「metallization method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING METALLIZATION LAYER ON SEMISPHERICAL LENS例文帳に追加

半球状レンズへのメタライズ層の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METALLIZATION STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路におけるメタライゼーション構造の形成方法 - 特許庁

PROGRAMMABLE METALLIZATION CELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

プログラマブルメタライゼーションセル構造およびその作製方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF COPPER SEED LAYER IN ULSI METALLIZATION例文帳に追加

ＵＬＳＩメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法 - 特許庁

METALLIZATION COMPOSITION, CERAMIC WIRING BOARD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メタライズ組成物、並びにセラミック配線基板およびその製法 - 特許庁

BURIED METALLIZATION AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

埋め込み金属配線及び埋め込み金属配線の形成方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR MULTILAYER SUBSTRATE, MULTILEVEL METALLIZATION BOARD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

多層基板用基材、多層配線板およびその製造方法 - 特許庁

METALLIZATION METHOD, BONDING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND PLASMA PROCESSOR例文帳に追加

メタライズ方法及び接合方法及び半導体装置の製造方法並びにプラズマ処理装置 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR SELECTIVE ELECTROLYTIC METALLIZATION USING LIQUID HEAD例文帳に追加

流体ヘッドを利用した選択的電解メタライゼ—ション装置および方法 - 特許庁

METHOD FOR BOTTOMLESS DEPOSITION OF BARRIER LAYERS IN INTEGRATED CIRCUIT METALLIZATION SCHEMES例文帳に追加

集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法 - 特許庁

PRECLEANING METHOD PRIOR TO METALLIZATION FOR SUB-QUARTER MICRON APPLICATION例文帳に追加

サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法 - 特許庁

PROGRAMMABLE SUB-SURFACE AGGREGATING METALLIZATION STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME例文帳に追加

プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法 - 特許庁

METALLIZATION FILM CAPACITOR, ITS ASSEMBLY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

金属化フィルムコンデンサとその集合体および金属化フィルムコンデンサ製造方法 - 特許庁

METHOD FOR METALLIZATION OF DIAMOND, METALLIZED DIAMOND PART AND METALLIZED DIAMOND MONDED MEMBER例文帳に追加

ダイヤモンドのメタライズ方法およびダイヤモンドメタライズ部材並びにダイヤモンドメタライズ接合部材 - 特許庁

METHOD FOR METALLIZATION AND PASSIVATION OF SOLDERABLE TOPMOST PART OF SOURCE PACKAGING SEMICONDUCTOR DIE例文帳に追加

ソース実装半導体ダイのはんだ付け可能最上部金属化及びパッシベーションの方法 - 特許庁

To provide a method for improving metallization structure in semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路におけるメタライゼーション構造及を改善する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加

ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法（ダマシン法：Damascene）による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate formed with a metallization layer which can form the metallization layer low in volume resistance value on the substrate by heat treatment at a comparatively low temperature.例文帳に追加

比較的低温での加熱処理によって、基材の上に体積抵抗値の低い金属層の形成が可能な金属層を備えた基板の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for avoiding contamination in copper metallization upon manufacturing an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路の製造の際の銅メタライゼーションにおける汚染を回避する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE OF REDUCING CONTACT RESISTANCE BETWEEN SILICIDE CONTACT AND METALLIZATION ON IT例文帳に追加

シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MULTIPLE-LAYER ELECTRODE STRUCTURE ON SOLAR CELL, METALLIZATION CONTACT STRUCTURE, PATTERNING METHOD OF LAYER, AND METHOD FOR FORMING FUNCTIONAL STRUCTURE例文帳に追加

太陽電池上に多層電極構造を形成する方法、金属配線コンタクト構造、層のパターニング方法、機能構造の形成方法 - 特許庁

METALLIZATION OF NUCLEIC ACID, COMPLEX OF METAL FINE PARTICLE AND NUCLEIC ACID, METHOD FOR PRODUCING ULTRAFINE WIRE AND ULTRAFINE WIRE例文帳に追加

核酸金属化方法、金属微粒子核酸複合体、微細ワイヤ作製方法及び微細ワイヤ - 特許庁

To provide a copper metallization method for depositing a conformal barrier layer and a seed layer in a plasma chamber.例文帳に追加

プラズマチャンバ内で等角障壁層およびシード層を堆積する銅金属被覆方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inter-layer metallization structure based on copper dual damascene, and to provide a method of forming it.例文帳に追加

銅デュアルダマシンに基づくレベル間金属化層構造及びそれを形成する方法を提供する。 - 特許庁

SPUTTER CLEANING CHAMBER, WAFER TABLE ASSEMBLY, SEMICONDUCTOR METALLIZATION METHOD AND METHOD FOR IMPROVING VOID-FILLING CAPABILITY OF ALUNINUM例文帳に追加

スパッタ洗浄室とウェハー台アセンブリと半導体金属化製造方法及びアルミニウムのボイド充填能力を改善する方法 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a metallization film capacitor for miniaturizing a capacitor by a low-cost and simple method.例文帳に追加

低コストかつ簡単な方法で、コンデンサの小型化を図ることが可能な金属化フィルムコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for metallization applicable to oxide-based, nitride-based, carbide-based, and machinable ceramics.例文帳に追加

酸化物系、窒化物系、炭化物系セラミックス及び快削性セラミックスに適用出来るメタライズの方法を提供する。 - 特許庁

A metal film 21a is formed in a peripheral edge of a surface of an upper substrate 21 by metallization method.例文帳に追加

上方の基板２１の表面の周端縁には金属膜２１ａがメタライズ法によって形成されている。 - 特許庁

To reduce the warp of a green sheet generated upon calcination by the difference of a contraction amount when calcining a metallization paste layer and the green sheet in a manufacturing method of a ceramic wiring board composed by calcining the green sheet comprising ceramic for which the metallization paste layer composed of metallization paste is printed on one surface.例文帳に追加

一面にメタライズペーストよりなるメタライズペースト層が印刷されたセラミックよりなるグリーンシートを焼成してなるセラミック配線基板の製造方法において、メタライズペースト層とグリーンシートとの焼成時の収縮量の差によって焼成時に発生するグリーンシートの反りを低減する。 - 特許庁

To provide a simple method for measuring the metallization rate of ferrocoke by which the metallization rate of iron in the ferrocoke is easily and quickly measured, and thereby, the metallization rate of product ferrocoke is adjusted by adjusting the operation conditions of a carbonization furnace in the production of the ferrocoke.例文帳に追加

フェロコークス中の鉄の金属化率を簡便で迅速に測定可能であり、これによりフェロコークス製造の際の乾留炉の操業条件を調整して、製品フェロコークスの金属化率を調整できる、フェロコークス金属化率の簡易測定方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having a multilevel metallization and its fabricating method, in which a contact hole for connecting upper and lower interconnections can be formed accurately, and the reliability of the multilevel metallization is enhanced.例文帳に追加

多層配線を有する半導体装置とその製造方法において、上側配線層と下側配線層を接続するための接続孔を正確に形成し、多層配線の信頼性を向上する。 - 特許庁

To provide a method and structure of reducing the contact resistance between a silicide contact and metallization on it.例文帳に追加

シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TaCN BARRIER LAYER IN COPPER METALLIZATION PROCESS AND COPPER METAL LAYER STRUCTURE WITH TaCN BARRIER LAYER例文帳に追加

銅金属化プロセスにおけるＴａＣＮバリア層の製造方法並びにＴａＣＮバリア層を有する銅金属層構造 - 特許庁

To provide a method for forming conductive metallization patterns on a ceramic block that are isolated by a pattern of a conductive material.例文帳に追加

導電物質のパターンにより互いに隔離されてなるセラミックブロック上の導電メタライゼーションパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve a method for the direct metallization of non-conductive substrate surfaces, in particular polyimide surfaces.例文帳に追加

本発明は、非導電性基板表面、特にポリイミド表面に直接金属層を形成する方法を改良することに関する。 - 特許庁

To provide a productive and controllable method for forming an interface with high reliability, in integrated circuit (IC) metallization.例文帳に追加

集積回路（IC）メタライゼーションにおいて信頼性が高いインターフェースを形成するための、生産的かつ制御可能な方法を与える。 - 特許庁

The present invention has the functional element of forming a substrate mainly composed of Si by using a processing method, a sealed metallization film formed on the outer periphery of this functional element, and a glass substrate joined to this sealed metallization film by the anodic joining.例文帳に追加

Ｓｉを主体とする基板を加工法を用いて形成した機能素子と、この機能素子の外周に形成された封止メタライズ膜と、この封止メタライズ膜に陽極接合により接合されるガラス基板を備える。 - 特許庁

To provide a method for the metallization of an electrically non-conductive substrate that can be employed if very different etching baths are used.例文帳に追加

本発明は、種々のエッチングバスを採用することのできる、非導電性基板（サブストレート）への金属被覆（メタライゼーション）方法を提案する。 - 特許庁

A damascene metallization method comprises a step for making a trench in a desired interconnect pattern in a porous insulation layer formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の多孔性絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成する工程等を含むダマシン金属化方法。 - 特許庁

In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the metallization film capacitor includes the steps of: depositing the metal on both sides of a broad PP film; coating dielectric comprising an organic compound on the surface of a deposited film to crosslink (to harden); and forming a thin film hybrid metallization film of the deposited film and the organic compound.例文帳に追加

広幅ＰＰフィルムの両面に金属を両面蒸着して、この蒸着フィルム面上に有機化合物からな誘電体をコーティングし架橋（硬化）させ、蒸着フィルムと有機化合物の薄膜ハイブリッド金属化フィルムを形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus by which an electrochemical treatment undesirable for a contact device, particularly the metallization of the contact device is largely reduced.例文帳に追加

接触装置の望ましくない電気化学処理、特に接触装置の金属化が大部分低減される方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a ceramic package which can be simultaneously baked with metallization and is easily unbroken even if it is hermetically sealed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メタライズとの同時焼成が可能で、気密封止しても破壊しにくいセラミックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a metallization method which improves the productivity, without needing cleaning steps, drying step or pressure reducing steps.例文帳に追加

洗浄工程や乾燥工程及び減圧にする工程が必要がなくて生産性を向上させることができるメタライズ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an RF switch including a multiplicity of strokes and capable of being manufactured by utilizing only a single metallization layer, and to provide a manufacturing method of the RF switch.例文帳に追加

多数のストロークを含み、単一のメタライゼーション層のみを利用して製造可能なＲＦスイッチ、およびＲＦスイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁