「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The encoding process includes deciding whether it is an I-type or P-type encoding.例文帳に追加

エンコーディング処理は、Ｉタイプ又はＰタイプエンコーディングかを判断することを含む。 - 特許庁

An N type epitaxial layer 3 is formed on a P type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型シリコン基板１上にＮ−型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 2 is formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上にはＮ型エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

To improve the performance of a p-type MOS transistor and an n-type MOS transistor.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタの性能を向上する。 - 特許庁

The p-type impurity layer 60 is formed between the n-type impurity layers 50.例文帳に追加

ｐ型不純物層６０はｎ型不純物層５０間に形成されている。 - 特許庁

In response to a gate electrode 15, a p-type layer 26a made of p-type AlGaAs is buried in the first barrier layer 24, and a p-type contact layer 26b made of p-type GaAs is buried in the surface layer 25.例文帳に追加

ゲート電極１５に対応してＡｐ型ｌＧａＡｓよりなるｐ型層２６ａを第１の障壁層２４に埋め込んで形成し、ｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型コンタクト層２６ｂを表面層２５に埋め込んで形成する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

A P-type second clad layer 20 whose thickness is almost 0.4 μm and which is composed of P-type Al0.07Ga0.93N, and a P-type contact layer 21 whose thickness is almost 0.1 μm and which is composed of P-type GaN, are grown on the etching stop layer 19A.例文帳に追加

続いて、エッチング停止層１９Ａの上に、厚さが約０．４μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐ型第２クラッド層２０と、厚さが約０．１μｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２１を成長する。 - 特許庁

The N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12 are arranged between the P-type source region and drain region and the N-type source region and drain region respectively, and formed also under a gate connection conductor layer.例文帳に追加

N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２は前記P形ソ−ス領域及びドレイン領域とN形ソ−ス領域及びドレイン領域との間にそれぞれ配置され且つゲ−ト接続導体層の下にも形成されている。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったｐ型ベース領域３の中央部の下部、具体的にはｐ型ベース領域３のうちソース電極１２と接触させられるボディｐ型層５の下部にｐ型層３ａを備える。 - 特許庁

The charge storage region is provided so as to contact the interface between the substrate and the insulator film (21), and includes a first conductive type (P-type) region (17) formed of a first conductive type (P-type) semiconductor and second conductive type (N-type) regions (11 and 12) provided under the first conductive type (P-type) region.例文帳に追加

そして、電荷蓄積領域は、基板と絶縁膜（２１）との界面に接するように設けられ、第１導電型（Ｐ型）半導体で形成された第１導電型（Ｐ型）領域（１７）と、その下に設けられ第２導電型（Ｎ型）領域（１１、１２）とを含むものである。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first p-type guide layer 7 that is formed on a substrate 1 and contains a p-type impurity (Mg); and an n-type current confinement layer 8 that is formed on the first p-type guide layer 7 to contact thereto and contains an n-type impurity (Si) and the p-type impurity (Mg).例文帳に追加

半導体装置は、基板１の上に形成されたｐ型不純物（Ｍｇ）を含む第１のｐ型ガイド層７と、該第１のｐ型ガイド層７の上にそれと接するように形成され、ｎ型不純物（Ｓｉ）及びｐ型不純物（Ｍｇ）を含むｎ型電流狭窄層８とを有している。 - 特許庁

A field-effect transistor is arranged on the photoelectric conversion layer by forming a p-type semiconductor layer 2 on a transparent substrate 1, forming an n-type well 3 on the p-type semiconductor layer 2, forming a p-type well 4 on the n-type well 3, and forming the field-effect transistor on the p-type well 4.例文帳に追加

透明基板１にＰ型半導体層２を形成し、Ｐ型半導体層２にＮ型ウェル３を形成し、Ｎ型ウェル３にＰ型ウェル４を形成し、Ｐ型ウェル４に電界効果型トランジスタを形成することにより、光電変換層上に電界効果型トランジスタを配置する。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

A plurality of p-type wells 103 are provided at the outside of the p-type annular well 181, and an n-type well 101 is provided so as to surround respective outside surfaces of the p-type wells 103.例文帳に追加

Ｐ型環状ウェル１８１外側には、Ｐ型ウェル１０３が複数設けられており、Ｐ型ウェル１０３の各々の外部の側面を囲むようにＮ型ウェル１０１が設けられている。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

P-type regions 5 are extendedly provided from a P-type base region 6 toward the direction of a P-type anode region 6, and an n-type region 4, which is used as one part of a drift region, is inserted between these regions 5.例文帳に追加

ｐ型ベース領域６からｐ型アノード領域６方向に向けｐ型領域５を延設し、このｐ型領域５によってドリフト領域の一部となるｎ型領域４を挟み込む。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The cell A has a P-type MIS transistor which includes a P-type source region 13PS, a P-type drain region 13PD, and a gate electrode 16A; and an N-type substrate contact region 13NSC.例文帳に追加

セルＡは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ａとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｎ型基板コンタクト領域１３ＮＳＣとを有している。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

A wafer is etched to form a trench of the p-type layer and expose the p-type layer so that hydrogen can be diffused outside the p-type layer of a semiconductor of a buried-type III group nitride compound.例文帳に追加

水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半導体のｐ型層から外方拡散できるようにするために、ウェハはｐ型層のトレンチを形成してｐ型層を露出させるべくエッチングされる。 - 特許庁

The p^+-type body layer 6 is equipped, thereby preventing punch through due to a depletion layer spreading from between the p-type base region 3 (p^+-type body layer 6) and an n^--type drift layer 2, and withstand voltage can be improved.例文帳に追加

ｐ^+型ボデー層６を備えることによって、ｐ型ベース領域３（ｐ^+型ボデー層６）とｎ^-型ドリフト層２の間より広がる空乏層により、パンチスルーしないようにでき、耐圧を向上できる。 - 特許庁

The semiconductor layer includes a p-type silicon substrate 1 and a p^--type epitaxial layer 2, which are first conductive semiconductor layers, and an n-type silicon substrate 5a which is laminated and arranged on the p^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

半導体層は、第１導電型半導体層であるｐ型シリコン基板１およびｐ^−型エピタキシャル層２と、このｐ^−型エピタキシャル層２上に積層配置されたｎ型シリコン基板５ａとを含む。 - 特許庁

An n-type clad layer 12, an n-side guide layer 14, an active layer 16, a p-side guide layer 18, a p-type clad layer 20, and a p-type contact layer 22 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ型クラッド層１２、ｎ側ガイド層１４、活性層１６、ｐ側ガイド層１８、ｐ型クラッド層２０、及びｐ型コンタクト層２２が順番に形成されている。 - 特許庁

The difference of the recording paper P is either one of differences in the type of recording paper P and the size of recording paper P.例文帳に追加

記録紙Ｐの違いは、記録紙Ｐの種類、又は、記録紙Ｐのサイズの少なくともいずれか一方の違いである。 - 特許庁

A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加

Ｐ型基板の表面にＰウエル２を形成し、平面視でＰウエル２の内部にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

The PNP type transistor is a perpendicular type and comprises a p-type emitter region 70, an n-type base region 72, a p-type collector region 74, and a collector electrode leading region 76.例文帳に追加

ＰＮＰ型トランジスタは、垂直型であって、ｐ型エミッタ領域７０、ｎ型ベース領域７２、ｐ型コレクタ領域７４、及びコレクタ電極引き出し領域７６を備える。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

Structure in which the N type layers 2 and the P type layers 3 are repeatedly arranged by further making a region sandwiched between the P type layers 3 in the N-type substrate 10 be the N type layer 2.例文帳に追加

また、Ｎ型基板１０のうち各Ｐ型層３に挟まれた領域をＮ型層２とすることで、当該Ｎ型層２とＰ型層３とが繰り返し配置された構造を形成する。 - 特許庁

A level-type first switch 21 of an automatic reset type and a button type second switch 22 of an automatic reverting type are provided on a panel P.例文帳に追加

パネルＰに、レバー式の自動復帰型の第１スイッチ２１と、ボタン式の自動復帰型の第２スイッチ２２を設ける。 - 特許庁

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。 - 特許庁

The p-type dopant diffused region becomes a p-type semiconductor layer 3, and this forms a p-n junction 17 between the two layers 4 and 3.例文帳に追加

これにより、ｐ型ドーパントが拡散された領域がｐ型半導体層３とされ、ｎ型半導体層４との間でｐ−ｎ接合部１７が形成される。 - 特許庁

And the p-type epitaxial layer PEpi2 is connected to the ground via the p-type epitaxial layer PEpi1, the p-well PW, a p+ diffusion region PD5, a via V11 and wiring W11.例文帳に追加

そして、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２を、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１、ＰウエルＰＷ、ｐ^＋拡散領域ＰＤ５、ビアＶ１１及び配線Ｗ１１を介して接地端子に接続する。 - 特許庁

To provide a technique by which the phenomenon is suppressed that p-type impurities included in a p-type semiconductor region are diffused to another adjacent semiconductor region while occurrence of dislocation is being suppressed.例文帳に追加

転位の発生を抑制しながら、p型半導体領域に含まれるp型不純物が隣接する他の半導体領域に拡散する現象を抑制する技術を提供する。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

Control and protection system: Automatic Train Stop system (ATS) P-type (pattern-type) (=ATS-P) and ATS-SW between Amagasaki Station and Shin-Sanda Station, improved ATS (ATS-Sx) between Shin-Sanda Station and Fukuchiyama Station 例文帳に追加

保安装置：尼崎～新三田間自動列車停止装置P形（パターン形）（自動列車停止装置拠点P）/ATS-SW併設、新三田～福知山間自動列車停止装置改良形ATS（Sx形） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After the SiO2 film containing P is removed, the SiO2 film containing no P is formed on the surface of the P-type silicon substrate 14, then the P-type silicon substrate 14 is heated.例文帳に追加

その後、Ｐを含んでいたＳｉＯ_２膜を除去した後、Ｐ型シリコン基板14の表面にＰを含まないＳｉＯ_２膜を形成し、さらに当該Ｐ型シリコン基板14を加熱する。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer 20 comprises an n-type semiconductor layer 2, an active layer 3, a p-type semiconductor layer 4, and a p-type contact layer 5; and is formed on a matrix substrate 1 consisting of sapphire through a known method, then, a p-type electrode is formed on the p-type contact layer 5.例文帳に追加

サファイアからなる母材基板１の上にｎ型半導体層２と活性層３とｐ型半導体層４とｐ型コンタクト層５とからなる窒化物半導体層２０を既知の方法により形成し、ｐ型コンタクト層５の上にｐ型電極を形成する。 - 特許庁

There are provided p-type or n-type thermoelements 50, 60; electrodes 71, 72, 73 bonded to the p-type or n-type thermoelements 50, 60; and interlayers provided between the p-type or n-type thermoelements 50, 60; and the electrodes 71, 72, 73.例文帳に追加

Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と、Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と接合される電極７１，７２，７３と、Ｐ型またはＮ型の熱電素子５０，６０と電極７１，７２，７３との間に設けられた中間層とを備える。 - 特許庁

P-TYPE MgZnO-BASED THIN FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及び半導体発光素子 - 特許庁

The volume difference (VD_-P) between a drum type tank 98 and a pipe type tank 88 coincides nearly with the volume VB of a brush roller 81 (V≈VB).例文帳に追加

ドラム型タンク９８とパイプ型タンク８８の容積差（Ｖ_D-P）はブラシローラ８１の体積Ｖ_Bとほぼ一致する（Ｖ≒Ｖ_B）。 - 特許庁

P TYPE RECEIVER, OPERATION SUPPORTING PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

Ｐ型受信機および作業支援プログラムおよび記録媒体 - 特許庁