「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR OPERATION OF ELECTRICALLY WRITABLE AND ERASABLE MEMORY CELL AND STORAGE DEVICE FOR ELECTRICAL MEMORY例文帳に追加

電気的に書き込みおよび消去が可能なメモリセルの動作方法および電気的なメモリのための記憶装置 - 特許庁

In the data transfer device including an external memory 150, the external memory 150 is controlled as the FIFO buffer.例文帳に追加

外付けメモリ１５０を含むデータ転送装置であって、外付けメモリ１５０をＦＩＦＯバッファとしてコントロールする。 - 特許庁

The memory 25 can also store information regarding the charging device and is a nonvolatile memory, such as E2PROM.例文帳に追加

メモリは充電装置についての情報も記憶でき、メモリはＥ^2 ＰＲＯＭのような不揮発性メモリである。 - 特許庁

The audio device 10 closes the music file of the USB memory 20 by using the guide period after the USB memory is unlocked (S67).例文帳に追加

オーディオ装置１０は、アンロック後の案内期間を利用して、ＵＳＢメモリ２０の音楽ファイルを閉じる（Ｓ６７）。 - 特許庁

To provide a memory device provided with a floating body transistor capacitor-less memory cell and its operating method.例文帳に追加

フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリ装置及びその装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device excelling in characteristics of a memory transistor, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

メモリトランジスタの特性が良好な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which restrains the area increase rate of a memory cell array and on which an ECC circuit is mounted.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積増加率を抑えてＥＣＣ回路を搭載した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, PHASE CHANGE MEMORY IC, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

相変化メモリ素子、相変化メモリＩＣ、相変化メモリ素子の製造方法および相変化メモリＩＣの製造方法 - 特許庁

To provide a memory access device for realizing high-transfer efficiency by concealing the overhead in memory access.例文帳に追加

メモリアクセスにおけるオーバーヘッドを隠蔽した高転送効率を実現するメモリアクセス装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a memory test device which can perform a memory test and write of user data provided by a user.例文帳に追加

メモリ検査とユーザーから提供されたユーザデータの書込みを行うことができるメモリ検査装置を提供する。 - 特許庁

To execute an erasure operation to a plurality of all nonvolatile memory circuits only by the same erasure operation as that of a semiconductor memory device with a single nonvolatile memory circuit mounted in a semiconductor memory device with a plurality of nonvolatile memory circuit mounted on one chip.例文帳に追加

１チップに複数の不揮発性メモリ回路を搭載した半導体記憶装置にて、単一の不揮発性メモリ回路を搭載した場合と同じ消去操作だけで複数の不揮発性メモリ回路すべてに対する消去動作を実行できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having first and second memory architectures with different structures as memory architectures being able to constitute and in which either of the first and the second memory architectures can be selected by option processing, and a memory system utilizing the device.例文帳に追加

構成可能なメモリアーキテクチャとして、相異なる構造の第１及び第２メモリアーキテクチャを含み、オプション処理により第１及び第２メモリアーキテクチャのうち何れか一つが選択できる半導体メモリ装置及びこれを利用したメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To easily restart a work even if an external memory device is removed during the execution of data writing/reading between the external memory device and a sewing machine body in a sewing machine connected to the external memory device and operated on the basis of a data stored in the external memory device.例文帳に追加

外部記憶装置に接続され、外部記憶装置内に格納されたデータをもとに動作するミシンにおいて、外部記憶装置とミシン本体との間でデータの書き込み／読み出しが実行中に外部記憶装置が取り外されても、容易に作業を再開できるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device as a batch processing laminated layer OTP (one-time programmable) memory which stably operates with use of a high ON/ON ratio diode, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

高オン／オン比のダイオードを用い安定して動作する一括加工型積層ＯＴＰメモリの不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The CPU 101 acquires information inside the USB memory when the USB memory is connected, and analyzes a device information file when the device information file is present inside the USB memory.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１は、ＵＳＢメモリが接続された場合、ＵＳＢメモリ内の情報を取得し、機器情報ファイルがＵＳＢメモリ内に存在する場合、機器情報ファイルの解析を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory device which is manufactured by forming a vanadium dioxide thin film, and to provide a memory device such as a resistance change type nonvolatile memory manufactured by it.例文帳に追加

二酸化バナジウム薄膜を形成して製造されるメモリー素子製造方法およびそれによって製造された抵抗変化型不揮発性メモリーなどのメモリー素子を提供する。 - 特許庁

To provide a storage device and a storage control device capable of efficiently allocating memory pools of an information storage area within a limited memory capacity of a memory unit in a short period.例文帳に追加

メモリユニットの限られたメモリ容量の中で、情報記憶域のメモリプールを短時間で効率的に配置することを可能にするストレージ装置及びストレージ制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile memory system, having a means for preventing erroneous reading of the nonvolatile semiconductor memory device using a multi-value recording system.例文帳に追加

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置の誤読み出しを抑制する手段を備える不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性メモリシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can output data at high speed and with gapless by reducing a time tRC and to provide an accessing method for memory cells of a semiconductor memory device.例文帳に追加

時間ｔＲＣを減らして高速動作とギャップレスでデータを出力することができる半導体メモリ装置の提供並びに、半導体メモリ装置のメモリセルアクセス方法の提供。 - 特許庁

Here, the lower level control verification device 51 simulates the lower level control device for controlling the equipment including a shared memory, and also includes the simulated shared memory 63 for simulating the shared memory.例文帳に追加

ここで、下位系制御検証装置５１は、共有メモリを含み機器の制御を行う下位系制御装置を模擬し、共有メモリを模擬する模擬共有メモリ６３を含む。 - 特許庁

To provide a memory managing device, which is suitable for a data processing method for a dynamically managed memory and easily detects and avoids a memory leak, for a packet exchanger, a router device or the like.例文帳に追加

パケット交換装置やルータ装置などにおいて、動的に管理されるメモリのデータ処理方法に適した、簡易なメモリリークの検出と回避を行うメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for avoiding the generation of a leakage by miniaturizing contacts concerning an SRAM having six transistors in one memory cell, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor memory device.例文帳に追加

１メモリセルが６トランジスタを有するＳＲＡＭにおいて、コンタクトの微細化をするとリークの発生を回避できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory cell of a redundant area, the memory device increasing redundancy efficiency as compared with the conventional technology.例文帳に追加

冗長領域のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、従来技術に比較して冗長効率を上げることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory structure determination support device includes: a storage device storing a memory structure determination support program, and a central processing unit for executing the memory structure determination support program.例文帳に追加

メモリ構造決定支援装置は、メモリ構造決定支援プログラムが格納される記憶装置と、上記メモリ構造決定支援プログラムを実行可能な中央処理装置とを含む。 - 特許庁

To provide a multi-port semiconductor memory device having reduced bit line voltage offsets and a memory cell arranging method for reducing the bit line voltage offsets in the multi-port semiconductor memory device.例文帳に追加

減少したビットライン電圧オフセットを有するマルチポート半導体メモリ装置、及びマルチポート半導体メモリ装置にてビットライン電圧オフセットを減少させるためのメモリセル配置法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile memory system which have a means for reducing writing errors in a nonvolatile semiconductor memory device of a multi-value storage method.例文帳に追加

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置の誤書き込みを低減する手段を備える不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性メモリシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a memory device capable of reducing a threshold voltage distribution of a selection transistor having a charge storage layer, especially a NAND flash memory device and its programming method, and a memory system using the same.例文帳に追加

電荷格納層を有する選択トランジスタのしきい電圧分布を減らすメモリ装置、特にＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法とこれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a manufacturing method of the nonvolatile semiconductor memory device, easily improving an allocation density of the nonvolatile memory cells containing a resistance change element.例文帳に追加

抵抗変化素子を含む不揮発性メモリセルの配置密度を容易に向上できる不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a ferroelectric memory device in reliability, wherein the ferroelectric memory device is provided with a ferroelectric capacitor equipped with a ferroelectric film interposed between a lower electrode and an upper electrode and arranged in memory cells.例文帳に追加

下部電極と上部電極との間に強誘電体膜を介在させた強誘電体キャパシタをメモリセルに配置した強誘電体メモリ装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The memory hub device further includes a performance monitor for monitoring and reporting one or more of memory bus utilization, memory device utilization, and performance characteristics over defined intervals during system operation.例文帳に追加

メモリ・ハブ・デバイスは、システム動作中の規定時間間隔に亘って、メモリ・バスの利用、メモリ・デバイスの利用、およびパフォーマンス特性の１つ以上をモニタし報告するためのパフォーマンス・モニタをさらに含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current.例文帳に追加

基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

The memory inspection device generates a plurality of groups of inspection data for inspecting the same memory 10 to be inspected by a plurality of times to store them in a memory 20a.例文帳に追加

メモリ検査装置は、同一の被検査メモリ１０を複数回検査するための複数組の検査用データを生成してメモリ２０ａに記憶する。 - 特許庁

When the device is switched from normal display to memory driving, binarized data for image display during a memory driving period are stored in the pixel memory circuit 58.例文帳に追加

通常表示からメモリ駆動に切り替える際に、画素メモリ回路５８にメモリ駆動期間中の画像表示のための２値化されたデータを格納する。 - 特許庁

This memory controller emulator (106) for controlling a memory device (112) in a memory system (100) is provided with a counter (304) for generating a plurality of address values.例文帳に追加

メモリシステム(100)内のメモリデバイス(112)を制御するためのメモリコントローラエミュレータ(106)であって、該エミュレータは、複数のアドレス値を生成するためのカウンタ(304)を備える。 - 特許庁

To improve reliability for data holding of a nonvolatile memory even without reading stored information from the nonvolatile memory of a memory card by a host device.例文帳に追加

ホスト装置がメモリカードの不揮発性メモリから記憶情報を読み出さなくても不揮発性メモリのデータ保持に対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

The memory error correcting device is equipped with a memory module, a redundant memory module 11, an error correction code generator 12, and an exclusive OR computing element 13.例文帳に追加

メモリ誤り訂正装置は、メモリモジュール１２０と、冗長メモリモジュール１１と、誤り訂正コード発生器１２と、排他的論理和演算子１３とを備えている。 - 特許庁

In a first step, a memory input signal when defective memory operation is caused in an actual device test of a semiconductor memory in a state mounted on a system is extracted.例文帳に追加

第１ステップでは、システムに搭載された状態での半導体メモリの実機テストでのメモリ動作不良発生時のメモリ入力信号を抽出する。 - 特許庁

To improve reliability in data holding of a nonvolatile memory of a memory card without reading stored information out of the nonvolatile memory by a host device.例文帳に追加

ホスト装置がメモリカードの不揮発性メモリから記憶情報を読み出さなくても不揮発性メモリのデータ保持に対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device where conditions are identical between adjacent memory cells to obtain identical operation characteristics for all memory cells.例文帳に追加

すべてのメモリセルに対して同一な動作特性を有するために、隣接メモリセルの条件を同一にする不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To improve reliability by prolonging a life of a memory device to a life in many memory cells rather than that in a relatively small number of memory cells.例文帳に追加

メモリ装置の寿命を、比較的少数のメモリセルにおける寿命よりも、大多数のメモリセルにおける寿命まで延ばし信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein an area of an interconnection extracting portion connected to a memory cell can be made small and a memory capacity can be increased.例文帳に追加

メモリセルに接続された配線の引き出し部の領域を小さくでき記憶容量の大容量化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The file reproduction device includes a memory fiber 30 for temporarily storing data, a memory controller 20 for controlling the memory buffer 30, and the plurality of output parts 41, 42, and 43.例文帳に追加

データを一時的に蓄積するメモリバッファ３０と、メモリバッファ３０を制御するメモリコントローラ２０と、複数の出力部４１，４２，４３とを有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which reduces the interference between memory cells due to microfabrication, and is easily controllable of the capacitive coupling ratio between memory cells.例文帳に追加

微細化によるメモリセル間の干渉を低減し、かつ、メモリセル間の容量結合比を容易に制御可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory management device and a memory management method that can control a writing operation by managing a memory in every predetermined storage unit larger than a writing unit.例文帳に追加

書込み単位よりも大きい所定の記憶単位毎にメモリを管理し、書込み動作を制御可能なメモリ管理装置およびメモリ管理手法を提供する。 - 特許庁

To provide a read/write device for a semiconductor memory card for preventing static electricity from being discharged to a semiconductor memory card at a mounting position of the semiconductor memory card.例文帳に追加

半導体メモリーカードの実装位置において、半導体メモリーカードへの静電気の放電を阻止する半導体メモリーカード読み書き装置を提供する。 - 特許庁