| 意味 | 例文 |
memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14053件
To provide a method and structure for programming for a non-volatile memory which is improved in the programming efficiency.例文帳に追加
プログラミング効率を向上させた非揮発性メモリのためのプログラミングの方法及び構造を提供する。 - 特許庁
NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WRITING AND READING MULTI-BIT DATA USING THE DEVICE例文帳に追加
不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの書込み及び読出し方法 - 特許庁
SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
IC MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THAT ARE CONFIGURED TO OUTPUT DATA BIT AT LOW TRANSFER RATE IN TEST MODE OF OPERATION例文帳に追加
テストモードにおいて低い転送速度でデータビットを出力するICメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC THIN FILM MEMORY USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ - 特許庁
To provide a magnetic random access memory providing the high integration of a cell, and its writing method.例文帳に追加
セルの高集積化を図ることが可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory and its read-out method capable of performing stable read-out operation.例文帳に追加
安定した読み出し動作を遂行する半導体メモリ装置及びそれの読み出し方法を提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus and associated method for a non-volatile memory cell with a phonon-blocking insulating layer.例文帳に追加
フォノンブロック絶縁層を有する不揮発性メモリセルのための装置および関連の方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and its manufacturing method by which more defective cells are repaired.例文帳に追加
より多くの欠陥セルを救済可能にした半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
According to this method, not only the size of the buffer frame memory, but also the amount of computation required for decoding the video block can be reduced.例文帳に追加
本発明はバッファフレームメモリサイズのみならずビデオブロックの復号に係る計算量を減少する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY USING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびそれを用いた磁気ヘッドと磁気再生装置と磁気メモリ - 特許庁
A method for manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device comprises a step of forming a gate of the memory transistor on a first active region 4 of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の第1活性領域4上に、メモリトランジスタのゲートを形成する。 - 特許庁
DRIVE METHOD OF NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT PROVIDED WITH IT例文帳に追加
不揮発性メモリ素子の駆動方法、半導体記憶装置及びそれを備えてなる液晶表示装置 - 特許庁
DELIVERY DEVICE, MEMORY MANAGEMENT METHOD FOR THE DEVICE, PROGRAM EXECUTED IN THE DEVICE, AND COMPUTER SYSTEM例文帳に追加
吐出装置、この装置におけるメモリ管理方法、この装置で実行されるプログラム、およびコンピュータシステム - 特許庁
CONTROLLER FOR AUTOMATIC TRANSMISSION HAVING LOCKUP MECHANISM AND MEMORY MEDIUM STORING CONTROLLING METHOD THEREOF例文帳に追加
ロックアップ機構を備えた自動変速機の制御装置及びその制御方法を格納したメモリ媒体 - 特許庁
To provide a packet transfer device which does not require a large capacity of a buffer memory even for a long packet, and to provide a method thereof.例文帳に追加
長いパケットでも、バッファメモリ容量が小さくてすむパケット転送装置および方法を提供。 - 特許庁
To provide a EEPROM(electrically erasable programmable read only memory) device whose threshold voltage distribution is improved, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
しきい電圧の分布を改善するEEPROM素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of soft programming a non-volatile memory blocks includes erasing bits and identifying bits that have been over-erased by the erasing.例文帳に追加
方法は、ビットを消去し、消去によって過消去されたビットを識別するステップを含む。 - 特許庁
BURN-IN BOARD, BURN-IN TESTER, BURN-IN TEST METHOD AND MEMORY MEDIUM HAVING STORED BURN-IN TEST PROGRAM THEREON例文帳に追加
バーンインボード、バーンイン試験装置、バーンイン試験方法、及び、バーンイン試験プログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of raising a quality of a tunnel oxide film.例文帳に追加
トンネル酸化膜のクォリティーを向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory device recharging pumping voltage and its pumping voltage recharging method.例文帳に追加
ポンピング電圧を再充電するフラッシュメモリ装置及びそのポンピング電圧再充電方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory manufacturing method capable of suppressing the deterioration of an off-characteristic and withstand voltage.例文帳に追加
オフ特性及び耐圧の劣化を抑制可能となる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device whose chip size can be reduced, and also to provide a method of writing data therein.例文帳に追加
チップサイズを低減できる半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory device and a manufacturing method thereof which has an excellent electric characteristic and a higher performance than conventional ones.例文帳に追加
電気的特性に優れた、より高性能な強誘電体メモリ装置及びその製造方法。 - 特許庁
To provide a flash memory device and its program method by which program disturbance can be decreased.例文帳に追加
プログラムディスターブを減少させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
A method detecting a resistive state of selected resistive memory cells 175 using this circuit is also disclosed.例文帳に追加
この回路を用いて選択された抵抗性メモリセル(175)の抵抗状態を検出する方法も開示される。 - 特許庁
To provide a computer system controlling an unused memory clock signal to be interrupted and its method.例文帳に追加
未使用のメモリクロック信号を遮断できるように制御するコンピューターシステム及びその方法を提供する。 - 特許庁
DIRECT MEMORY ACCESS TRANSFER CONTROL DEVICE, SYSTEM USING IT, AND DEBUG SUPPORT METHOD AND SYSTEM THEREFOR例文帳に追加
ダイレクトメモリアクセス転送制御装置及びそれを利用したシステム、並びにそのデバッグ支援方法及びシステム - 特許庁
METHOD AND APPARATUS TO CHANGE OPERATING FREQUENCY OF SYSTEM CORE LOGIC TO MAXIMIZE SYSTEM MEMORY BANDWIDTH例文帳に追加
システム・コア・ロジックの動作周波数を変更してシステム・メモリ帯域幅を最大にする方法および装置 - 特許庁
IMAGE PROCESSOR, IMAGE PROCESSING METHOD AND MEMORY MEDIUM STORING COMPUTER READABLE PROGRAM例文帳に追加
画像処理装置および画像処理方法およびコンピュータが読み出し可能なプログラムを格納した記憶媒体 - 特許庁
To provide a semiconductor device, its manufacturing method, a memory system and an electronic apparatus in which the manufacturing yield is enhanced.例文帳に追加
歩留まりが向上した半導体装置、その製造方法、メモリシステムおよび電子機器を提供する。 - 特許庁
This system and method are for logically partitioning shared memory structure between computer domains.例文帳に追加
本発明はコンピュータドメイン間での共有メモリ構成を論理的に区分けするシステム及び方法である。 - 特許庁
To provide a buffer circuit with high efficiency of using a memory for a buffer, and to provide a buffer circuit control method.例文帳に追加
バッファ用メモリの利用効率が高いバッファ回路及びバッファ回路制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory having high operation reliability and to provide a method for driving the same.例文帳に追加
動作の信頼性が高い不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device whose retention characteristic is improved, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
リテンション特性を改善させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device for improving security of writing data, and to provide its data writing method.例文帳に追加
データ書込み動作における安全性を向上させる半導体メモリ装置及びそのデータ書込み方法。 - 特許庁
To provide a memory cell that is extremely compact, while avoiding an increase of complexity in a manufacturing method thereof.例文帳に追加
製造方法の複雑さが増加することを避けつつ、非常にコンパクトであるメモリセルを提供する。 - 特許庁
SINGLE C-AXIS PGO THIN FILM ON ZrO2 FOR NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
不揮発性メモリ用途のためのZrO2上の単一c軸PGO薄膜およびその製造方法 - 特許庁
To provide a system and a method for attaining high-level cache memory management in asynchronous I/O cache.例文帳に追加
非同期I/Oキャッシュにおいて、高度なキャッシュ・メモリ管理を実現するシステム及び方法を提供する。 - 特許庁
GAME INFORMATION PROVIDING METHOD, GAME INFORMATION PROVIDING INFORMATION, INFORMATION MEMORY MEDIUM, AND GAME INFORMATION PROVIDING SERVER例文帳に追加
ゲーム情報提供方法、ゲーム情報提供情報、情報記憶媒体、およびゲーム情報提供サーバ - 特許庁
To provide a flash memory having a local SONOS structure that utilizes a notch gate, and its manufacturing method.例文帳に追加
ノッチゲートを利用したローカルSONOS構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor device for suppressing fluctuation in micro-processing of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの微細加工のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
TIMING VERIFYING METHOD FOR RANDOM ACCESS MEMORY PART WITH BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND LOGICAL SIMULATION DEVICE FOR VERIFICATION例文帳に追加
半導体装置内蔵ランダムアクセスメモリ部のタイミング検証方法および検証用論理シミュレーション装置 - 特許庁
To provide a method and a device for selecting proper timing for sending a write command to a memory.例文帳に追加
書き込みコマンドをメモリーに送る適切なタイミングを選ぶための方法および装置を提供すること。 - 特許庁
DEVICE LIFE WARNING GENERATION SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE MOUNTED WITH FLASH MEMORY, AND METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
フラッシュメモリを搭載した半導体記憶装置における装置寿命警告発生システムとその方法 - 特許庁
MEMORY DEVICE EMPLOYING OPEN BIT LINE CELL ARCHITECTURE FOR PROVIDING IDENTICAL DATA TOPOLOGY ON REPAIR, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
リペアーの際同一のデータトポロジーを有するオープンビットラインセル構造のメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE WITH BLOCK ERASING TYPE NON-VOLATILE MEMORY MOUNTED THEREON AND ITS DATA WRITING/READING METHOD例文帳に追加
ブロック消去型不揮発メモリを搭載した半導体記憶装置とそのデータの書込み・読出し方法 - 特許庁
MAGNETIC FILM, MULTILAYERED MAGNETIC FILM, METHOD AND MECHANISM FOR INVERTING MAGNETIZATION OF MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁性膜及び多層磁性膜、磁性膜の磁化反転方法及び磁化反転機構、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
To provide a method of writing data to a semiconductor memory device permitting improvement in reliability of data.例文帳に追加
データの信頼性向上を可能とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁
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