「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

To control a source voltage level of a driver transistor for the unit of a memory cell column in a static semiconductor memory device.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセル列単位で、ドライバトランジスタのソース電圧レベルを制御する。 - 特許庁

A memory storage device (10) comprises first and second memory cells (14) each comprising an upper end and a lower end.例文帳に追加

メモリ記憶装置（１０）は、それぞれ上端と下端とを有する第１および第２のメモリセル（１４）を含む。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a central arithmetic processing unit (1), a cache memory (3), and an internal memory (6).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、中央演算処理装置（１）と、キャッシュメモリ（３）と、内部メモリ（６）とを具備する。 - 特許庁

To provide a memory device for orthogonal transformation in which scalability of a memory cell can follow miniaturization of a processor.例文帳に追加

プロセッサの微細化にメモリセルのスケーラビリティが追随することのできる直交変換用メモリ装置を提供する。 - 特許庁

CACHE MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF FOR STORING HIERARCHICAL MEMORY ITEM AND CACHE TAG WITHIN SINGLE CACHE ARRAY STRUCTURE例文帳に追加

階層化された記憶項目とキャッシュタグを単一キャッシュアレイ構造に格納するキャッシュメモリ装置及び方法 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device is formed from an array of memory cells 10 arranged in lines 20 and rows 22 in a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板（１００）内に行（２０）と列（２２）として構成されたメモリ・セル（１０）のアレイから形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is adaptive to multi-I/O configurations without widening a region between memory mats.例文帳に追加

メモリマット間の領域を広げることなく多I/O化に対応することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor memory device has a regular cell array 200 in which a plurality of twin memory cells 100 are arranged.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ツインメモリセル１００を複数配列したレギュラーセルアレイ２００を有する。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory device 100 includes a memory cell transistor layer 30 and a dummy layer 70 for a second CMP.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１００は、メモリセルトランジスタ層３０、第２ＣＭＰ用ダミー層７０を備える。 - 特許庁

To reduce circuit scale of a semiconductor memory device having memory cells requiring a comparatively long time for writing data.例文帳に追加

データの書き込み所要時間が比較的長いメモリセルを有する半導体記憶装置の回路規模を縮小する。 - 特許庁

The data transfer device 100 manages an address in the memory of the data read from the memory by a DM_block 103.例文帳に追加

データ転送装置１００は、ＤＭ＿ブロック１０３でメモリから読み出したデータのメモリにおけるアドレスを管理する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that suppresses variations in characteristics between memory cells located at different layers.例文帳に追加

異なる階層に位置するメモリセル間の特性のばらつきを抑制できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the external memory medium 31 is connected to an audio device 1, the connection of the external memory medium 31 is recognized.例文帳に追加

オーディオ装置１に外部記憶媒体３１が接続されたとき、外部記憶媒体３１の接続を認識する。 - 特許庁

A control section 1 is constituted of a CUP and a memory and controls a logic circuit synthesizing device by executing a program stored in the memory.例文帳に追加

制御部1はCPU,メモリから構成され、メモリに記憶されたプログラムで論理回路合成装置を制御する。 - 特許庁

To provide a storage device that utilizes the advantages of both an SLC flash memory and an MLC flash memory.例文帳に追加

ＳＬＣ型のフラッシュメモリとＭＬＣ型のフラッシュメモリの両者のメリットを生かした記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system for making test-free a memory device on which an error detection/correction system is loaded.例文帳に追加

エラー検出訂正システムを搭載したメモリデバイスを、テストフリー化することを可能としたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a page buffer for flash memory device in which program trouble of a NAND flash memory element can be reduced.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のプログラム障害を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子のページバッファを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a short access time to read, and also to provide a method of reading the memory.例文帳に追加

読み出しのアクセス時間が短い不揮発性半導体記憶装置およびその読み出し方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control unit enabling setting of a memory device using redundant access paths.例文帳に追加

本発明の記憶制御装置は、冗長構成のアクセス経路を用いて、記憶デバイスの設定を行うことができる。 - 特許庁

The memory device has a simply structured memory elemenet with a composite layer sandwiched between a pair of conductive layers.例文帳に追加

一対の導電層間に組成物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有することを特徴とする。 - 特許庁

To secure writing of data in a memory by a device and the sequencing of data reading to a memory by a CPU.例文帳に追加

デバイスによるメモリへのデータ書き込みと、ＣＰＵによるメモリへのデータ読み出しの順序性を保証する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a superior readout current driving force even when a memory call is reduced.例文帳に追加

メモリセルを縮小しても読み出し電流駆動力に優れた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide magnetic memory element, magnetic memory device and magnetic wall movement method, enabling stable movement of a magnetic wall in a magnetic substance.例文帳に追加

磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a memory layer such as the inversion of magnetization and the maintenance of the magnetization direction of the memory layer in a magnetoresistance effect device.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。 - 特許庁

The host device 10 allocates identifiers to each memory card 20 to identify with what memory card 20 it communicates.例文帳に追加

ホストデバイス１０は、どのメモリカード２０と通信しているために夫々のメモリカード２０に識別子を割り当てる。 - 特許庁

This storage system comprises a cache memory, a side file as a storage region prepared in the memory, and a copy source storage device.例文帳に追加

ストレージシステムは、キャッシュメモリと、メモリに用意された記憶域であるサイドファイルと、コピー元記憶装置とを備える。 - 特許庁

The user goes out carrying the USB memory 4, and mounts the USB memory 4 on the second device 3 in a hotel.例文帳に追加

使用者は、そのＵＳＢメモリ４を持って出かけ、ホテルの第２装置３にそのＵＳＢメモリ４を装着する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell MC1 and a memory cell MC2, which are formed on a main face of a substrate 1S and are adjacently arranged.例文帳に追加

基板１Ｓの主面に形成され、隣り合って配置されたメモリセルＭＣ１およびメモリセルＭＣ２を含む。 - 特許庁

In a FIFO memory device 1, a write pointer 4 writes successively first to Mth line data in a memory circuit 2.例文帳に追加

ＦＩＦＯメモリデバイス１において、書込ポインタ４は第１〜第Ｍのラインデータをメモリ回路２に順次書込む。 - 特許庁

The data from each section is processed by a control device 2 and stored in an external memory such as an IC memory card.例文帳に追加

各部からのデータは制御装置２で処理してＩＣメモリカードのような外部記憶装置に記憶させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of writing/reading data to/from a nonvolatile memory at a high speed.例文帳に追加

不揮発性メモリに対して高速にデータの書込みまたは読出しができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This allows the defect of the memory cells to be accurately detected, when the parallel bit test of the semiconductor memory device is performed.例文帳に追加

これにより、半導体メモリ装置の並列ビットテスト時にメモリセルの欠陥を正確に検出することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein reset operation is surely executed to many memory cells.例文帳に追加

多数のメモリセルに対して、確実にリセット動作を実行することのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a memory cell 2, a write-back determination part 7, and a readout control part 8.例文帳に追加

半導体記憶装置には、メモリセル２と、ライトバック判定部７と、読み出し制御部８とが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device allowing reduction of a cell size of a memory cell, and its method.例文帳に追加

本発明は、メモリセルのセルサイズを縮小することができる半導体記憶装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for stabilizing operation velocity of a memory cell of a semiconductor device having a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを有する半導体装置のメモリセルの動作速度を安定させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a user-friendly dual port memory in a simple configuration, and a memory macro thereof.例文帳に追加

簡単な構成で使い勝手のよいデュアルポートメモリを有する半導体装置及びメモリマクロを提供する。 - 特許庁

An on-demand server system includes a memory controller for adjusting access to a memory device of one or more of flash bases.例文帳に追加

オンデマンド・サーバ・システムは、１つ以上のフラッシュ・ベースのメモリ・デバイスへのアクセスを調整するメモリ・コントローラを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory module substrate 10, and a mother board 20 for mounting the memory module substrate 10.例文帳に追加

半導体装置は、メモリ・モジュール基板１０とメモリ・モジュール基板１０を搭載するマザーボード２０とを備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE IMPROVING TRANSMIT DATA RATE OF DATA INPUT/OUTPUT BUS AND MEMORY MODULE EQUIPPED WITH SAME例文帳に追加

データ入出力バスの伝送データ率を向上させる半導体メモリ装置及びこれを具備するメモリモジュール - 特許庁

To provide a memory device having a memory cell including a constitution of a high data storage density and a relatively low cost.例文帳に追加

高いデータ記憶密度の構成と比較的低コストとを可能にするメモリセルを有するメモリデバイスの提供。 - 特許庁

A memory arrangement management device includes a memory arrangement management table, a management table update part, and a setup file generation part.例文帳に追加

メモリ配置管理装置は、メモリ配置管理テーブル、管理テーブル更新部、および設定ファイル生成部を含む。 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC CAPACITOR, MEMORY ELEMENT, ELECTRONIC ELEMENT, MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS CAPACITOR例文帳に追加

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタ、記憶素子、電子素子、メモリ装置及び電子機器 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMORY CELL ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC CAPACITOR, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体キャパシタおよびその製造方法、メモリセルアレイ、誘電体キャパシタの製造方法、ならびに、メモリ装置 - 特許庁

REPLACEMENT JUDGING CIRCUIT FOR REDUNDANT CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY AND SEMICONDUCTOR MEMORY TEST DEVICE INCORPORATING THIS CIRCUIT例文帳に追加

冗長回路への置換判定回路およびこれを含む半導体メモリ装置並びに半導体メモリ試験装置 - 特許庁