「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

TRANSISTOR STRUCTURE OF DRAM MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリ素子のトランジスタ構造及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL FOR DEFECT RELIEF AND STORAGE DEVICE UTILIZING THE SAME例文帳に追加

不良救済用メモリセル及びそれを用いた記憶装置 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR ACCESSING INTERLEAVER MEMORY OF CDMA SYSTEM例文帳に追加

ＣＤＭＡシステムのインターリーバーメモリアクセス装置及びその方法 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR INJECTING CHARGE THEREOF例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置とその電荷注入方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAM-SUSPEND-READ METHOD例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそれのプログラムサスペンド読み出し方法 - 特許庁

DESCRIPTOR CONTROL METHOD, DIRECT MEMORY TRANSFER DEVICE, AND PROGRAM例文帳に追加

ディスクリプタ制御方法、ダイレクトメモリ転送装置およびプログラム - 特許庁

SYSTEM FOR DISTRIBUTING SOFTWARE BY USING AUTHORIZED DETACHABLE MEMORY DEVICE例文帳に追加

着脱式記憶装置の認証によるソフトウェア配布システム - 特許庁

RECORDING AND REPRODUCING DEVICE AND CARD-LIKE MEMORY MEDIUM HOUSING CASE例文帳に追加

記録再生装置及びカード状記憶媒体収納ケース - 特許庁

To provide a magnetoresistance memory device and its manufacturing method.例文帳に追加

磁気抵抗記憶素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE TRANSFORMATION MEMORY DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法 - 特許庁

The memory card device MC can operate by itself.例文帳に追加

メモリカード装置ＭＣは、それ自体で動作可能なものである。 - 特許庁

BALL WITHDRAWING DEVICE, BALL WITHDRAWING METHOD, BALL WITHDRAWING PROGRAM AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

球抜き装置、球抜き方法、球抜きプログラム、記憶媒体 - 特許庁

To provide a redundancy program circuit of a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置の冗長プログラム回路を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR MEMORY MANAGEMENT IN PRINT DEVICE例文帳に追加

印刷装置におけるメモリ管理用システム及びその方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

A semiconductor device 1000 is provided with a memory transistor 100.例文帳に追加

半導体装置１０００は、メモリトランジスタ１００を含む。 - 特許庁

RESISTANT MEMORY DEVICE COMPRISING VARISTOR AND METHOD OF OPERATING SAME例文帳に追加

バリスタを備える抵抗性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

BODILY SENSATION DEVICE AND ITS CONTROL METHOD AS WELL AS MEMORY MEDIUM例文帳に追加

体感装置及びその制御方法並びに記憶媒体 - 特許庁

To provide a memory device by which a host computer can execute quick data processing.例文帳に追加

ホストコンピュータが迅速なデータ処理をできるようにする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR REPAIRING NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリデバイスのリペア方法及び回路 - 特許庁

To provide a memory device driving method in which distribution of threshold voltage of cells in a NAND type flash memory device can be improved.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置でのセルしきい値電圧の分布を改善できるメモリ装置駆動方法を提供する。 - 特許庁

To store printing data transmitted from a host device in a memory of the device without the need of a large capacity memory.例文帳に追加

大容量のメモリを必要としないでホスト装置から送信された印刷データを装置内のメモリに格納すること。 - 特許庁

To prevent virus infection in a memory device connectable to an information processor while suppressing deterioration in response speed of the memory device.例文帳に追加

情報処理装置に接続可能な記憶装置のレスポンス速度の低下を抑制しつつウィルス感染を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with an easily miniaturized nonvolatile memory element, and a portable electronic device.例文帳に追加

微細化が容易な不揮発性のメモリ素子を備えた半導体記憶装置及び携帯電子機器を提供すること。 - 特許庁

The first buffer memory operates by switching a clock applied from the external device and a clock inside the nonvolatile memory device.例文帳に追加

第１のバッファメモリは外部装置から印加されるクロックと不揮発性記憶装置内部のクロックとを切り替えて動作する。 - 特許庁

At that time, the print data is stored in an inner memory device 6 or an outer memory device 7 until the completion of the printing.例文帳に追加

その際、印刷完了まで当該印刷データを内部記憶装置６又は外部記憶装置７に記憶させておく。 - 特許庁

The converted logic variable is converted into an address of the device memory 120 by a logic variable device memory conversion processing section 5.例文帳に追加

変換された論理変数は、論理変数デバイスメモリ変換処理部５により、デバイスメモリ１２０のアドレスへ変換される。 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE POLISHING AND METHOD OF POLISHING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which can increase a storage data value per bit and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

１ビットあたりの記憶データ値を増やすことが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which read out operation cycles of a ferroelectric memory device can be reduced more.例文帳に追加

強誘電体メモリの読み出し動作のサイクルをより短縮することが可能な強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory writing system and a device which prevent the flash memory writing device from being used mistakenly.例文帳に追加

フラッシュメモリ書き込み装置が誤って用いられるのを防止したフラッシュメモリ書き込みシステムおよび装置を提供する。 - 特許庁

The auxiliary memory device 60 comprises a non-volatile memory device 61, an auxiliary power supply unit 62, and a high speed buffer 65.例文帳に追加

また、補助記憶装置６０は、不揮発性記憶装置６１、補助電源６２および高速バッファ６５を有する。 - 特許庁

To provide a memory crossing control device capable of confirming writing, and to achieve disc copying through the memory crossing control device.例文帳に追加

書込確認ができるメモリ交差制御装置を提供し、メモリ交差制御装置を経由したディスクコピーを実現する。 - 特許庁

To provide a device and a method for verifying program operation of a nonvolatile memory and a memory card including this device.例文帳に追加

不揮発性メモリのプログラム動作を検証する装置及び方法、並びにその装置を含むメモリカードを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device lowering a contact resistance between a silicon diode and an electrode film, and to provide a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

シリコンダイオードと電極膜との間のコンタクト抵抗が低い記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SELF-REPAIR METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH ERASING/PROGRAMMING FAILURE, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE THEREFOR例文帳に追加

消去／プログラミングに不具合を生じた不揮発性メモリ装置の自己修復方法およびそれに関する不揮発性メモリ装置 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND DATA READING METHOD AND DATA ERASING METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、並びに不揮発性半導体メモリ装置のデータ読み出し方法およびデータ消去方法 - 特許庁

The column processing is executing in the memory device concurrently with the line processing in the memory device based on the two chip selection signals.例文帳に追加

２つのチップ選択信号により、メモリデバイスにおける行処理と同時にメモリデバイスにおいて列処理を実行する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM USING THE SAME, AND CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置及びそれを用いた半導体集積回路システム並びに半導体記憶装置の制御方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS CONTROL METHOD, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE SYSTEM AND ITS CONTROL METHOD例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法、不揮発性半導体メモリ装置システム及びその制御方法 - 特許庁

To provide a storage device in which deterioration hardly occurs and a memory management method hardly causes degradation of the memory device.例文帳に追加

劣化が起きにくい記憶装置や、記憶装置の劣化を起こしにくいメモリ管理方法を提供することである。 - 特許庁

The user may determine the connected external memory device 20 and determine whether or not the external memory device 20 should be used.例文帳に追加

ユーザは、接続された外部記憶装置２０を特定し、接続された外部記憶装置２０の利用可否を判断する。 - 特許庁