回目と第２回目の注入時で、ゲート電極の寸法をＬＤＤ長さに対応して変える。 - 特許庁

The present invention reduces short channel effects but does not include a lightly doped drain region (LDD structure).例文帳に追加

本発明は、ショートチャネルの影響を低減し、薄くドープしたドレイン領域（ＬＤＤ構造）を有さない。 - 特許庁

An LDD region is formed by implantation in the island-like semiconductor region by using the gate as a mask.例文帳に追加

ゲートをマスクとして、ＬＤＤ領域が、注入により島状半導体領域に形成される。 - 特許庁

The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures improve breakdown voltage of the lateral pnp transistor 80.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のエミッタ８３及びコレクタ８４は、ラテラルＰＮＰトランジスタ８０の耐圧を向上させる。 - 特許庁

To manufacture a thin-film semiconductor device which is provided with an LDD structure and micronized through a simple process.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜半導体装置を微細化可能な簡単な工程で製造する事。 - 特許庁

LDD regions 107a, 107b overlap the first wiring 102a and do not overlap the second wiring 113a.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１０７a、１０７bは第１配線１０２aとは重なり、第２配線１１３aとは重ならない。 - 特許庁

An LDD region 113 overlaps the first wiring 102a and does not overlap the second wiring 107a.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。 - 特許庁

Thus the GOLD structure and the LDD structure can be properly used corresponding to a circuit type.例文帳に追加

このように回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for improving productivity of a MOS-type semiconductor transistor having an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造をもつＭＯＳ型半導体トランジスタの生産性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

An LDD region 113 is overlapped on the first wiring 102A and is not overlapped on the second wiring 107a.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。 - 特許庁

A junction face is protruded upward between the threshold voltage control layer 106 and the LDD region 107.例文帳に追加

閾値電圧制御層１０６とＬＤＤ領域１０７との接合面は上方に凸状である。 - 特許庁

To form an LDD structure in self-alignment process and to prevent variations in the thickness of a gate insulating film.例文帳に追加

自己整合的にＬＤＤ構造を形成でき、しかも、ゲート絶縁膜の厚さばらつきを防止できる。 - 特許庁

The quantity of light supplied to the LDD region 2c is controlled by the ratio and the film thickness.例文帳に追加

ＬＤＤ領域２ｃに供給される光量は、この比率及びその膜厚によって制御される。 - 特許庁

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-aryne structure.例文帳に追加

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁

ADDITIONAL N-TYPE LDD/POCKET DRIVING FOR IMPROVING ESD ROBUSTNESS OF SHORT CHANNEL NMOS例文帳に追加

ショートチャネルＮＭＯＳのＥＳＤロバストネスを改善するための追加的なｎ−型ＬＤＤ／ポケット打ち込み - 特許庁

A second LDD region 50 is formed by implanting ions through a spacer block opening.例文帳に追加

スペーサブロック開口部を通じてイオンを打ち込むことにより第二のＬＤＤ領域５０を形成する。 - 特許庁

In an optical transmission-type circuit composed of, for example, a laser diode LD, a laser diode driver LDD for current driving the LD, and a transmission line TLINE connecting the LD and LDD, the LDD comprises a driver circuit DRV including a pre-driver circuit PDRV having a waveform equalization function, and a bias circuit DC_BIAS.例文帳に追加

例えば、レーザダイオードＬＤと、ＬＤを電流駆動するレーザダイオードドライバＬＤＤと、ＬＤとＬＤＤを接続する伝送路ＴＬＩＮＥから成る光送信系の回路において、ＬＤＤが、波形等化機能を有するプリドライバ回路ＰＤＲＶを含んだドライバ回路ＤＲＶと、バイアス回路ＤＣ＿ＢＩＡＳとを備える。 - 特許庁

The MOS transistor structure can be provided by an additional injection layer 36 of a doping node, which is a conductive type opposite to a lightly-doped drain(LDD) 34, at a level higher than channel doping in addition to this LDD 34.例文帳に追加

本発明のＭＯＳトランジスタ構造は、薄くドープしたドレイン（ＬＤＤ３４）に加えて、そのＬＤＤ３４とは反対の導電型で、チャネルドーピングよりも高レベルのドーピングノードの追加の注入層３６により得られる。 - 特許庁

The first insulation film 4 and the second insulation film 5 are formed to cover an LDD region 2c, and its film thickness is set to adjust the amount of impurities implanted to the LDD region 2c.例文帳に追加

第１の絶縁膜４及び第２の絶縁膜５は、ＬＤＤ領域２ｃを覆うように形成され、同ＬＤＤ領域２ｃに注入される不純物の量を調整すべく、その膜厚が設定されている。 - 特許庁