「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device being capable of reducing a contact resistance between a p-type contact layer and a p-type electrode and having the p-type electrode.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

An n-type clad layer 3 consisting of n-type AlGaN, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 consisting of p-type AlGaN, and a p-type contact layer 6 consisting of p-type GaN, are sequentially laminated on the n-type contact layer 2, so that part of the n-type contact layer 2 is exposed.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２の一部を露出させるように、ｎ型コンタクト層２の上には、ｎ型のＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層３と、発光層４と、ｐ型のＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５と、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６とが順次積層されている。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.例文帳に追加

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。 - 特許庁

A conductivity type of the low-concentration doped regrowth layer 13 is an undope type or a p type.例文帳に追加

低濃度ドーピング再成長層１３の導電型はアンドープもしくはｐ型とする。 - 特許庁

The thickness of gate insulating films of a load type P-type MOS and a drive type N-type MOS is 4 nm or less.例文帳に追加

負荷型Ｐ型ＭＯＳ及び駆動型Ｎ型ＭＯＳのゲート絶縁膜厚は、４ｎｍ以下である。 - 特許庁

A P-type region 4 and an N-type region 5a are formed in a P-type well 2, a P-type region 7a and an N-type region 8 are formed in an N-type well 3, and an N-type region 6 is formed straddling both the wells 2 and 3.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２内にはＰ型領域４，Ｎ型領域５ａが、Ｎ型ウェル３内にはＰ型領域７ａ，Ｎ型領域８がそれぞれ形成され、両ウェル２及び３にまたがってＮ型領域６が形成されている。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

A p-type drain region 330 and the second p-type base region 420 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ドレイン領域３３０と第２のｐ型ベース領域４２０とは電気的に接続されている。 - 特許庁

A p-type base layer 20 is divided into a plurality of p-type base regions 9, 10, and 12 using trenches 21.例文帳に追加

トレンチ２１によりｐ型ベース層２０を複数のｐ型ベース領域９，１０，１２に分割する。 - 特許庁

P-TYPE FIRE ALARM FACILITY, AND ITS FIRE DETECTOR例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備およびその火災感知器 - 特許庁

The thickness of a P-type silicon layer 21a is made as thick as a depletion layer on the side of the P-type silicon layer 21.例文帳に追加

また、Ｐ型シリコン層２１aの厚さをＰ型シリコン層２１側の空乏層の厚さと同等にする。 - 特許庁

The first p-type body region 50a and the first p-type base region 220 are connected electrically.例文帳に追加

第１のｐ型ボディ領域５０ａと、第１のｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

A P-type material is a disc-shaped liquid crystal material for forming columns 5 on a P-type surface layer 7.例文帳に追加

ｐ型物質は、コラム５をｐ型表面層７上に形成する円盤状液晶物質である。 - 特許庁

The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.例文帳に追加

分離領域３は、Ｐ型の埋込拡散層とＰ型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加

これにより、Ｐ型半導体基板１１１表面にｐ型層１１７ａ，１１７ｂが形成される。 - 特許庁

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加

ｐ−型接続層１３Ｂの不純物濃度はｐ型埋め込み層１３Ａのそれより小さい。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層の形成方法および装置 - 特許庁

A ridge 20 is formed on the p-type clad layer 16.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６にリッジ２０を形成する。 - 特許庁

In this case, the p-type window layer 8 is pasted on the p-type clad layer 7 by thermo-compression bonding.例文帳に追加

尚、このｐ型ウインドウ層８は、ｐ型クラッド層７上に熱圧着によって貼り付けられている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

To achieve high performance of an oxide film as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加

ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。 - 特許庁

Meanwhile, an ohmic electrode 10 is formed on the rear surface of the P-type substrate 2, which makes contact with the P-type layer 1.例文帳に追加

一方、Ｐ型基板２の裏面にはオーミック電極10を形成しＰ型層１にコンタクトをとる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 - 特許庁

Also, one portion of the p-type electrode 9 is in ohmic contact with the p-type contact layer 7.例文帳に追加

また、ｐ側電極９の一部は、ｐ型コンタクト層７とオーミック接続された状態で接している。 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, P-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY CELL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型酸化物半導体およびその製造方法 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

By these processes, hydrogen content in a clad layer 506 of p-type (Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P is lowered.例文帳に追加

これにより、p型（Al_0.7Ga_0.3）_0.5In_0.5Pクラッド層５０６中の水素含有量を低減する。 - 特許庁

On the surface of an N type layer 22, a P+ type layer 26 is formed.例文帳に追加

Ｎ型層２２の表面にはＰ＋型層２６が形成されている。 - 特許庁

A p-type gate region 103 is provided on the n-type channel region 203.例文帳に追加

Ｎ型チャネル領域２０３上にＰ型ゲート領域１０３がある。 - 特許庁

An N-type region 60 is arranged in the P-type well 52 to reach the N-type layer 51 beneath the P-type diffusion region 38.例文帳に追加

Ｎ型領域６０が、Ｐ型拡散領域３８の下方においてＮ型層５１に到達するように、Ｐ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

The deep n-type well and the p-type substrate are coupled to ground.例文帳に追加

深いｎ型ウェルおよびｐ型基板は接地電位点に接続する。 - 特許庁

By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁