「logic cell array」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this gate array, a logic cell that configures a logical operation circuit and a program setting light receiving element for setting an arithmetic program to this logic cell are mounted on a planar chip.例文帳に追加

論理演算回路を構成するロジックセルと、このロジックセルに演算プログラムを設定するプログラム設定用受光素子とを平面状のチップ上に搭載したゲートアレイ。 - 特許庁

Rewriting for a memory cell 5 is performed with arbitrary timing after data is transferred to the logic section 3 from the DRAM array section 1.例文帳に追加

メモリセル5への書き戻しは、ＤＲＡＭアレイ部1からロジック部にデータを転送した後に、任意のタイミングで行う。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING STRAP REGION AND PERIPHERAL LOGIC DEVICE REGION例文帳に追加

ストラップ領域及び周辺論理デバイス領域を有するフローティングゲートメモリセルの半導体アレーを形成する方法 - 特許庁

A 1st fusing circuit is composed of the flash cells sharing a bit line with the flash cell array, and controls the connection between the flash array and an external logic circuit.例文帳に追加

第１ヒュージング回路は、フラッシュセルアレイとビットラインを共有してフラッシュセルで構成され、フラッシュアレイと外部ロジック回路との連結を制御する。 - 特許庁

A programmable logic gate cell array 20 includes: a plurality of logic gate cells 50A to 50B; and programmable interconnections 40A to 40N adapted to establish interconnection among the logic gate cells 50A to 50B.例文帳に追加

プログラム可能論理ゲートアレイ２０は、複数の論理ゲートセル５０Ａ〜５０Ｂと、論理ゲートセル５０Ａ〜５０Ｂ間を相互接続するように構成されたプログラム可能な相互接続４０Ａ〜４０Ｎとを含む。 - 特許庁

As the auxiliary gate logic is composed of logic gates smaller than the standard cell logics, production economy following a standard cell ASIC array is possible, and as only an uppermost metal level is unrequired for changing, it is possible to repair economically and promptly logic errors and to realize changes of logic functionality.例文帳に追加

予備ゲート論理は標準のセル論理よりも少ない論理ゲートからなるので、標準セルＡＳＩＣアレイに伴う生産の経済性が可能になり、最上位金属レベルしか変更不要なので、経済的かつ迅速に論理エラーを修理し、論理機能性の変更を実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of independently testing a memory cell array section and a logic section in a memory circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイ部とメモリ回路内ロジック部をそれぞれ独立してテストすることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize low power consumption and a high speed operation by suitably controlling the operation mode of the basic logic cell circuit and connection switch circuit of a field programmable gate array in accordance with the operating condition of each basic logic cell circuit when constituting a logic device.例文帳に追加

フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイの基本論理セル回路および結線スイッチ回路の動作モードを、論理装置を構成した場合のそれぞれの基本論理セル回路の動作状態に対応して適切に制御して、低消費電力化と動作の高速化を行う。 - 特許庁

To provide a burn-in device for accelerating burn-in with a peripheral circuit part and a logic circuit part as well as with a memory cell array part.例文帳に追加

メモリセルアレイ部のみならず、周辺回路部やロジック回路部においてもバーンインの加速化を図ることが可能なバーンイン装置を得る。 - 特許庁

A mixed LSI40 comprises an FeRAM cell array 44, a cell operation circuit part 45, which provided in the peripheral region of the FeRAM cell array, comprises at least a sense amplifier circuit and a decoder circuit, and a logic part 42 which performs a prescribed calculation and input/output processings, in cooperation with the FeRAM cell array and cell operation circuit part.例文帳に追加

本混載ＬＳＩ４０は、ＦｅＲＡＭセルアレイ４４と、ＦｅＲＡＭセルアレイの周辺領域に設けられ、少なくともセンスアンプ回路及びデコーダ回路を備えたセル動作回路部４５と、ＦｅＲＡＭセルアレイ及びセル動作回路部と協動して所定の演算処理及び入出力処理を行うロジック部４２とを混載した、混載ＬＳＩ半導体装置である。 - 特許庁

To realize low consumption power and high speed operation by suitably controlling operation mode of a basic logic cell circuit of a field programmable gate array in accordance with operating condition of each of the basic logic cell circuits at the time of constituting a logic device.例文帳に追加

フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイの基本論理セル回路の動作モードを、論理装置を構成した場合のそれぞれの基本論理セル回路の動作状態に対応して適切に制御し、低消費電力化と動作の高速化を行うことが可能な高速低消費電力論理装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an integrated programmable logic cell which realizes a programmable logic means, a programmable connecting means, and a memory means and has a simple constitution by arranging basic circuits in the form of a two-dimensional array.例文帳に追加

プログラマブル論理手段として機能するセルの入出力を確保するために必要となる、プログラマブル結線手段として機能するセルの必要量を、セルの回路量増加を抑えたままで削減する。 - 特許庁

A semiconductor memory array of floating gate memory cell is formed on a semiconductor basic body along with an interlaced strap region in that array and a peripheral region contiguous to that array and containing a related logic device.例文帳に追加

本発明は、半導体基体上に、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを、そのアレー内にインターレースされたストラップ領域、及びそのアレーに隣接し関連論理デバイスを収容するための周囲領域と共に形成する方法に係る。 - 特許庁

To provide a burn-in method and apparatus which can accelerate burn-in, not only in a memory cell array part but also even a peripheral circuit part or logic circuit part.例文帳に追加

メモリセルアレイ部のみならず、周辺回路部やロジック回路部においてもバーンインの加速化を図ることが可能なバーンイン方法及び装置を得る。 - 特許庁

The global decoder 71 comprises a first logic block 96 receiving an address specifying input 101 and outputting a signal for selecting individual column 12C of a memory cell of the SRAM array 99.例文帳に追加

グローバルデコーダ(71)は、アドレス指定入力(101)を受け取り、SRAMアレイ(99)のメモリセルの個々の列(12)を選択するための信号を出力する第1の論理ブロック(96)を含む。 - 特許庁

To provide a logic-FeRAM cell array mixed LSI semiconductor device which has satisfactory capacitor and transistor characteristics, while exhibiting an operation characteristics with high reliability.例文帳に追加

良好なキャパシタ特性及びトランジスタ特性を備え、信頼性の高い動作特性を示すロジック・ＦｅＲＡＭセルアレイ混載ＬＳＩ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a basic array and basic cell two-dimensional array for programmable logic LSI which can freely change the ratio between wiring resources and logical resources in accordance with the configuration of a realized circuit by correcting the weak point of programmable logic LSIs that the ratio between wiring resources and logical resources is fixed.例文帳に追加

物理的な論理資源と配線資源との比が固定していると、ある回路を実現したときには配線資源が余り（配線セルが使われない）、別の回路を実現したときには論理資源が余る（論理セルが使われない）という問題を解決する。 - 特許庁

A high-density twin MONOS memory device integrating a twin MONOS memory cell array and CMOS logic device circuit consists of two fabrication methods.例文帳に追加

本発明のツインＭＯＮＯＳメモリセルアレイおよびＣＭＯＳ論理素子回路を集積した高密度ツインＭＯＮＯＳメモリ素子は、２つの製造方法から構成される。 - 特許庁

The discriminating circuit 15 logic-synthesizing an output of the two bits comparator 14a and 14b, and outputs a signal WE/WN/RS controlling access for a memory cell array 11.例文帳に追加

判定回路１５は、２ビット比較器１４ａ及び１４ｂの出力を論理合成し、メモリセルアレイ１１へのアクセスを制御する信号ＷＥ／ＷＮ／ＲＳを出力する。 - 特許庁

The global decoder 71 comprises a second logic block 97 receiving an address specifying input 101 and outputting a signal selecting an individual row of the memory cell 13 included in the SRAM array 99.例文帳に追加

グローバルデコーダ(71)は、アドレス指定入力(101)を受け取り、SRAMアレイ(99)に含まれるメモリセル(13)の個々の行を選択する信号を出力する第2の論理ブロック(97)を含む。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which can easily satisfy both an optical property of a unit cell pixel array and an arithmetic property of a logic circuit.例文帳に追加

単位画素アレイ部の光学特性とロジック回路部の演算特性との両方を容易に満足させることのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The address selection part selects the received logic address or a spare block address received from the defective block mapping register part as a physical address and output it to the memory cell array part.例文帳に追加

アドレス選択部は、受信された論理的アドレス又は不良ブロックマッピングレジスター部から受信される予備ブロックアドレスを物理的アドレスとして選択してメモリセルアレイ部に出力する。 - 特許庁

A hydrogen barrier layer 80 covers a capacitor 56, formed at an FeRAM macro 41 comprising the FeRAM cell array and a cell operation circuit part, extending as far as to the boundary which separates the FeRAM macro and logic part.例文帳に追加

水素バリヤ層８０が、ＦｅＲＡＭセルアレイとセル動作回路部とからなるＦｅＲＡＭマクロ４１に形成されているキャパシタ５６を覆って、ＦｅＲＡＭマクロとロジック部とを相互に分離する境界まで延在している。 - 特許庁

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第２のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第２のメモリセルを第２の参照セルとして第２のセルアレイから選定する。 - 特許庁

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第１のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第１のメモリセルを第１の参照セルとして第１のセルアレイから選定する。 - 特許庁

A device for storing data has an automatic data confirming circuit which is connected to a page buffer and a bit line, also the circuit is provided with a confirmation logic comprising a sense latch connected to a floating gate cell in a bit latch and a memory array, and reads memory data from the cell.例文帳に追加

データ記憶用装置は、自動データ確認回路を有し、この回路はページバッファとビットラインに接続されていて、また、ビットラッチとメモリアレイ内のフローテングゲートセルとに接続されたセンスラッチを含む確認論理があって、該セルからメモリデータを読取る。 - 特許庁

In the memory system, the semiconductor memory has a field programmable part FP in which logic for converting into each other an external signal input/output for the memory system and an internal signal input/output for a memory cell array is programmed.例文帳に追加

半導体メモリは、メモリシステムに入出力される外部信号とメモリセルアレイに入出力される内部信号とを相互に変換するための論理がプログラムされるフィールドプログラマブル部を有する。 - 特許庁

While others have focused on interface technology and speeding up data transfer to and from the logic IC that controls the DRAM, FCRAM has a changed memory cell array. 例文帳に追加

他の陣営は, DRAMを制御するロジックICとのインタフェース技術に焦点を合わせ, ロジックICとの間のデータ転送を高速化することを中心としてきたのに対し, FCRAM(高速サイクルRAM)はメモリセルアレイを変更したのである. - コンピューター用語辞典

The image processing unit 1 includes at least one cell substrate 11 which has on a circuit board a microprocessor, a logic array, a memory device, a connection means for connecting them, and at least one external connection terminal for inputting/outputting an external signal, and has software built in the microprocessor and the logic array determine a processing content of data.例文帳に追加

画像処理ユニット１は、配線基板の上にマイクロプロセッサ、ロジックアレイ、メモリ装置及びこれらを接続する接続手段と外部信号入出力のための少なくとも１つの外部接続端子とを有し、前記マイクロプロセッサ及び前記ロジックアレイに組み込まれるソフトウェアによりデータの処理内容が決定される少なくとも１つのセル基板１１を具備する。 - 特許庁

SRAM ARRAY, SRAM CELL, MICROPROCESSOR, METHOD, AND SRAM MEMORY (SRAM MEMORY AND MICROPROCESSOR COMPRISING LOGIC PORTION REALIZED ON HIGH-PERFORMANCE SILICON SUBSTRATE AND SRAM ARRAY PORTION, INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING LINKED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM)例文帳に追加

ＳＲＡＭアレイ、ＳＲＡＭセル、マイクロプロセッサ、方法、ＳＲＡＭメモリ（高性能シリコン基板に実現された論理部分と、連結されたボディを有する電界効果トランジスタを含むＳＲＡＭアレイ部分とを備えるＳＲＡＭメモリおよびマイクロプロセッサ、およびそれらの製造方法） - 特許庁

The logic circuit is formed of standard cells constituting the standard cell region SC, and the switching transistor of an MTCMOS which controls the power supply and leak route interruption of an adjacent logic circuit is formed of the basic cells of gate arrays constituting each gate array region GA.例文帳に追加

スタンダードセル領域ＳＣを構成するスタンダードセルにより論理回路が形成され、各ゲートアレイ領域ＧＡを構成するゲートアレイのベーシックセルにより、近接する論理回路部の電源供給とリーク経路遮断を制御するＭＴＣＭＯＳのスイッチトランジスタが形成されている。 - 特許庁

Upper 2 or 3 metal levels and related vias are mask- programmable, and an interconnection from a mask-programmable upper level to the lower standard cell logic is carried out by using a normal array-like conductor via scattered in the entire standard cell array and a rising output terminal producing a loop structure completed with a program level.例文帳に追加

上位２または３金属レベル及び関連するバイアはマスクプログラム可能であり、マスクプログラム可能上位レベルからその下の標準セル論理への相互接続は、標準セルアレイ全体に散在する通常のアレイ状コンダクタバイア及びプログラムレベルによって完成するループ構造を生成する上昇した出力端子を使用して行われる。 - 特許庁

In the reconfiguration of this gate array, an optical memory 3 is arranged on the chip and this optical memory 3 is irradiated with light, and by simultaneously irradiating each of the light receiving elements with optical signals depending on programs, the logic cell is reconfigured.例文帳に追加

このゲートアレイを再構成するに際し、チップ上に光メモリ３を配置し、この光メモリ３に光を照射して、受光素子のそれぞれにプログラムに応じた光信号を同時に照射することにより、ロジックセルを再構成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device comprises a first MOS transistor included in a memory cell array part and a second MOS transistor included in a constant-voltage logic circuit unit situated next to the first MOS transistor on an SOI substrate 1.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ＳＯＩ基板１上に、メモリセルアレイ部に属する第１のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタに隣接し、定電圧ロジック回路部に属する第２のＭＯＳトランジスタとを備える。 - 特許庁

Control logic parts 34 and 35 are created within a range indicated by a dashed line at both the outsides of the circuit cell array, thus reducing the length of each electrode wiring.例文帳に追加

ドライバ回路部７に対し給電すべき電源電圧Ｖ_H 〜Ｖ_5 の電源配線３６〜４０は内側領域の出力電極８_1 〜８_N の周りに１巡回した閉ループ接続であり、互いにクロスしないので配線インピーダンスの均一化による表示コントラストのむらを抑制できる。 - 特許庁

A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ部の第１のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第２のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁

In this method and device for reducing the average access time to the nonvolatile memory in the read-out phase, the read-out phase is generated from a matrix array 2 in a memory cell having a related logic for recognizing an access address to the memory both in a page mode and a burst mode.例文帳に追加

本発明は、読出しフェーズにおける不揮発性メモリの平均アクセス時間を減少させるための方法と装置に関し、ページ・モードまたはバースト・モードのどちらにおいても、メモリへのアクセス・アドレスを認識するためのロジックが関連付けされたメモリ・セルのマトリックス・アレイ２から、読出しフェーズが発生するものである。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device for programming memory cells which have a first or a second logic status, and for deleting them in sector units in accordance with input data having a plurality of bit information, the memory cell transistors of cell array block and transistors of column decoder block have a plurality of sectors which are formed by sharing a bulk area, to provide a sector structure formed of the shared bulk.例文帳に追加

第１または第２論理状態を有するメモリセルを、複数のビット情報を有する入力データに応じてプログラムしセクタ単位に消去する不揮発性半導体メモリ装置において、セルアレイブロックのメモリセルトランジスタとコラムデコーダーブロックのトランジスタが一つのバルク領域を共有して形成されたセクタを複数有し、共有バルクで形成されたセクタ構造を有する半導体メモリ装置とした。 - 特許庁

In an ASIC chip 1 with a built-in DRAM including a large-scale logic circuit 7, or the like, an entire DRAM macro 2 including not only a cell array part 6 of the DRAM but also an internal power supply circuit 4 is formed in a well 5 such as a Deep N well, and power is supplied to the DRAM macro 2 from the internal power supply circuit 4.例文帳に追加

大規模なロジック回路７を含むＤＲＡＭ内蔵ＡＳＩＣチップ１等において、ＤＲＡＭのセルアレイ部６のみならず内部電源供給回路４を含めたＤＲＡＭマクロ２全体をＤｅｅｐ Ｎウェル等のウェル５内に形成し、このＤＲＡＭマクロの電源供給を前記内部電源供給回路から行うものである。 - 特許庁