「memory cell array」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

A VPP generating circuit 100 included in a semiconductor integrated circuit comprises a VPP dividing circuit 10 dividing boosting voltage VPP, a VDDA dividing circuit 11 dividing array voltage supplied to a memory cell array region, a VREFD generating circuit 12 generating reference voltage VREFD based on an output of the VDDA dividing circuit 11, and a comparator section 13 comparing reference voltage VREFD with voltage VPPn outputted by the VPP dividing circuit 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路に含まれるＶＰＰ発生回路１００は、昇圧電圧ＶＰＰを分割するＶＰＰ分割回路１０、メモリセルアレイ領域に供給するアレイ電圧を分割するＶＤＤＡ分割回路１１、ＶＤＤＡ分割回路１１の出力に基づき基準電圧ＶＲＥＦＤを発生するＶＲＥＦＤ発生回路１２、および基準電圧ＶＲＥＦＤとＶＰＰ分割回路１０の出力する電圧ＶＰＰｎとを比較するコンパレータ部１３とを含む。 - 特許庁

The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁

Concerning the semiconductor integrated circuit having a memory cell array 1, plural word lines 2, plural bit lines 8, a selector circuit 3 and plural sense amplifiers 4, this circuit is provided with plural sense amplifier enable signal lines 5 respectively individually connected to the plural sense amplifiers and a sense amplifier activate signal generating circuit 6 for independently outputting a sense-amplifier-enable signal at arbitrary timing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１と、複数のワード線２と、複数のビット線８と、セレクタ回路３と、複数のセンスアンプ４とを有する半導体集積回路において、複数のセンスアンプのそれぞれに個別に接続される複数のセンスアンプイネーブル信号線５と、複数のセンスアンプイネーブル信号線５に接続されて、独立的に任意のタイミングでセンスアンプイネーブル信号を出力するセンスアンプ活性化信号発生回路６とを備える。 - 特許庁