「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

After write-in request command signal is inputted to a memory device 46 of a packet system, a test data signal is written in the memory device 46.例文帳に追加

書込み要求コマンド信号がパケット方式のメモリデバイス４６に入力された後、テストデータ信号がメモリデバイス４６に書き込まれる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE ORGANIC MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE ORGANIC MEMORY DEVICE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

不揮発性有機メモリ素子の製造方法およびこの不揮発性有機メモリ素子の製造方法により製造された不揮発性有機メモリ素子 - 特許庁

To provide an image pickup device and data transfer device capable of quick data transfer between a volatile memory and a non-volatile memory.例文帳に追加

揮発性メモリと不揮発性メモリとのデータの転送を迅速に行なうことができる撮像装置及びデータ転送装置を実現する。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING MEMORY ARRAY, AND METHOD FOR POWER GATING IN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE IN WHICH MEMORY WITH SENSE AMPLIFIER IS INCORPORATED例文帳に追加

メモリアレイを含む集積回路装置、およびセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法 - 特許庁

Electronic device memory contents can be updated by a data transfer device that is authenticated before being permitted access to the memory contents.例文帳に追加

電子装置メモリ内容を、そのメモリ内容にアクセスを許される前に認証されるデータ転送装置によって更新することができる。 - 特許庁

To provide a transistor-mounted resistor switching memory device such as a phase change random access memory (PCRAM), and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

相変化ランダムアクセスメモリ（「ＰＣＲＡＭ」）などの、トランジスタを備えた抵抗スイッチングメモリデバイス及びそのメモリデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high-speed storage device for a sector read command in a storage device using a non-volatile semiconductor memory such as a flush memory.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置において、セクタリード・コマンドに対し、高速な記憶装置を提供する。 - 特許庁

DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, IMAGE PROCESSOR, AND CONTROL METHOD AND CONTROL PROGRAM OF DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE例文帳に追加

ダイレクト・メモリ・アクセス制御装置、情報処理システム、画像処理装置、ダイレクト・メモリ・アクセス制御装置の制御方法、及び制御プログラム - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, WRITING METHOD THEREFOR, READING METHOD THEREFOR, AND RECORDING MEDIUM AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of more speeding up the error correction of data stored in the semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置内に記憶されているデータの誤り訂正をさらに高速化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device with memory cells, having different phase change materials, and to provide a method and system related to the device.例文帳に追加

互いに異なる相変化物質を有するメモリセルを備える相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステムを開示する。 - 特許庁

A manufacturing method of a memory device of a phase change material and a phase change memory device prepared by the method thereof are included.例文帳に追加

本発明は、相変化材料のメモリ装置を形成する方法、およびその方法によって作製される相変化メモリ装置を含む。 - 特許庁

To provide a memory control device, a memory control method and an image forming device capable of improving the application efficiency of page memories.例文帳に追加

ページメモリの利用効率を高めることが可能なメモリ制御装置及びメモリ制御方法並びに画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device capacitor which allows realization of a high integration semiconductor memory device, having proper fatigue characteristics, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

疲労特性がよく、高集積の半導体メモリ素子の実現が可能なメモリ素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Electronic device memory contents can be updated by a data transfer device that is authenticated before being permitted access to the memory contents.例文帳に追加

電子装置メモリ内容を、そのメモリ内容にアクセスを許される前に認証されるデータ転送装置によって更新することができる。 - 特許庁

The invention relates to a device for controlling the burst access to the synchronous dynamic semiconductor memory device having at least two memory banks.例文帳に追加

本発明は、少なくとも２個のメモリバンクを有する同期ダイナミック半導体メモリ装置へのバーストアクセスを制御する装置に関する。 - 特許庁

An extraction potion 5 transmits the data, which is not memorized by the memory device 7 among the data included in its table, to the memory device 7.例文帳に追加

抽出部５は、その一覧表に含まれるデータのうち記憶装置７が記憶していないデータを記憶装置７に送信する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which increment of an access time to the semiconductor memory device such as data reading can be prevented.例文帳に追加

データ読み出し等、半導体記憶装置に対するアクセス時間の増大を防ぐことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which ensures a sufficient punch-through margin, and has high reliability as a memory device.例文帳に追加

十分なパンチスルーマージンを確保すると共に、記憶装置としての信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A switching device is turned on when performing normal read of data of the memory array, and the switching device is turned off when performing test read of the data of the memory array.例文帳に追加

メモリアレイのデータの通常読み出し時にはスイッチ素子をオンし、メモリアレイのデータのテスト読み出し時にはスイッチ素子をオフする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device composed of multiple core chips and an interface chip, which can ensure compatibility with a conventional semiconductor memory device.例文帳に追加

複数のコアチップとインターフェースチップからなる半導体記憶装置において、従来の半導体記憶装置との互換性を確保する。 - 特許庁

EMBROIDERY MEMORY CARD, DATA STORING METHOD FOR THE MEMORY CARD, AND EMBROIDERY DATA PROCESSING DEVICE AND EMBROIDERY DEVICE CAPABLE OF DISPLAYING EMBROIDERY PATTERNS例文帳に追加

刺繍縫製用メモリカード、そのメモリカードへのデータ格納方法、刺繍模様表示可能な縫製データ処理装置及び刺繍縫製装置 - 特許庁

CONNECTION ELECTRODE SUITABLE FOR PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE PROVIDED WITH CONNECTION ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化材料に適した接続電極、該接続電極を備えた相変化メモリー素子、および該相変化メモリー素子の製造方法 - 特許庁

The semiconductor memory device MEM prohibits the disconnection operation when the temperature in the semiconductor memory device MEM is at a second temperature.例文帳に追加

半導体記憶装置ＭＥＭは、半導体記憶装置ＭＥＭ内の温度が第２の温度であるときに切り離し動作を禁止する。 - 特許庁

To achieve a multi-level semiconductor memory device storing multi-level data of ternary or more values by utilizing a nonvolatile memory device storing binary data.例文帳に追加

２値データを格納する不揮発性メモリ装置を利用して、３値以上の多値データを記憶する多値半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

Test data read out from the memory device 46 is compared with an expected value by the comparator 50, and it is discriminated whether the memory device 46 is good or not.例文帳に追加

メモリデバイス４６から読み出されるテストデータが、期待値データと比較器５０で比較され、メモリデバイス４６の良否を判定する。 - 特許庁

This is a memory device having a memory cell array 1 including at least one memory block B0-B7 equipped with a plurality of multilevel memory cells constituted to store information of N≥2 bits.例文帳に追加

１セルにつきＮ≧２ビットの情報を記憶するよう構成された複数のマルチレベルメモリセルを具える少なくとも１つのメモリブロック(B0-B7)を含むメモリセルアレー(1)を具えるメモリデバイスである。 - 特許庁

In the cache memory device, a cache memory controlling part 2 for controlling a cache memory 1 stores a plurality of fetch request information data generating cache misses in the same memory block in respective entries of a miss information storing table 21.例文帳に追加

キャッシュメモリ１を制御するキャッシュメモリ制御部２は、ミス情報保持テーブル２１の各エントリに、キャッシュミスとなった同一メモリブロックへのフェッチ要求情報を複数保持している。 - 特許庁

In mounting a memory card 10, a plurality of connectors 16 of a recording device 14 are brought into contact with a plurality of connecting terminals 12 of the memory card 10 respectively, and connected to the memory of the memory card 10.例文帳に追加

メモリーカード１０の装着時には、記録装置１４の複数のコネクタ１６は、メモリーカード１０の複数の接続端子１２とそれぞれ接触し、メモリーカード１０のメモリーと接続する。 - 特許庁

To provide a device for inserting and extracting a memory card capable of easily using a desired memory card without mixing it up even when various memory cards are inserted into plural insertion ports, and it is difficult to distinguish the various memory cards.例文帳に追加

複数の差込口に各種メモリカードが差し込まれて判別し難い場合でも、所望のメモリカードを混同することなく簡便に使用できるメモリカードの挿脱装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element that utilizes a state change such as softening or melting, differently from a conventional memory element, and to provide a memory device having an increased memory capacity.例文帳に追加

従来のメモリ素子とは異なり、軟化又は溶融といった状態変化を利用したメモリ素子を提供し、メモリ容量が増大されたメモリ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

For ODT control in the memory module system, only one pin from a memory controller of memory devices is used to transmit a command signal indicating one activated memory device.例文帳に追加

メモリモジュールシステム内のＯＤＴ制御において、メモリ装置のうちメモリ制御器から一つのピンのみが、活性化された一つのメモリ装置を示す命令信号を伝送するために使われる。 - 特許庁

To impart stable characteristic to all memory cells contained in a memory cell block, regarding a semiconductor device having a memory cell region containing a plurality of memory cells.例文帳に追加

本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a TAT required from obtaining data of memory information to shipping of a ROM can be shortened while attaining high memory density per memory cell.例文帳に追加

メモリセル当りの記憶密度を高めながら、記憶情報のデータ入手からＲＯＭ出荷までのＴＡＴを短縮することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To give stable characteristics to all memory cells included in a memory cell block, in a semiconductor device comprising a memory cell region including a plurality of memory cells.例文帳に追加

本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

In an image processing device, an item of the job parameter related to the job memory is designated, and a job memory registering unit is designed to register the item after performing correlation with the job memory when the job parameter is registered as the job memory.例文帳に追加

ジョブパラメータをジョブメモリとして登録する際に、ジョブメモリに関連付けるジョブパラメータの項目を指定し、ジョブメモリ登録部はその項目をジョブメモリに関連付けて登録する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device, a memory controller, an operation methods thereof, an operation method of a memory system, and a wear-leveling method, in which deterioration of a memory cell can be accurately detected.例文帳に追加

メモリセルの劣化度を正確に検出することができる不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for easily using a multi-valued NAND flash memory(non-volatile memory in which a plurality of data can be recorded in one memory cell).例文帳に追加

容易に多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な不揮発性メモリ）を使用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the registers are continuously retreated to the stack, a memory control device writes data from a processor core to the cache memory without executing refilling processing from the main memory to the cache memory.例文帳に追加

メモリ制御装置はスタックへの連続的なレジスタ待避時に、主メモリからキャッシュメモリへのリフィル処理を行うことなくプロセッサコアからキャッシュメモリへのデータ書込みを実現する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a plurality of memory chips; and a memory control chip for specifying a memory chip address in response to an access request from the outside and controlling access to the specified address.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、複数のメモリチップと、外部からのアクセス要求に応じてメモリチップのアドレスを指定して、指定アドレスに対するアクセスを制御するメモリコントロールチップと、を含む。 - 特許庁

When the same data as the first memory card or the data continuing to the data of the first memory card are present in the photographed date data of each image of the second memory card, the data are stored in the same folder of a storage device, and the data in the memory card are cleared.例文帳に追加

２枚目のメモリーカードの各画像の撮影日データに１枚目と同じまたは連なったデータがあれば記憶装置の同じフォルダに記憶してメモリーカードのデータをクリアする。 - 特許庁

This device comprises a cross point type ferroelectric memory 30 and a write-back type cache memory 40 being able to perform random access, access for the cross point type ferroelectric memory 30 is performed through a second memory.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ３０と、ランダムアクセスが可能なライトバック型のキャッシュメモリ４０を含み、クロスポイント型強誘電体メモリ３０へのアクセスは第２のメモリを介して行う。 - 特許庁

A memory control circuit includes: a command distribution means for discriminating an access class and an access address to a memory device, and for issuing an access command to the memory device; and a command issuing means for issuing an access command to the actual memory device.例文帳に追加

メモリ制御回路は、メモリデバイスへのアクセス種別およびアクセスアドレスを判別し適切なメモリデバイスに対してアクセスコマンドを発行させるコマンド振り分け手段と、実際のメモリデバイスにアクセスコマンドを発行させるコマンド発行手段とを備える。 - 特許庁

To provide a SONOS memory device which stores more data in its unit memory cell than the conventional SONOS memory device, which increases its degree of integration, despite the fact that it is manufactured according to the same design as the conventional SONOS memory device.例文帳に追加

従来のＳＯＮＯＳメモリ装置と同じ設計基準で製造されても、従来のＳＯＮＯＳメモリ装置よりも多量のデータを単位メモリセルに記憶することができ、集積度を増大させることができるＳＯＮＯＳメモリ装置を提供する - 特許庁