「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type silicon layer 132 is left therein as it is.例文帳に追加

なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

A trench 5 is formed in a P type body region 4.例文帳に追加

Ｐ型のボディ領域４には、トレンチ５が形成されている。 - 特許庁

The isolation region 1 is formed by connecting P type buried diffusion layers 8, 9 with a P type diffusion layer 10.例文帳に追加

分離領域１は、Ｐ型の埋込拡散層８、９及びＰ型の拡散層１０が連結し、形成されている。 - 特許庁

A p-type well 3 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上層にｐ型ウェル３を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a p-type impurity is activated by heat-treatment.例文帳に追加

その後、熱処理により、ｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

After a p-type high-concentration semiconductor layer 21 is grown, the heat treatment 25 of the p-type high-concentration semiconductor layer 21 is carried out.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体層２１を成長した後に、ｐ型高濃度半導体層２１の熱処理２５を行う。 - 特許庁

An insulation film 24 is formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層上に絶縁膜２４が形成されている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 - 特許庁

Using a photo resist 5 as the mask, P-type dopants are implanted into a P-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

フォトレジスト５をマスクとしてポリシリコン膜３のＰ型注入領域にＰ型不純物を注入する（図１（ｂ））。 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING P-TYPE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ｐ型窒化物系化合物半導体膜の作製方法 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

ｎ型半導体薄膜（１１）はｐ型半導体基板（３）にｐｎ接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

The p+ type electric circuit 36 is connected by a bridge 501 constituted of each p type electrode 32 and each metallic film.例文帳に追加

ｐ^+型の電路３６が各々ｐ型の電極３２と各々金属膜から成るブリッジ５０１により接続される。 - 特許庁

EVALUATION METHOD FOR METAL IMPURITY CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor having photo-responsibility.例文帳に追加

光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。 - 特許庁

A P-type guard band layer 14 is formed so as to convolute with a P+-type guard band layer 13 while containing it.例文帳に追加

Ｐ−型ガードバンド層１４がＰ＋ガードバンド層１３に重畳されこれを包含するように形成されている。 - 特許庁

To enhance NBTI resistance of a p-type MOSFET.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのＮＢＴＩ耐性を向上させる。 - 特許庁

Furthermore, the thickness of the first p-type contact layer 16a and that of the second p-type contact layer 16b is totally 20 to 300 nm.例文帳に追加

また、第１ｐ型コンタクト層１６ａと第２ｐ型コンタクト層１６ｂの厚さの合計は、２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type electrode 4 comprising a transparent electrode is in ohmic contact with a surface of the p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。 - 特許庁

The anode includes a first p-type semiconductor anode region 204 and a second p-type semiconductor anode region 206.例文帳に追加

陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法 - 特許庁

The p-type layer 16 contains phosphorus as dopant.例文帳に追加

このｐ形層１６がドーパントとしてリンを含有している。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR SrCu2O2 SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

Ｐ形半導体ＳｒＣｕ２Ｏ２単結晶の製造方法 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁

A semiconductor layer 30 of a semiconductor device 1 includes an n-type drift region 33 and p-type body region 34.例文帳に追加

半導体装置１の半導体層３０は、n型のドリフト領域３３とp型のボディ領域３４を有している。 - 特許庁

The P-type layer 11 is connected to an emitter electrode 9.例文帳に追加

Ｐ型層１１はエミッタ電極９に接続されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型半導体結晶の製造方法および発光デバイス - 特許庁

p-TYPE TRANSPARENT OXIDE FILM DEPOSITING METHOD, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型透明酸化物膜の成膜方法及び太陽電池 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P TYPE OHMIC JUNCTION TO NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体へのＰ型オーム性接合形成方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁

The photoelectric conversion device 1 includes a p^--type photoelectric conversion layer 4 laminated on a p-type silicon substrate 2.例文帳に追加

この光電変換デバイス１は、ｐ型のシリコン基板２上に積層されたｐ^-型の光電変換層４を備えている。 - 特許庁

A CMOS composed of first and second FETs 1, 2 has N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12.例文帳に追加

第１及び第２のＦＥＴ１、２から成るＣＭＯＳは、N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２を有している。 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF AlGaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＡｌＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

To activate p-type impurities of a GaN-based semiconductor crystal layer doped with the p-type impurities by a simple method.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープしたGaN系半導体結晶層のｐ型不純物の活性化を容易な方法で行う。 - 特許庁

A p-type low density epitaxial growth layer 4 is formed on one surface of a p-type high density semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型高濃度半導体基板２の一表面上にＰ型低濃度エピタキシャル成長層４が形成されている。 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体およびその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体とその製造方法 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１とｎ型半導体層１２とのＰＮ接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

A second conductor layer 102 is a p-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes p-type impurities.例文帳に追加

第２導電体層１０２は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｐ型不純物を含むＰ型半導体層である。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法 - 特許庁