memory-deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24671件
To provide a memory-device testing apparatus by which a fail signal is transferred at high speed to a memory defect relief analysis part from a defect analysis memory part.例文帳に追加
不良解析メモリ部100からメモリ不良救済解析部200に、フェイル信号を高速で転送するメモリデバイス試験装置を提供する。 - 特許庁
To provide a memory control device and a memory control program, which can cope with writing of abnormal data to a memory as compared with a case without this configuration.例文帳に追加
本構成を有さない場合に比べ、メモリに対する異常データの書込みに対処することができるメモリ制御装置及びメモリ制御プログラムを提供する。 - 特許庁
As a result of this, the memory control device 100 rejects the bit of the memory 200 to be tested, when the memory does not pass the test at the second determination level.例文帳に追加
この結果、メモリ制御装置100は、第二判定レベルでの試験をパスしなかった場合には、試験対象のメモリ200のビットをリジェクトする。 - 特許庁
To provide a memory array circuit which corresponds to a nonvolatile memory device for storing two-bit data in one memory cell, and can perform high speed reading operation.例文帳に追加
1メモリセルで2ビットのデータを記憶する不揮発性のメモリ素子に対応し、かつ高速な読み出し動作が可能なメモリアレイ回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device in which a memory block having a desired memory space is constituted and in which memory access can be easily realized.例文帳に追加
所望のメモリ空間を有するメモリブロックが構成されており、かつ、メモリアクセスが簡易に実現できる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and a device which improve the throughput of a memory access request in a data processing system regardless of memory access time and memory bandwidth.例文帳に追加
メモリ・アクセス時間およびメモリバンド幅とは無関係に、データ処理システム内のメモリ・アクセス要求のスループットを向上させる方法および装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory device in which test data written are into all memory cells at high speed with write conditions being uniform for all of the memory cells to perform a test.例文帳に追加
全メモリセルに均等な書き込み条件でテストデータを高速に書き込んで試験を行うことを可能とした強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
The image forming device is composed so that printing of the data in the external memory is allowed after loading the data in the set external memory and sensing the extraction of the external memory.例文帳に追加
セットされた外部メモリのデータを取り込み、外部メモリが抜かれたことを検知した上で、該外部メモリのデータのプリントを許可するよう構成する。 - 特許庁
Moreover, a CPU of the memory unit 1 allows the display device 1a to display the consumed capacity of the memory unit when a power supply provided to the inside of the memory unit 1 is active.例文帳に追加
また、メモリユニット1のCPUは内部に備えた電源がONの状態において、メモリの使用量を表示器1aに表示させる。 - 特許庁
The memory modules 40, 50, 60 and 70 are provided with connector pins 41, 42, 51, 52, 61, 62, 71 and 72 on both sides in addition to a memory device and existed memory module connector pins 43, 53, 63 and 73.例文帳に追加
メモリモジュール40,50,60,70は、メモリ装置、既存のメモリモジュールコネクタピン43,53,63,73に加えて各両側にコネクタピン41,42,51,52,61,62,71,72を備える。 - 特許庁
To provide a memory control device and a memory access method in which power consumption can be reduced in the case of memory access when regularity exists in setting an address.例文帳に追加
アドレスの設定に規則性が有る場合に、メモリアクセス時の消費電力の低減を可能とするメモリ制御装置およびメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To provide an information memory device for a digital camera or the like capable of increasing the number of memory sheets without deleting the image data saved in a hard disk, memory card, etc.例文帳に追加
ハードディスク、メモリカード等に保存された画像データを削除すること無く記憶可能枚数を増やすことができるディジタルカメラ等の情報記憶装置。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device has a memory cell array including a plurality of memory cells constituted of diodes and resistance-change elements arranged in rows and columns.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、ダイオードと抵抗変化素子により構成された複数のメモリセルが行及び列に配置されたメモリセルアレイを有している。 - 特許庁
To accurately hold storage contents of a memory even when a power supply voltage drops, in a memory control device controlling the memory having a self-refresh function.例文帳に追加
セルフリフレッシュ機能を有するメモリを制御するメモリ制御装置において、電源電圧が低下した場合でも、メモリの記憶内容を正確に保持すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can suppress variations in the threshold voltages of memory cells caused depending on a distance from a row decoder to a memory cell.例文帳に追加
ロウデコーダからメモリセルまでの距離よって生じるメモリセルの閾値電圧のばらつきを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a memory cell array MA configured by arraying memory cells MC; word lines WL; bit lines BL, and a control circuit 3.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルMCを配列してなるメモリセルアレイMAと、ワード線WLと、ビット線BLと、制御回路3とを備える。 - 特許庁
To provide a memory compression managing device separating an application from memory compression in a low-order level and effectively increasing its physical memory size.例文帳に追加
下位レベルにあるメモリ圧縮からアプリケーションを分離しつつ、その物理的なメモリサイズを効果的に増加させるためのメモリ圧縮管理デバイスを提供する。 - 特許庁
To prevent data corruption of a flash memory when battery power is lowered while writing data in a non-volatile memory in an electronic device having the non-volatile memory.例文帳に追加
不揮発性メモリを有する電子装置において、不揮発性メモリにデータを書き込み中にバッテリが低下した場合に、フラッシュメモリのデータ破壊を防止する。 - 特許庁
To provide a memory device capable of simultaneously accepting a plurality of memory cards into an insertion part in a size equivalent to the size for one memory card.例文帳に追加
メモリカード1枚相当分の大きさの挿入口に対して複数枚のメモリカードを同時に装填することができるメモリ装置を提供すること。 - 特許庁
To realize a memory device which can read out information having high speed and high reliability, in some parts of a memory and having high information storage density, in other parts of the memory.例文帳に追加
メモリのある部分では高速で信頼性の高い情報読出しが可能であり、メモリの他の部分では情報記憶密度が高いメモリデバイスを実現する。 - 特許庁
To provide a configuration of a thin film magnetic memory device in which required information can be programmed efficiently by using a magnetic memory element similar to a normal memory cell.例文帳に追加
正規メモリセルと同様の磁性体記憶素子を用いて、必要な情報を効率的にプログラムできる薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁
The Mth memory resister of the memory device is address-assigned, and all the interconnected bits are written simultaneously in the Mth memory resistor in a single clock cycle.例文帳に追加
前記メモリ装置のM番目のメモリレジスタがアドレス指定され、すべての相互接続されたビットが、単一クロック周期内で同時にM番目のメモリレジスタへ書き込まれる。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device wherein enlargement of an area of a memory cell array is suppressed while reliability of a memory cell transistor is maintained.例文帳に追加
メモリセルトランジスタの信頼性を維持しつつ、メモリセルアレイの面積の増大を抑制することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a first memory 2, and the first memory 2 includes a memory cell, a word-line driving circuit, the sense amplifier SA and a voltage developing circuit 5.例文帳に追加
半導体装置は、第1のメモリ2を具備し、第1のメモリ2は、メモリセルと、ワード線駆動回路と、センスアンプSAと、電圧生成回路5とを備える。 - 特許庁
To reliably detect a resistance state of a magnetoresistive memory device in a resistive cross point memory cell array, without markedly reducing the memory cell density.例文帳に追加
メモリセル密度を著しく低下させることなしに、抵抗性クロスポイントメモリセルアレイ内の磁気抵抗メモリ素子の抵抗状態を確実に検出すること。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加
半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁
To secure stability of refresh-operation in a semiconductor memory device provided with a memory cell array including a plurality of memory cells arranged in a matrix state.例文帳に追加
行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。 - 特許庁
The memory device can comprise an array of memory cells having N addressable sectors and control circuitry to control erase or write operations on the array of memory cells.例文帳に追加
メモリデバイスは、N個のアドレス指定可能なセクタを有するメモリセルアレイと、メモリセルアレイにおける消去または書き込み処理を制御する制御回路とを含む。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device reducing the writing and erasing voltages of a memory transistor without increasing the area of a memory cell.例文帳に追加
メモリセル面積を増加することなく、メモリトランジスタの書き込み電圧および消去電圧を低減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To reduce layout area of X system peripheral circuits and to reduce erasing disturbance of memory cells in a semiconductor memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加
フラッシュメモリなどの半導体記憶装置において、X系周辺回路のレイアウト面積を低減し、メモリセルの消去ディスターブを低減することである。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a memory array including memory cells (10, 10A-10H) arranged in rows and columns; and a sense amplifier circuit (26).例文帳に追加
本発明の半導体記憶装置は、行列に並べられたメモリセル(10、10A〜10H)を備えるメモリセルアレイと、センスアンプ回路(26)とを具備する。 - 特許庁
A nonvolatile semiconductor memory device 10 has a plurality of memory strings MS of a plurality of electrically-rewritable memory cells connected in series.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置10は、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリストリングスMSを有する。 - 特許庁
This laminate memory device includes two or more memory sections and an active circuit section formed between the memory sections, and equipped with a decoder.例文帳に追加
積層メモリ装置において、2つ以上のメモリ部と、メモリ部間に形成されたものであり、デコーダを有する能動回路部とを備える積層メモリ装置である。 - 特許庁
A memory card controller (130) controls a file allocation table (500) and file system structures of a memory card (120), in order to speed up data transfer to and from the memory card and a host device.例文帳に追加
メモリカードコントローラ(130)は、メモリカード(120)のファイルアロケーションテーブル(500)及びファイルシステム構造を制御して、メモリカードとホストデバイスとの間でのデータ転送を高速化する。 - 特許庁
To determine a memory causing a writing error as a defective product, and to improve the reliability of memory inspection in a memory inspection device.例文帳に追加
メモリ検査装置において、書込みエラーを生じるメモリを不良品として判定することができ、メモリ検査の信頼性を向上させることを可能にする。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which increase of chip area can be suppressed even if memory capacity of a memory part for setting initial operation and functions is increased.例文帳に追加
初期動作及び機能を設定するための記憶部のメモリ容量が増加しても、チップ面積の増大を抑制できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To acquire a structure that enables a multi-value memory of a memory element of an MTJ element, without impairing the degree of integration, in a semiconductor memory device.例文帳に追加
MTJ素子相当の記憶素子を有する半導体記憶装置において集積度を損ねることなく多値記憶可能にした構造を得る。 - 特許庁
To provide a virtual static random access memory device having a function for refreshing data of a memory cell by using a dynamic memory cell and its driving method.例文帳に追加
ダイナミック型メモリセルを使用し、メモリセルのデータをリフレッシュさせる機能を有する仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory card recording and reproducing device which mounts many memory cards, facilitates managing of the memory cards, is excellent in operability and is visually satisfactory.例文帳に追加
多数枚のメモリカードを装備し、メモリカードの管理が容易であり、操作性に優れ、視覚的にも良好なメモリカード記録再生装置を提供する。 - 特許庁
A computer system is composed of a CPU 10, the memory 30, a memory controller 40 for controlling this memory and having an ECC register part 42 and a DMA device 20.例文帳に追加
計算機システムは、CPU10と、メモリ30と、このメモリを制御しECCレジスタ部42を持つメモリコントローラ40と、DMA装置20とからなる。 - 特許庁
To provide a memory access analysis device and a memory access analysis program, for improving processing efficiency of memory access analysis processing, and reducing required time.例文帳に追加
メモリアクセス解析処理の処理効率を向上させ、且つ、所要時間を短縮するためのメモリアクセス解析装置及びメモリアクセス解析プログラムを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which can effectively use a cache memory, without being restrained by refresh operation, when sense amplifier columns are used as the cache memory.例文帳に追加
センスアンプ列をキャッシュメモリとして使用する場合、リフレッシュ動作に制約されることなくキャッシュメモリを有効活用し得る半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell transistor MTr configured to store data; and a resistor element RE provided around the memory cell transistor MTr.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、データを記憶するメモリセルトランジスタMTr、及びメモリセルトランジスタMTrの周辺に設けられた抵抗素子REを備える。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which a highly reliable stress test can be performed even after a defective memory cell is replaced by a spare memory cell.例文帳に追加
不良メモリセルをスペアメモリセルに置換した後においても信頼性の高いストレステストを行なうことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a memory cell 50 formed in an SOI layer, and the memory cell has a first transistor 10, which is a type of being partially depleted, and a second transistor 20.例文帳に追加
SOI層に形成されたメモリーセル50を備え、このメモリーセルは、部分空乏型の第1トランジスター10と、第2トランジスター20とを有する。 - 特許庁
The non-volatile semiconductor storage device comprises a memory cell 100 containing first and second MONOS memory cells, and a plurality of memory cell array regions.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、第1,第2のMONOSメモリセルを有するメモリセルを100、複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of selectively performing erase operation with respect to a specific memory string out of a plurality of memory strings.例文帳に追加
複数のメモリストリングのうち特定のメモリストリングに対して選択的に消去動作を実行可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a memory card loading device which can load plural kinds of memory cards and to load only one kind of memory card selectively.例文帳に追加
複数の種類のメモリーカードを装着することのできるメモリーカード装着装置であって、1種類のメモリーカードのみ選択的に装着できるようにする。 - 特許庁
The handheld wireless server includes a battery, a data processing circuit, a read/write memory, a wireless communication circuit and a memory introducing slot for housing an attachable/detachable memory device.例文帳に追加
携帯無線サーバーは、バッテリ、データ処理回路、読み/書きメモリ、無線通信回路および脱着可能な記憶装置を収容するメモリ挿入口を含む。 - 特許庁
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