「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor testing device 100 is provided with main body memory circuits 30, 31 storing defective information on the main body memory of the memory to be examined, and auxiliary memory circuits 40, 41 storing defective information on the auxiliary memory of the memory to be examined.例文帳に追加

本発明の半導体試験装置１００は、被試験メモリの本体メモリの不良情報を格納する本体メモリ回路３０，３１と、被試験メモリの予備メモリの不良情報を格納する予備メモリ回路４０，４１とを備える。 - 特許庁

A magnetic storage device is provided with a first memory section 51, and a second memory section 52 being adjacent to the first memory section 51 and sharing a first wiring 35 with the first memory section.例文帳に追加

磁気記憶装置は、第１のメモリ部５１と、第１のメモリ部５１と隣接し第１の配線３５を第１のメモリ部５１と共有する第２のメモリ部５２とを具備する。 - 特許庁

To provide a phase change random access memory with a transistor for enhancing operation in a memory cell by micro-fabricating the memory cell in dimension, and method for fabricating the memory device.例文帳に追加

メモリセルの寸法を微細化し、メモリセルでの動作を改善するための、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The still image memory device includes an imaging unit which outputs image data, a nonvolatile memory including first and second memory areas, and a controller for controlling the nonvolatile memory.例文帳に追加

静止画記憶装置は、画像データを出力する撮像部と、第１、第２の記憶領域を含む不揮発性メモリと、不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備える。 - 特許庁

To provide a memory management device which prevents memory shortage and destruction over an entire machine and which makes it easy to analyze the cause of memory destruction should memory be destructed.例文帳に追加

マシン全体のメモリ枯渇やメモリ破壊を防止し、メモリ破壊が発生した場合でも破壊された原因の解析が容易に行えるメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

The device has a plurality of memory banks (MBNK0-MBNKn), capable of memory operation independently for each of them, and a control part (2) for controlling the memory operation for the above plurality of memory banks.例文帳に追加

各々独立にメモリ動作可能な複数のメモリバンク（ＭＢＮＫ０〜ＭＢＮＫｎ）と、前記複数のメモリバンクのメモリ動作を制御する制御部（２）とを有する。 - 特許庁

To provide a memory control device, a memory control method, an information processing system, a program thereof and a storage medium thereof by which an FB-DIMM (Dual Inline Memory Module) memory is rapidly tested or initialized.例文帳に追加

ＦＢ−ＤＩＭＭメモリを迅速にテストや初期化を行うメモリ制御装置、メモリ制御方法、情報処理システム、そのプログラム及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To keep the consistency of contents of a memory copy origin and a memory copy destination even when there is memory write from an I/O device in memory copy for performing live migration or the like between computers.例文帳に追加

計算機間のライブマイグレーションなどを行うためのメモリコピーにおいて、Ｉ／Ｏデバイスからのメモリ書込みがあっても、メモリコピー元とメモリコピー先の内容の一貫性を保つ。 - 特許庁

This memory device (50) is provided with a memory array (100) having a substrate, an array of memory cells (130) arranged on the substrate, row conductors (110) and column conductor (120) coupled to the memory cell (130).例文帳に追加

本発明のメモリデバイス(50)は、基板を有するメモリアレイ(100)、基板上に配置されたメモリセル(130)のアレイ、メモリセル(130)に結合された行導体(110)及び列導体(120)を備える。 - 特許庁

The memory device includes a nonvolatile memory array having a first emulated memory region and a second emulated memory region, and a controller having an interface.例文帳に追加

メモリデバイスは、エミュレートされる第１のメモリ領域およびエミュレートされる第２のメモリ領域を有する不揮発性メモリアレイと、インターフェースを有するコントローラとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises a nonvolatile memory cell, bit lines connected to the nonvolatile memory cell, and a control circuit part connected to the nonvolatile memory cell and the bit lines.例文帳に追加

不揮発性メモリセル、その不揮発性メモリセルに接続されたビットライン及びその不揮発性メモリセルとビットラインに接続された制御回路部を含む半導体記憶装置。 - 特許庁

To obtain a highly reliable semiconductor memory device that prevents malfunction of writing to a memory cell unit, even when the semiconductor memory, such as a flash memory is microfabricated.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を微細化した場合においても、メモリセルユニットに対する書き込み誤動作を抑制し、高信頼性の半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

The memory section 12 of a multilayered memory device is formed by laminating upon another a plurality of memory layers 12A-12B each of which is composed of a plurality of two-dimensionally arranged memory cells.例文帳に追加

２次元的に配列された複数のメモリセルから成るメモリ層１２Ａ〜１２Ｂを複数枚積層してメモリ部１２を形成した多層構造のメモリ装置である。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array including memory cells MC; and a control unit 20 to control a signal applied to the memory cells.例文帳に追加

複数のメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイと、複数のメモリセルに印加される信号を制御する制御部２０と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

In the semiconductor device equipped with a ferroelectric memory, the ferroelectric memory comprises a first memory cell 22B and second memory cells 22A on the same chip.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリを備える半導体装置であって、その強誘電体メモリは、同一チップ上に第１のメモリセル２２Ｂと第２のメモリセル２２Ａとを有する。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, three memory cell parts 100, 101, 102 consisting of one memory cell compose, and data can be stored in this memory cell block.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、１個のメモリセルからなる３つのメモリセル部１００,１０１,１０２がメモリセルブロックを構成し、このメモリセルブロックにデータを記憶させることができる。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, a program memory cell block 30 for storing program data and a regular memory cell block 21 for storing ordinary data are arranged at the same memory array.例文帳に追加

この半導体装置では、プログラムデータを記憶するためのプログラムメモリセルブロック３０と、通常のデータを記憶するための正規メモリセルブロック２１とを同じメモリアレイに配置する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is provided with a memory array section 1, word lines 2, memory cells 3, bit lines 4, sense amplifiers 5, dummy bit lines 6, dummy memory cells 7, and a plurality of dummy sense amplifiers 8a, 8b, 8c.例文帳に追加

半導体記憶装置に、メモリアレイ部１、ワード線２、メモリセル３、ビット線４、センスアンプ５、ダミービット線６、ダミーメモリセル７、および複数のダミーセンスアンプ８ａ，ｂ，ｃを設ける。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array 1 including a memory cell transistor MC, an output latch circuit 3, a dummy memory cell (DC) 6, a CMOS inverter 4, and a read control circuit 5.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＣを有するメモリセルアレイ１と、出力ラッチ回路３と、ダミーメモリセル（ＤＣ）６と、ＣＭＯＳインバータ４および読み出し制御回路５とを有する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a memory cell array which is sectioned into blocks, redundant memory cells which replaces a defective memory cell in the memory cell array, and a redundant memory cell selecting circuit which replaces a defective memory cell by a redundant memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置には、複数のブロックに区画されたメモリセルアレイ、このメモリセルアレイ内の不良メモリセルと置換される冗長メモリセル及び前記不良メモリセルと前記冗長メモリセルとの置換を行う冗長メモリセル選択回路が設けられている。 - 特許庁

A memory access management device 3 which uses a flash memory 11 as a memory device is provided with a data operation region (access buffer 15) and a flash memory wiring region (copy buffer 17) in a RAM 9.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１を記憶装置として用いるメモリアクセス管理装置３であって、ＲＡＭ９にデータ操作用領域（アクセスバッファ１５）とフラッシュメモリ書き込み用領域（コピーバッファ１７）を設ける。 - 特許庁

To provide a memory control device capable of writing a large amount of data into a NAND memory at high speed by making effective use of the function of writing into a plurality of blocks at the same time, and a memory card using the memory control device.例文帳に追加

複数ブロック同時書き込み機能を有効に利用して高速に大量のデータをＮＡＮＤ型メモリへ書き込むことができるメモリ制御装置およびそれを用いたメモリカードを提供する。 - 特許庁

Methods to apply a high power supply voltage to operate a semiconductor memory device which is equipped with a memory cell array including a plurality of memory banks can be distinguished depending on operation modes of the semiconductor memory device.例文帳に追加

複数のメモリバンクからなるメモリセルアレイを具備した半導体メモリ装置を動作させるために高電源電圧を印加する方法は、半導体メモリ装置の動作モードによって区別され得る。 - 特許庁

A master unit memory 102 and a slave unit memory 103 are inserted into an alliance device 101, respectively and the alliance device 101 reads/writes data to the master unit memory 102 and the slave unit memory 103.例文帳に追加

親機メモリ１０２と子機メモリ１０３は、それぞれ縁組装置１０１に挿入することができ、縁組装置１０１は、親機メモリ１０２と子機メモリ１０３に対して、データの読み書きを行う。 - 特許庁

The nonvolatile memory device performs data sensing to memory cells presently chosen by the nonvolatile memory device, and verification of a program state or an erasure state to data sensed before by other memory cells of the nonvolatile memory device, simultaneously.例文帳に追加

本発明による不揮発性メモリ装置は、不揮発性メモリ装置で現在選択されたメモリセルに対するデータ感知と、前記不揮発性メモリ装置の他のメモリセルで以前に感知されたデータに対するプログラム状態または消去状態の検証とを同時に実行する。 - 特許庁

The USB memory device 100 includes a NAND type flash memory 130 for storing data for users, and an OTP memory 140.例文帳に追加

ＵＳＢメモリデバイス１００は、ユーザ用データを格納するためのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３０と、ＯＴＰメモリ１４０とを備える。 - 特許庁

To provide a memory card and a memory card vending device easily selling a memory card and the recorded information, and appropriate to charge settlement.例文帳に追加

メモリカードとその記録情報の販売が簡便に行なえ、さらに代金決裁に好適なメモリカードとメモリカード販売装置を提供する。 - 特許庁

To increase the processing speed furthermore in a memory access device which has the processing speed increased by using a high-speed cache memory besides a low-speed memory.例文帳に追加

低速メモリの他に高速のキャッシュメモリを使用して処理の高速化を図ったメモリアクセス装置において、さらなる高速化を図る。 - 特許庁

A reading section 130 reads the sound data of one unit from the external memory, and a memory section 140 stores the read sound data in an internal memory device.例文帳に追加

読込部１３０は、外部メモリから一単位の音データを読込み、記憶部１４０は、読込んだ音データを内部記憶装置に記憶する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of enhancing a speed of a writing operation of a laminated memory such as a BiCS memory.例文帳に追加

ＢｉＣＳメモリのような積層型メモリの書き込み動作を高速化することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory control device which protects important data stored in a memory from unauthorized memory access due to an unadquateness.例文帳に追加

メモリに格納された重要なデータなどをプログラムの不具合などによる不正なメモリアクセスから保護するメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

The memory control device is provided between a processor 30 and memory ranks 40a and 40b, and controls access to the memory ranks 40a and 40b.例文帳に追加

メモリ制御装置は、プロセッサ３０とメモリランク４０ａ、４０ｂとの間に備えられ、メモリランク４０ａ、４０ｂへのアクセスを制御する。 - 特許庁

To provide a memory module capable of minimizing an unnecessary routing space and a method for mounting a memory device on a PCB for the memory module.例文帳に追加

不必要なルーティング空間を最小化し得るメモリモジュールとそのメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell for writing magnetic information with an electrical device, and also to provide a large capacity multi-value magnetic memory loading the same memory cell.例文帳に追加

電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。 - 特許庁

This phase change memory device has a memory array arranged so that a plurality of phase change memory cells constitute a plurality of rows and columns.例文帳に追加

相変化メモリ装置は、複数の相変化メモリセルが複数のロー及び複数のカラムを構成するように配列されたメモリアレイを有する。 - 特許庁

If update of the memory 31 is detected, the memory synchronization adapter 3 of the active device 1 transmits modification data to the memory synchronization adapter 4.例文帳に追加

稼働系装置１のメモリ同期アダプタ３は、メモリ３１の更新を検出するとメモリ同期アダプタ４に変更データを送信する。 - 特許庁

To perform effectively an operation test of a memory chip in a semiconductor device of a MCP (memory chip package) in which a logic chip and a memory chip arte mounted in a common package.例文帳に追加

ロジックチップとメモリチップとを共通のパッケージに搭載したMCPの半導体装置において，メモリチップの動作試験を有効に行う。 - 特許庁

A circuit and a method for testing a memory cell of a ferroelectric memory device equipped with an array consisting of ferroelectric memory is provided.例文帳に追加

強誘電体メモリセルからなるアレイを具備する強誘電体メモリ装置のメモリセルをテストする回路及び方法が提供される。 - 特許庁

To provide a memory module for monitoring power consumption by a volatile memory device loaded on the memory module.例文帳に追加

本発明は、メモリモジュールに搭載されている揮発性メモリデバイスの消費電力を監視するメモリモジュールを提供することを目的としている。 - 特許庁

The memory device includes (n+1) pieces (n≥2) of memory cells, (n+1) bit lines connected each memory cell one by one, and a switch 19 between bit lines.例文帳に追加

（ｎ＋１）個（ｎ≧２）のメモリセルと、メモリセルごとに１本ずつ接続された（ｎ＋１）本のビット線と、ビット線間スイッチ１９とを有する。 - 特許庁

The apparatus includes a memory device having a memory array to store data, and an analog-to-digital sense unit coupled to the memory array.例文帳に追加

装置は、データを格納するためのメモリアレイを有するメモリデバイスと、メモリアレイに連結されているアナログ対デジタルセンスユニットを含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of detecting data of memory cells accurately in refreshing the memory cells, and writing them back exactly.例文帳に追加

メモリセルのリフレッシュ時に、メモリセルのデータを正確に検出し、かつ、正確に書き戻すことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory testing device and a memory testing method which can simultaneously execute a plurality of memory tests only by simple address management.例文帳に追加

簡単なアドレス管理だけで複数個のメモリ試験を同時に実行できるメモリ試験装置およびメモリ試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of surely detecting a memory cell causing an unstable operation due to insufficient memory cell current.例文帳に追加

メモリセル電流が少ないために不安定な動作を引き起こすメモリセルを確実に検出できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.例文帳に追加

キャパシタレスメモリの１つであるＴＴＲＡＭ（Twin-Transistor Random Access Memory）のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁