「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In particular, a p-type ZnO nanowire or a p-type ZnO nanosheet can be formed as a p-type ZnO nanostructure by suitably selecting pressure and temperature.例文帳に追加

特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。 - 特許庁

P-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｐ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

The surface of each p-type clad layer 5 is formed flat.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５の表面を平坦に形成する。 - 特許庁

P-TYPE ZnO SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

The p type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce a p type diffusion layer and solar cells having the p type diffusion layer.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

P-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING FLUORINATED CHANNEL例文帳に追加

フッ素化チャネルを有するＰ型有機電界効果トランジスタ - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layr 15, and a p-type semiconductor layer are laminated on a substrate 11; and a p-side main electrode 21 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１５およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側主電極２１が設けられている。 - 特許庁

Further, in a region between the p^+-type region 5 and the p^++-type region 4 of the photodiode's surface, a p^+-type region 12 was formed whose impurity concentration is medium between the two.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード部表面のｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との間の領域に不純物濃度が両者の間となるｐ^+型領域12を形成した。 - 特許庁

Thus, a p-type region 15 is formed (figure 1d).例文帳に追加

したがって、ｐ型領域１５が形成される（図１ｄ）。 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

The second p-type layer contacts the light-emitting part, between the first p-type layer and the light-emitting part, contains Al, and contains the p-type impurity at a second concentration lower than the first concentration.例文帳に追加

第２ｐ形層は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

MANUFACTURE OF p-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

A stripe-like ridge 19 is constituted of a p-type AlGaAs 2nd clad layer 9 and a p-type cap layer 10 formed on the p-type AlGaAs 2nd clad layer 9.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９と、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層９上に形成されたｐ型キャップ層１０とでストライプ状のリッジ１９を構成する。 - 特許庁

P-TYPE SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

The p-type diffusion layer and a solar battery cell having the p-type diffusion layer are manufactured by coating the p-type diffusion layer forming composition and performing thermal diffusion on the composition.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM TO P-TYPE例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GAN SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

METHOD OF FORMING p-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の形成方法 - 特許庁

At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32.例文帳に追加

少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a P type gate electrode of an NMOSFET which can function surely as a P^+ type gate electrode (metal-like gate electrode) by maintaining high concentration of P type impurities.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴのＰ型ゲート電極のＰ型不純物濃度を高濃度に保って確実にＰ^＋型ゲート電極（メタルライクなゲート電極）として機能できるようにする。 - 特許庁

A p-type micelle solution is prepared similarly.例文帳に追加

ｐ型も同様に分散させミセル溶液を作成する。 - 特許庁

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE In-Ga-Zn-O FILM例文帳に追加

ｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LOW RESISTIVITY P-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM例文帳に追加

低抵抗ｐ型酸化亜鉛薄膜の製造方法 - 特許庁

The light receiving region 110 includes a p-type contact layer.例文帳に追加

受光領域１１０は、ｐ型コンタクト層を備える。 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC CONVERTING MATERIAL AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

Ｐ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁

The transistor has n- and p-type embodiments.例文帳に追加

本トランジスタはｎ型及びｐ型実施形態を有する。 - 特許庁

The p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 is, for example, a p-type Al_0.08Ga_0.92N例文帳に追加

ここで、ｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２は、例えばｘ＝０．０８のｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ層である。 - 特許庁

Each of p-type deep layers 10 has a layout where the p-type layer is divided into a plurality portions in a direction intersecting with a trench 6.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０をトレンチ６と交差する方向において複数に分断したレイアウトとする。 - 特許庁

For example, a trench 13 is formed in a prescribed part of a p^- type region 12 as a p^- type body region.例文帳に追加

例えば、Ｐ型のボディー領域としてのＰ^−型領域１２の所定部に、溝部１３が形成されている。 - 特許庁

Further, GaN and Mn are a p-type at room temperature, so they are usable for a p-type layer of a semiconductor element.例文帳に追加

また、ＧａＮ：Ｍｎは常温でもｐ型を示すので半導体素子のｐ型層として用いることができる。 - 特許庁

On the surface of well 3, a p-type diffusion layer 6 as well as a source 4 and a drain 5 of the n-type diffusion layer are formed.例文帳に追加

ウエル3の表面には、p型の拡散層6と、n型の拡散層のソース4及びドレイン5とが形成されている。 - 特許庁

A lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) 1 includes p-type collector regions 46, 48 and a p-type collector well region 44.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

A P-N junction element concerning the present invention is provided with a P-type organic composite layer and an N-type organic composite layer.例文帳に追加

本発明に係るＰ−Ｎ結合素子は、Ｐ型有機複合層と、Ｎ型有機複合層と、を備える。 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

In this case, the internal stress of the p-type resistor 16D is larger than that of the p-type gate electrode 16C.例文帳に追加

ｐ型抵抗体１６Ｄの内部応力は、ｐ型ゲート電極１６Ｃの内部応力よりも大きい。 - 特許庁

As it approaches the first p-type region 11, the potential of the second p-type region 14 is decreased.例文帳に追加

そして第１のＰ型領域１１に近付くにつれて第２のＰ型領域１４の電位が低くなる。 - 特許庁

A heavily doped p-type contact layer 4 is formed in the p-type impurity layer 2 so as to decrease a contact resistance.例文帳に追加

ｐ型不純物層２内には、コンタクト抵抗を下げるための高濃度のｐ型コンタクト層４が形成される。 - 特許庁

The time and temperature of annealing depends on an interval of the exposed surface of the p-type layer and a thickness of the p-type layer.例文帳に追加

アニール時間及び温度はｐ型層の露出させた面の間隔及びｐ型層の厚さに依存する。 - 特許庁

The p-type dopant is added to the gallium nitride based semiconductor, and as the p-type dopant, for example, magnesium is used.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。 - 特許庁