「nonconduction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The row selection switch is provided to an input side of the amplifier, and switches between conduction and nonconduction between the vertical signal line and the amplifier.例文帳に追加

また、行選択スイッチは、増幅器の入力側に設けられ、垂直信号線と増幅器との間の導通／非導通を切り換える。 - 特許庁

The first and second thin film element layers are bonded electrically and physically by bonding the lower exposed portions of the first electrode terminal and the first nonconduction terminal, and the lower exposed portions of the second electrode terminal and the second nonconduction terminal, respectively.例文帳に追加

第１の電極端子及び第１の非導通端子のそれぞれと、第２の電極端子及び第２の非導通端子のそれぞれの下側露出部とを接合することにより、第１及び第２の薄膜素子層の相互間の電気的接合及び物理的接合が図られる。 - 特許庁

As the motor 1 operates, nonconduction coils due to the brush 21b for high speed appear alternately at one slot adjacent positions (P1-Q1, P2-Q2).例文帳に追加

モータ１の動作に伴って高速用ブラシ２１ｂによる無通電コイルが１スロット隣の位置（Ｐ１−Ｑ１,Ｐ２−Ｑ２）に交互に現れる。 - 特許庁

To provide fiducial marks which can prevent the charging up of a low thermal expansion substrate formed of a nonconduction material and can detect precise mark positions.例文帳に追加

非導電性物質からなる低熱膨張基板のチャージアップを防止でき正確なマーク位置検出が可能なフィデュシャルマークを提供する。 - 特許庁

Between the first capacitor element and the wire, a first switch is provided so as to control conduction and nonconduction between the first capacitor element and the wire.例文帳に追加

第１の容量素子と配線との間には、前記両者の導通状態と非導通状態を制御する第１のスイッチが設けられている。 - 特許庁

Between the second capacitor element and the wire, a second switch is provided so as to control the conduction and nonconduction between the second capacitor element and the wire.例文帳に追加

また、第２の容量素子と配線との間には、前記両者の導通状態と非導通状態を制御する第２のスイッチが設けられている。 - 特許庁

Conduction/nonconduction of the second driving transistor 26 is controlled by a control transistor 27 according to the signal voltage Vsig of a video signal.例文帳に追加

そして、この第２駆動トランジスタ２６の導通／非導通の制御を、制御トランジスタ２７によって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて行うようにする。 - 特許庁

Similarly, when the conduction state is switched to the nonconduction state, the FET 12 is turned off and then the FET 11 is turned off near the saturation voltage of the FET 11.例文帳に追加

同様に導通状態から非導通状態への切り替え時には、ＦＥＴ１２をオフさせた後に、ＦＥＴ１１の飽和電圧付近でＦＥＴ１１をオフさせる。 - 特許庁

The micromachine switch 1 is to control conduction or nonconduction of a signal line 3 by bringing a contact electrode 10 into contact with or separating it from the signal line 3.例文帳に追加

マイクロマシンスイッチ１は、信号線３に対して接触電極１０を接触又は開離させることにより、信号線３の導通又は非導通を制御するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the melted pattern destruction of a via chain caused by accumulation of charged particles and can diagnose a nonconduction failure location.例文帳に追加

本発明は、荷電粒子の蓄積によるビアチェーンのパターン溶融破壊を防止することができ、非導通不良の箇所の不良診断を行うことができる半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the nonconduction coils P1-Q2, P2-Q1 appear alternately at opposing positions and do not reside at asymmetric positions, magnetic balance is stabilized and whirling force of the armature is suppressed.例文帳に追加

無通電コイルＰ１−Ｑ２,Ｐ２−Ｑ１は対向位置に交互に発生し、無通電コイルが非対称位置に常在することがなく、磁気的なバランスが安定し、アーマチュアの振れ回り力が抑えられる。 - 特許庁

A control circuit 13, when switching the nonconduction state to the conduction state causes on the FET 11, which has the fast switching speed first to turn on and then causes the 2nd FET 12 to turn on in the timing to the saturation of the FET 11.例文帳に追加

制御回路１３は、非導通状態から導通状態への切り替え時には、最初にスイッチング速度の速いＦＥＴ１１をオンさせ、このＦＥＴ１１が飽和するタイミングで２つ目のＦＥＴ１２をオンさせる。 - 特許庁

The second electrode terminal and the second nonconduction terminal have portions penetrating the second thin film element layer, respective portions exposed to the upper and lower surfaces of the second thin film element layer, respectively.例文帳に追加

第２の電極端子と第２の非導通端子は、それぞれ、第２の薄膜素子層を貫通する貫通部と、第２の薄膜素子層の上面、下面にそれぞれ露出する上側露出部及び下側露出部と、を備える。 - 特許庁

The controller 41 controls the period of conduction state and nonconduction state of the switch SW3 such that conduction period of the switch SW3 is inverse proportional to the difference between the voltage of the voltage source VIN 10 and the terminal voltage of the load 12.例文帳に追加

コントローラ４１はスイッチＳＷ３の導通期間の長さが、電圧源ＶＩＮ１０の電圧と負荷１２の端子の電圧との間の差に反比例するように、スイッチＳＷ３の導通状態及び非導通状態である期間の長さを制御する。 - 特許庁

In the power unit, the control circuit 4 controls the excitation coil 11 of the contactor 3 to nonconduction state, the judgment circuit 17 detects the inductance of the excitation coil 11, and the adhesion detection circuit 5 judges adhesion from the detected inductance.例文帳に追加

この電源装置は、制御回路４がコンタクタ３の励磁コイル１１を非通電状態に制御して、判別回路１７が励磁コイル１１のインダクタンスを検出し、溶着検出回路５が、検出されるインダクタンスから溶着を判定する。 - 特許庁

A control circuit (8 or 20) controls the action of the switching element, and the conduction state of the switching element is completely controlled as a function of input voltage, and the nonconduction state of the switching element is controlled completely as a function of the output voltage.例文帳に追加

制御回路（８、２０）はスイッチング素子の動作を制御し、スイッチング素子の動通状態は完全に入力電圧の関数として制御され、スイッチング素子の非導通状態は完全に出力電圧の関数として制御される。 - 特許庁

An N/W interface circuit 4 and a video interface circuit 8 arranged to control communicable/uncommunicable independently are provided and a control section 6 monitors transmitting/receiving conditions of data from an external unit and controls conduction/nonconduction of respective interfaces.例文帳に追加

通信可能／非可能を独立して制御可能に構成されたＮ/Ｗインタフェース回路４とビデオインタフェース回路８とを設け、制御部６によって外部装置からのデータの送受信状況の監視されるとともに、夫々のインターフェースの通電／非通電が制御される。 - 特許庁

An FET 11, which has a fast-switching speed and an FET 12 which has small on-resistance are used by more than two, the active terminals (drain, source) of those FETs 11 and 12 are connected in parallel, and these FETs 11 and 12 are used in combination for switching between the conduction state and nonconduction state of a conduction path.例文帳に追加

スイッチング速度が速いＦＥＴ１１とオン抵抗の低いＦＥＴ１２を２つ以上用いて、これらのＦＥＴ１１，１２の能動端子（ドレイン、ソース）を並列接続し、これらのＦＥＴ１１，１２を併用して導電路の導通状態と非導通状態を切り替える。 - 特許庁

A DC voltage is switched by an inverter circuit 3 and is applied to a motor 4, the position of a rotor is detected by a position detection signal by an induced voltage generated at the nonconduction phase of the motor 4 for switching the conduction of the motor 4, and a switching element is controlled to drive the motor 4.例文帳に追加

直流電圧をインバータ回路３でスイッチングしてモータ４に印加し、このモータ４の非通電相に発生する誘起電圧による位置検出信号により回転子の位置を制御回路１０で検出してモータ４の通電を切り替え、かつスイッチング素子を制御してモータ４を駆動する。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit that reliably removes a false signal generated by exposure to transient voltage noise generated during a transition from a first state indicating conduction of a high potential side switching element to a second state indicating nonconduction of the high potential side switching device or a transition from the second state to the first state.例文帳に追加

高電位側スイッチング素子の導通を示す第１状態から前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第２状態への遷移、または前記第２状態から前記第１状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合に発生する誤信号を確実に除去する半導体回路を提供する。 - 特許庁

A pulse signal generation circuit 30 generates a pulse signal Vpulse having a low level indicative of the nonconduction state of each phase coil during an off-time Toff after the detection voltage Vdet has reached the control voltage Vctrl and having a high level indicative of the conduction state of each phase coil during the other period with reference to a comparison signal Vcmp outputted from the pulse modulation comparator 22.例文帳に追加

パルス信号生成回路３０は、パルス変調コンパレータ２２から出力される比較信号Ｖｃｍｐを参照し、検出電圧Ｖｄｅｔが制御電圧Ｖｃｔｒｌに達してからオフ時間Ｔｏｆｆの間、各相のコイルの不通電状態を指示するローレベルとなり、それ以外の期間、各相のコイルの通電状態を指示するハイレベルとなるパルス信号Ｖｐｕｌｓｅを生成する。 - 特許庁