「mesa‐structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A mesa structure (first mesa structure) 13 formed on the lower face 11a of the semiconductor substrate 11 is such a mesa structure that has a so-called element function in which an active layer 12 is a light emitting layer, and a mesa structure (second mesa structure) 23 formed on the upper face 11b of the semiconductor substrate 11 is a dummy mesa structure having no active layer.例文帳に追加

半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。 - 特許庁

A semiconductor substrate 2 is provided with a mesa structure portion 4, having an active layer 3 and an insulating layer 5 having a configuration surrounding the mesa structure portion 4.例文帳に追加

半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。 - 特許庁

The exposed part of the etch stop layer 4 is removed to form mesa structure 10, and buried layers 11 and 12 are formed at both the sides of the mesa structure.例文帳に追加

エッチストップ層４の露出した部分を除去してメサ構造１０を形成し、その両側に埋め込み層１１，１２を形成する。 - 特許庁

In the lower surface side of the surface-emitting laser 1 facing to the mesa structure portion 4, a heat radiation layer 12 radiating heat of the mesa structure portion 4 is formed.例文帳に追加

メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。 - 特許庁

The second mesa structure 23 is provided in such a mode that the warping of the semiconductor substrate 11 caused by an arrangement of the first mesa structure 13 is dissolved and mitigated.例文帳に追加

第２のメサ構造２３は、第１のメサ構造１３の配設に起因する半導体基板１１の反りを解消、緩和する態様で設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing an embedding part embedding a mesa structure from peeling off from a mesa structure part, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PIEZOELECTRIC SUBSTRATE OF MESA STRUCTURE, PIEZOELECTRIC VIBRATION ELEMENT, PIEZOELECTRIC VIBRATOR, AND PIEZOELECTRIC OSCILLATOR例文帳に追加

メサ構造の圧電基板、圧電振動素子、圧電振動子、及び圧電発振器 - 特許庁

The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加

メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁

The second upper clad layer 109 has a mesa structure MS.例文帳に追加

第２上部クラッド層１０９は、メサ構造ＭＳを有する。 - 特許庁

The side faces of the mesa structure are continuously linear.例文帳に追加

ここで、前記メサ構造の側面は連続した直線状である。 - 特許庁

PHOTONIC INTEGRATED DEVICE USING REVERSE-MESA STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加

逆メサ構造を用いた光集積素子及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor device includes an optical semiconductor element provided with the mesa structure part 21, the embedding part 22 embedding the mesa structure part 21 from at least the lateral side thereof, and an electrode 23 connected to the mesa structure part 21.例文帳に追加

メサ構造部２１を備えた光半導体素子と、メサ構造部２１を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部２２と、メサ構造部２１に接続された電極２３と、が設けられている。 - 特許庁

MESA STRUCTURE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTER HAVING CHALCOGENIDE DIELECTRIC COATING例文帳に追加

カルコゲナイド誘電体コーティングを有するメサ構造半導体光エミッタ - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH OR MESA-STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ構造またはメサ構造を有するＩＩＩ族窒化物半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

The lower buried layer contacts the end of an intermediate layer at the both sides of the mesa structure of the laser oscillator.例文帳に追加

レーザ発振器のメサ構造の両側において、下部埋込層は中間層の端面に接する。 - 特許庁

To reduce the dark current and to improve the reliability of an avalanche photodiode in mesa structure.例文帳に追加

メサ構造アバランシェフォトダイオードにおいて、その暗電流の低減と信頼性の向上を図る。 - 特許庁

From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22.例文帳に追加

バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。 - 特許庁

A high resistance regrowth layer 110 is arranged around an optical element 100 having a mesa structure 131.例文帳に追加

メサ構造１３１を有する光素子１００の周囲に高抵抗の再成長層１１０を配置する。 - 特許庁

A buried layer is buried in both the sides of the mesa structure of the laser oscillator and the optical amplifier.例文帳に追加

レーザ発振器及び光増幅器のメサ構造の両脇を埋込層が埋め込む。 - 特許庁

The SiO_2 film 15 is used as a mask for applying etching to the semiconductor film 11 to form a mesa structure 16.例文帳に追加

ＳｉＯ_２膜１５をマスクとして半導体膜１１をエッチングしてメサ構造１６を形成する。 - 特許庁

A plurality of first metal layers are formed on the mesa structure in the same planar shape as the first metal layers.例文帳に追加

上記メサ構造上には複数の第1金属層がこれと同じ平面形状で夫々形成される。 - 特許庁

The bottom surface of the guard ring region has a mesa structure in which the collector layer 12 is removed.例文帳に追加

ガードリング領域の下面は、コレクタ層１２が除去されたメサ構造となっている。 - 特許庁

The semiconductor laminate structure 24 is wet-etched, and a mesa structure 28 is formed.例文帳に追加

半導体積層構造２４をウェットエッチングしてメサ構造２８を形成する。 - 特許庁

To reduce current leak by forming a mesa structure without having to carry out etching.例文帳に追加

本発明は、エッチングを行わずにメサ構造を形成して電流リークを低減することを可能にする。 - 特許庁

To provide a crystal device using a mesa-structure crystal piece enabling fine frequency adjustment.例文帳に追加

周波数の微調整が可能なメサ型水晶片を用いた水晶デバイスを提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching includes a mesa structure of a ridge-type or a high-mesa-type, formed on a semiconductor substrate, and an extended mesa formed on the semiconductor substrate and connected to a corner of the mesa structure, the material of which is the same as the material of the mesa structure.例文帳に追加

ウェットエッチングによりメサ構造が形成された半導体光素子であって、半導体基板上に形成されたリッジ型またはハイメサ型の該メサ構造と、該半導体基板上に形成され、かつ、該メサ構造の角部に接続された該メサ構造と同一材料である延伸メサと、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) having a mesa structure or post structure that can be protected from the outside.例文帳に追加

メサ構造あるいはポスト構造を外部から保護することができる、ＶＣＳＥＬを提供する。 - 特許庁

An optical element comprises: a mesa structure that is formed on a substrate and includes an active layer therein; and a dielectric film formed so as to overlap the edge face of the mesa structure.例文帳に追加

本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。 - 特許庁

This semiconductor optical element 10 is provided with an optical waveguide of a mesa structure formed on a substrate and including an active layer, and an embedding layer covering both side faces of the mesa structure and formed of a high-resistance semiconductor.例文帳に追加

半導体光素子１０は、基板上に形成された活性層を含むメサ構造の光導波路と、このメサ構造の両側面を被覆する高抵抗半導体からなる埋め込み層とを備える。 - 特許庁

The dummy layer 14 is selectively wet-etched for any layer other than the dummy layer 14 of the mesa structure 28, and a concave section 30 is formed on the side face of the mesa structure 28.例文帳に追加

メサ構造２８のダミー層１４以外の層に対してダミー層１４を選択的にウェットエッチングしてメサ構造２８の側面に凹部３０を形成する。 - 特許庁

The distance (L2) between a first mesa structure consisting of an emitter layer and a base layer and a second mesa structure consisting of the base layer and a collector layer is set in the range of 3-9 μm.例文帳に追加

また、エミッタ層およびベース層からなる第１のメサ構造と、ベース層およびコレクタ層からなる第２のメサ構造との距離（Ｌ２）を３μｍ以上９μｍ以下とした。 - 特許庁

On the side of the mesa structure 120, a first insulating film 108 composed of an inorganic material is formed and on the first insulating film 108, a resin layer 109 is formed so as to fill the peripheral portion of the mesa structure 120.例文帳に追加

メサ構造体１２０の側面上には無機材料からなる第１の絶縁膜１０８が形成され、該第１の絶縁膜１０８の上にはメサ構造体１２０の周辺部を埋めるように樹脂層１０９が形成されている。 - 特許庁

MESA STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF AND MESA DIAPHRAGM AND PRESSURE SENSOR USING THE SAME例文帳に追加

メサ構造の形成方法並びにこれを用いたメサ構造、及びこれを用いたメサ型ダイアフラム並びに圧力センサ - 特許庁

The SiO_2 film 15 whose surface is terminated with fluorine is used as a mask for selectively embedding the mesa structure 16 with the group III-V compound semiconductor film 17.例文帳に追加

表面をフッ素で終端したＳｉＯ_２膜１５をマスクとして、メサ構造１６をIII—Ｖ族化合物半導体膜１７で選択的に埋め込む。 - 特許庁

The predetermined direction is set so that the side surface of the stripe mesa structure 40 formed by wet etching has a forward mesa shape.例文帳に追加

所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 - 特許庁

A step (S50) of selectively growing an epitaxial film constituting the mesa structure part on the substrate is performed with the second mask layer as a mask.例文帳に追加

第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

The semiconductor light-receiving element is provided with: the semiconductor substrate 1, and the mesa-structure 20 protruding from the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体受光素子は、半導体基板１と、半導体基板１から突出するメサ構造２０とを備える。 - 特許庁

In the imprint mold, a region where an uneven pattern is formed is formed into a mesa structure higher than the surrounding surface.例文帳に追加

インプリントモールドは、凹凸パターンが形成されている領域が、その周囲の面よりも高いメサ構造に形成される。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a structure of a semiconductor element having a higher breakdown voltage and reliability than those of the conventional semiconductor element of planar structure or mesa structure.例文帳に追加

従来のプレーナ構造又はメサ構造の半導体素子よりも耐圧が高く且つ信頼性も高い半導体素子の構造を得る。 - 特許庁

The semi-insulating semiconductor embedded layer is formed on both sides of the mesa structure part in the direction crossing the lamination direction.例文帳に追加

半絶縁性半導体埋込層は、上記積層の方向に交差する方向においてメサ構造部の両側に設けられている。 - 特許庁

To ensure the throwing power of a metal during formation of an electrode, and to constrict a current being injected into a stripe mesa structure effectively.例文帳に追加

電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。 - 特許庁

The surface light emission type laser device has a mesa structure 120 composed of a semiconductor lamination film formed into a convex section form.例文帳に追加

面発光型レーザ素子は、断面凸状に形成された半導体積層膜からなるメサ構造体１２０を有している。 - 特許庁

To make it possible to control an optional width of an active layer and realize a high mesa structure without making the active layer containing aluminum be in contact with air.例文帳に追加

所望の活性層幅の制御が可能で、アルミニウムを含む活性層を空気に接触させることなく、かつ、高いメサ構造を実現する。 - 特許庁