memory-deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24675件
A storage device according to an embodiment comprises a volatile memory, an auxiliary power supply, a nonvolatile memory, writing means and prohibition means.例文帳に追加
実施形態の記憶装置は、揮発性メモリと、補助電源と、不揮発性メモリと、書込手段と、禁止手段と、を備える。 - 特許庁
A memory 60 and a disk drive 30 having different data input/output speeds are used to construct an FIFO memory device.例文帳に追加
データの入出力速度が異なるメモリ60とディスク装置30とを用いてFIFOメモリ装置を構成する。 - 特許庁
To improve the shape and characteristics of a ferroelectric capacitor at the terminal end of a memory block in a semiconductor memory device.例文帳に追加
半導体記憶装置のメモリブロック終端における強誘電体キャパシタの形状および特性を向上させる。 - 特許庁
To provide a memory device for reducing unnecessary power consumption while quickly conducting writing for inverting memory contents.例文帳に追加
記憶内容を反転する書き込みを迅速に行いつつ、不要な電力の消費を低減する記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which an unintended voltage/current is prevented from being applied to a memory cell.例文帳に追加
意図しない電圧/電流がメモリセルに印加されることを防ぐことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a means to form an electrically rewritable non-volatile memory in a semiconductor memory device of a SOI structure.例文帳に追加
SOI構造の半導体記憶装置に電気的に書換え可能な不揮発性メモリを形成する手段を提供する。 - 特許庁
This system includes: a device 100 having a processor 1; a data memory unit 2; a program memory unit 3; and a program cache 10.例文帳に追加
システムは、プロセッサ1を有する装置100と、データメモリユニット2と、プログラムメモリユニット3と、プログラムキャッシュ10とを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device setting a negative threshold voltage to memory cells and performing a stable operation.例文帳に追加
メモリセルに負の閾値電圧を設定することができ、しかも安定な動作が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device wherein the worst data pattern of a memory cell array can be written even in a contracted/parallel test.例文帳に追加
縮約・パラレルテストにおいてもメモリセルアレイのワーストデータパターンを書き込むことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that is easy to rewrite memory cells and that has a high data-retention characteristic.例文帳に追加
メモリセルに対する書き換えが容易であり、かつ、高いデータ保持特性を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a memory cell circuit which enable a writing operation speed to be higher without reducing a storage holding capability.例文帳に追加
記憶保持能力を低下させずに書き込み動作を高速化する半導体記憶装置、メモリセル回路を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which has a memory cell structure to reduce a soft error without complicating a circuit construction.例文帳に追加
回路構成を複雑化することなくソフトエラー低減化を図ったメモリセル構造を有する半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
To improve the data read rate of a non-volatile semiconductor memory device using a floating gate electrode MOS transistor as a memory cell.例文帳に追加
浮遊ゲート電極型MOSトランジスタをメモリセルとする不揮発性半導体記憶装置の読み出し速度を速くする。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device having a memory cell including a high coupling ratio and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
高いカップリング比を有するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device wherein a reading operation margin is increased during the data reading of a ferroelectric memory.例文帳に追加
強誘電体メモリのデータ読み出し時の読み出し動作マージンを増加させた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
An MRAM device 50 includes a memory array (MRAM cell block 52 and reference MRAM cell block 54) including a magnetic memory cell.例文帳に追加
MRAMデバイス50は、磁気メモリセルからなるメモリアレイ(MRAMセルブロック52,基準MRAMセルブロック54)を備える。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device for improving the data erasure speed with respect to MONOS memory cells.例文帳に追加
MONOS型のメモリセルに対するデータの消去速度を改善させる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device wherein erroneous writing and erroneous erasure in a memory cell associated with minuteness of the memory cell are reduced.例文帳に追加
微細化に伴うメモリセルへの誤書き込み及び誤消去を低減した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor memory device capable of reducing the area of a memory array block without narrowing the gate width of a floating gate.例文帳に追加
フローティングゲートのゲート幅を狭くすることなくメモリアレイブロックの面積を縮小できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
To conceal from a third party an authentication action established between a semiconductor memory card and a memory card control device.例文帳に追加
半導体メモリカードとメモリカード制御装置との間で認証行為が行なわれていることを、第三者から隠蔽する。 - 特許庁
To decease the parasitic capacitors of data lines of a semiconductor memory device arranged with many data lines on memory cell arrays.例文帳に追加
メモリセルアレイ上に多数のデータ線が配置される半導体記憶装置において、データ線の寄生容量を低減する。 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING MEMORY CELL HAVING DIFFERENT PHASE CHANGE MATERIALS, AND METHOD AND SYSTEM RELATED TO THE SAME例文帳に追加
互いに異なる相変化物質を備えたメモリセルを有する相変化メモリ素子、それに関連した方法及びシステム - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a memory system capable of enhancing a reliability and an yield.例文帳に追加
信頼性を向上させることができて、収率を高めることができる半導体メモリ装置及びメモリシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, that comprises a memory cell containing a TMR film whose memory accuracy does not degrade.例文帳に追加
記憶精度が劣化しないTMR膜を含むメモリセルを有する半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for reducing a semiconductor memory region including semiconductor memory cells having different structures.例文帳に追加
異なる構造の半導体メモリセルを備えた半導体メモリ領域を縮小化するための半導体装置を提供する。 - 特許庁
The ferroelectric memory device 70 includes a sense amplifier 1, a ferroelectric memory fuse part 40, and a cell unit SU1.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置70には、センスアンプ1、強誘電体メモリヒューズ部40、及びセルユニットSU1が設けられる。 - 特許庁
This device has a reference cell for detecting a state of a memory cell and for verifying data written in a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの状態を検出するための、そしてメモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する。 - 特許庁
To provide a suitable technique for enhancing a regularity of a structure of a memory array of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置のメモリアレイの構造の規則性を向上するための好適な技術を提供する - 特許庁
To provide an integrated circuit memory device comprising an integrated circuit board and a multi-bit memory cell on the integrated circuit board.例文帳に追加
集積回路メモリ装置は、集積回路基板及び前記集積回路基板上のマルチビットのメモリセルを備える。 - 特許庁
In writing data, in a first sub-system 10, data are written into a data memory device 41a from a memory interface controller 13.例文帳に追加
データのライト時には、第1のサブシステム10では、メモリインタフェースコントローラ13からデータをデータ用メモリ装置41に書き込む。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device having a dummy bit line structure where data reading accuracy of memory cells is improved is disclosed.例文帳に追加
メモリセルのデータ読み取り精度が改善されるダミービット線構造の不揮発性半導体メモリ装置が開示される。 - 特許庁
To provide a portable digital device capable of easily replacing and driving a memory means and connecting it to an external computer to edit a memory data.例文帳に追加
メモリ手段を容易に交換、駆動し、外部コンピュータに連結して記憶データを編集できる携帯用デジタル装置。 - 特許庁
To provide an access control device capable of controlling the access to memory even when a fault occurs in the memory.例文帳に追加
メモリに障害が発生した場合であっても、メモリへのアクセスを制御することのできるアクセス制御装置を提供する。 - 特許庁
To provide a redundant resource management device capable of raising memory usage efficiency and dispensing with the previous design of a physical memory amount.例文帳に追加
メモリ利用効率を向上し、事前の物理メモリ量の設計が不要な冗長リソース管理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a NAND flash memory device comprising memory cells, etc. arrayed in a three-dimensional method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
3次元的に配列されたメモリーセル等を備えるNANDフラッシュメモリー装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which connects each of laminated memory cells, respectively, with the peripheral circuit.例文帳に追加
積層された記憶セルのそれぞれを周辺回路と接続可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A semiconductor storage device reads out memory cell data from a memory cell 10 on bit lines in a RAS cycle, and amplifies it with a sense amplifier 20.例文帳に追加
RASサイクルでは、メモリセル10からビット線上にメモリセルデータが読み出され、センスアンプ20で増幅される。 - 特許庁
To provide a memory control device compatible with replacement of a standard memory directly mounted on a circuit board.例文帳に追加
回路基板に直接実装されている標準メモリの交換に対応可能なメモリ制御装置を提供すること。 - 特許庁
The flash memory device writes a set of a plurality of data blocks in the recording unit to the memory region.例文帳に追加
フラッシュ・メモリ装置は、記録単位内において一つにまとめた複数のデータ・ブロックを、メモリ領域に一括して書き込む。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device of collective processed three-dimensional lamination memory configuration with improved productivity.例文帳に追加
生産性を向上した一括加工型3次元積層メモリ構成の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device having a NAND cell unit in which a vertical memory cells are vertically stacked, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
縦型メモリセルを縦積みしたNANDセルユニットをもつ半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an image processing device which can control the memory capacity of memory resources, and to provide a setting method of a look-up table.例文帳に追加
メモリ資源のメモリ容量を抑制することのできる画像処理装置、ルックアップテーブルの設定方法を提供する。 - 特許庁
To provide a device and method for monitoring a memory to specify hardware which has destroyed the data of the memory.例文帳に追加
メモリのデータを破壊したハードウェアを特定することができるメモリ監視装置及びメモリ監視方法を提供すること - 特許庁
To provide a small-sized and low-cost semiconductor device formed that a synchronous dynamic memory and a flash memory are integrated into a single sealing body.例文帳に追加
シンクロナス・ダイナミックメモリとフラッシュメモリを単一の封止体内に組み込んだ小型で安価な半導体装置の提供。 - 特許庁
In a nonvolatile semiconductor storage device, memory cells composed of memory transistors Trm and select transistors Trs are arranged on a P-type well 2 in a matrix-like state.例文帳に追加
P型ウェル2の上に、メモリトランジスタTrmとセレクトトランジスタTrsとからなるメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁
To provide an electronic control device that memory efficiency in a non-volatile memory is high and a burden of software can be lightened.例文帳に追加
不揮発性メモリにおけるメモリ効率が高く、ソフトの負担を軽減できる電子制御装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which high speed random access memory can be realized while realizing less area.例文帳に追加
高速なランダムアクセスを実現しつつ、かつ小面積化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of performing a stable high speed memory operation while a leak current is suppressed.例文帳に追加
リーク電流が抑制され、安定した高速メモリ動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which is less complicated in the circuit configuration and processing and a memory cell recovery method.例文帳に追加
回路構成または処理の煩雑化が低減された半導体記憶装置およびメモリセルの救済方法を提供する。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|