「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

The P-type doped silicon precursor, in which a dopant is bonded to a polymer of cyclopentasilane, is formed by irradiating a cyclopentasilane solution 11 with ultraviolet rays 15 emitted from a high-pressure mercury lamp 14 and including a ray having a first wavelength for radicalizing a dopant and a light having a second wavelength for radicalizing the cyclopentasilane, and at the same time, supplying diborane gas as a dopant gas 16 to the cyclopentasilane solution 11.例文帳に追加

シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device including a Pd electrode, which prevents, in a simple manner, yield deterioration resulting from sticking of the Pd electrode on a detached insulating film onto the surface of the semiconductor light-emitting device, or the occurrence of portions where pad electrodes are not formed, and avoid a contact of a p-type contact layer with the pad electrode.例文帳に追加

本発明は、Ｐｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This electroluminescent element supporting a metal complex compound containing sp^2 type P atom and an organic thin membrane consisting of at least one layer or in a plurality of layers having a luminescent layer between a pair of electrodes is provided with that at least one layer of the organic thin membrane layers contains the metal complex compound and the organic electroluminescent element emits light by impressing an electric voltage between the two electrodes.例文帳に追加

ｓｐ^2型Ｐ原子を含む金属錯体化合物、並びに、一対の電極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記金属錯体化合物を含有し、両極間に電圧を印加することにより発光する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

On the basis of the resulting relationship a capacitor 12 charges and discharges a current mirror circuit 8 and a P type MOS transistor 4, to generate an output signal 'Vout'.例文帳に追加

カレントミラー回路１０を構成するＰ型ＭＯＳトランジスタ３によって、差動増幅回路７に一定電流“Ｉ_ｃｏｎｔ”を供給させながら、この差動増幅回路７によって、入力信号“Ｖ_ｉｎ”と、しきい値となる定電圧“Ｖ_Ｅ１”との大小関係を判定させるとともに、この判定関係に基づき、カレントミラー回路８、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ４に、コンデンサ１２を放電または充電させ、出力信号“Ｖ_ｏｕｔ”を生成させる。 - 特許庁

This fire receiver in P type fire alarm equipment is provided with a line display part for displaying the line of a predetermined fire sensor, an address display part for displaying the address of the predetermined fire sensor, and a room number display part for displaying the room number of a room where the predetermined fire sensor is set when the predetermined fire sensor issues warning.例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備における火災受信機において、所定の火災感知器が発報したときに、上記所定の火災感知器の回線を表示する回線表示部と、上記所定の火災感知器のアドレスを表示するアドレス表示部と、上記所定の火災感知器が設置されている部屋の部屋番号を表示する部屋番号表示部とを有するＰ型火災報知設備における火災受信機である。 - 特許庁

This Gemini type fluorine-based surfactant having the azobenzene backbone as the spacer is obtained by comprising a first process of diazotizing p-aminophenol, then a second process of performing a coupling reaction to synthesize OH-azo, a third process of synthesizing Br-azo by 1,2-dibromoethane, further a fourth process of synthesizing DN-azo by dimethylamine and finally a fifth process of introducing a fluorinated carbon chain.例文帳に追加

ｐ−アミノフェノールをジアゾ化する第１工程、次いで、カップリング反応を行い、ＯＨ−ａｚｏを合成する第２工程、１，２−ジブロモエタンによりＢｒ−ａｚｏを合成する第３工程、さらに、ジメチルアミンによりＤＮ−ａｚｏを合成する第４工程、最後に、フッ化炭素鎖を導入する第５工程からなることにより、アゾベンゼン骨格をスペーサーとするＧｅｍｉｎｉ型フッ素系界面活性剤を実現した。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

In this transporting method where the powder is conveyed from a gas blow-in type fluidized bed powder tank 1 to a spray gun 13 by using an ejector pump 8, the ejector pump sucks and transports powder particles P, which exist in a floating state, i.e., in a form of powder aerosol, above the level surface L of a powder fludized bed 7a.例文帳に追加

気体吹き込み型流動床式の粉体タンク（１）から、エゼクタポンプ（８）を用いて粉体を噴出ガン（１３）へ搬送する方法であって、エゼクタポンプの吸引が粉体タンク内の粉体流動層（７ａ）のレベル面（Ｌ）より上に浮遊状態すなわち粉体エアロゾルで存在する粉体粒子（Ｐ）を吸引して搬送するようにしたことを特徴とする、粉体塗装における粉体の微量搬送方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group-III nitride semiconductor device having a p-type group-III nitride semiconductor layer, an insulating film covering a surface of the group-III nitride semiconductor and having a through hole bored, and a metal film contacting the surface of the group-III nitride semiconductor exposed on a bottom surface of the through hole, the semiconductor device being excellent ohmic contact characteristics being actualized.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層と、そのIII族窒化物半導体層の表面を覆っているとともに貫通孔が形成されている絶縁膜と、貫通孔の底面に露出している前記III族窒化物半導体層の表面に接している金属膜を備えているIII族窒化物半導体装置の製造方法において、良好なオーミック特性を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The laminated optoelectric converter includes a laminate of a plurality of silicon-based optoelectric conversion layers having a pin structure wherein at least a pair of adjoining optoelectric conversion layers sandwiches an intermediate layer composed of silicon nitride, the pair of optoelectric conversion layers is interconnected electrically, and a p-type silicon based semiconductor layer which is a part of the optoelectric conversion layer and is in contact with the intermediate layer contains nitrogen atoms.例文帳に追加

本発明の積層型光電変換装置は、ｐｉｎ構造を有する複数のシリコン系光電変換層を重ねて備え、隣接する少なくとも一対の前記光電変換層は、窒化シリコンからなる中間層を挟持し、前記一対の前記光電変換層は、互いに電気的に接続されており、前記光電変換層の一部であり前記中間層と接するｐ型シリコン系半導体層は窒素原子を含有する。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a substrate 101 comprising a semi-insulating InP; a hole transit layer 102 formed on the substrate 101 and comprising GaAsSb in which carbon (C) is introduced as a p-type impurity; a channel layer 103 formed on the hole transit layer 102 and comprising InGaAs; an electron supply layer 104 formed on the channel layer 103; and a barrier layer 105 formed on the electron supply layer 104.例文帳に追加

半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されて、炭素（Ｃ）がｐ形の不純物として導入されたＧａＡｓＳｂからなる正孔走行層１０２と、正孔走行層１０２の上に形成されたＩｎＧａＡｓからなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成された電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備える。 - 特許庁

A multilayer reflection film electrode has a reflection electrode layer 122 laminated on a p-type semiconductor later 100, an agglomeration preventing electrode layer 126 laminated on the reflection electrode layer 122 to prevent an agglomeration phenomenon of the reflection electrode layer 122, and a diffusion preventing electrode layer 124 inserted between the reflection electrode layer 122 and the agglomeration preventing electrode layer 126 to prevent the diffusion of the agglomeration preventing electrode layer 126.例文帳に追加

ｐ型半導体層１００上に積層される反射電極層１２２、反射電極層１２２の集塊現象を防止するために反射電極層１２２上に積層される集塊防止電極層１２６、及び集塊防止電極層１２６の拡散を防止するために反射電極層１２２と集塊防止電極層１２６との間に挿入された拡散防止電極層１２４を備える多層反射膜電極である。 - 特許庁

This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｔｅからなる原料を溶融する第１のステップと、該第１のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のｐ型、若しくはｎ型半導体材料を得る第２のステップと、該第２ステップで得られたｐ型、若しくはｎ型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第３ステップと、該第３ステップで得られた単結晶をｐ型、若しくはｎ型半導体材料で被覆焼成する第４ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for preparing a transistor having a semiconductor containing source and drain regions and a channel formation regions, a gate insulated film in contact with the semiconductor, and a gate electrode in contact with the gate insulated film; the source and drain regions are formed by adding N or P type impurities in the semiconductor and then radiating an Nd: YAG laser beam onto the semiconductor having the impurities added therein.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む半導体、該半導体に接したゲート絶縁膜並びに該ゲート絶縁膜に接したゲート電極を有するトランジスタの作製方法において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、半導体にＮ型もしくはＰ型の不純物を添加した後、前記不純物が添加された半導体にＮｄ：ＹＡＧレーザー光を照射して形成されることを特徴とするトランジスタの作製方法。 - 特許庁

To provide a P type fire receiver for setting a room number for each address applied to each line or fire sensor, and for setting the room number for each line or fire sensor by a board switch and a display part, and for eliminating the use of any equipment exclusive for input other than the receiver at the time of setting the room number for each line or fire sensor.例文帳に追加

回線毎に、または火災感知器に付与されているアドレス毎に、部屋番号を設定することができ、また、盤面スイッチと表示部とによって、上記回線毎にまたは上記火災感知器毎に部屋番号を設定することができ、つまり、上記回線毎にまたは上記火災感知器毎に部屋番号を設定するに際して、受信機以外の入力専用の機材が不要であるＰ型火災受信機を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In a light emitting device having a first barrier layer made of an undoped first conduction type boron phosphide semiconductor formed on a substrate and a light emitting layer, formed on the first barrier layer and constituted of a plurality of layers of group III nitride semiconductors different in band gaps and overlapping each other, the light emitting layer constituting layer nearest to the first barrier layer is made of a group III nitride semiconductor including phosphorus P.例文帳に追加

基板上に設けられたアンドープで第１の伝導形のリン化硼素系半導体からなる第１の障壁層と、第１の障壁層上に設けられた、互いに禁止帯幅を相違するＩＩＩ族窒化物半導体からなる複数の構成層を重層させてなる発光層とを備えた発光素子に於いて、第１の障壁層に最も近い側に設ける発光層の構成層をリン（Ｐ）を含むＩＩＩ族窒化物半導体とする。 - 特許庁

The positive type resist composition contains a compound which generates an acid when irradiated with electron beams or X-rays, a resin having the residue of a compound having a smaller ionization potential than p- ethylphenol in a group which is released by the action of the acid and having solubility in an alkali developing solution increased by the action of the acid and at least one acetal compound having a specified structure.例文帳に追加

電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物、酸の作用により脱離する基の中に、ｐ−エチルフェノールのイオン化ポテンシャル値より小さいイオン化ポテンシャル値を示す化合物の残基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び特定の構造のアセタール化合物のうち少なくとも一種を含有することを特徴とする電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物。 - 特許庁

In the semiconductor device, having a gate-drain overlapped structure composed of a first gate electrode 3 and second gate electrodes 6 arranged via an insulation film 5 on a gate insulation film 2 formed on a p-type semiconductor substrate 1, the first gate electrode 3 and the second gate electrodes 6 are connected electrically through a first titanium silicide film 10 formed for bridging the second gate electrodes 6 from the first gate electrode 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜２上に第１のゲート電極３と第２のゲート電極６とが絶縁膜５を介して並設されて成るゲート・ドレインオーバーラップ型構造を有する半導体装置において、前記第１のゲート電極３と第２のゲート電極６とが、当該第１のゲート電極３から第２のゲート電極６に跨るように形成された第１のチタンシリサイド膜１０により、電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A bonding pad is formed on part of the translucent ohmic electrode layer, and a current block layer is provided between the translucent ohmic electrode layer and the high defect density part of the p-type layer, the bonding pad being disposed above the current block layer.例文帳に追加

該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 - 特許庁

This method comprises a naphthalene hydrocarbon selected from naphthalene, methylnaphthalene, dimethylnaphthalene, trimethylnaphthalene, a polymethylnaphthalene and/or their mixture with one or more kinds of benzene hydrocarbon selected from benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, pentamethylbenzene and/or hexamethylbenzene under an at least partially liquid phase condition in the presence of a catalytic composition containing a zeolite belonging to MTW structure type and at least one element selected from P, B and Si.例文帳に追加

ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、トリメチルナフタレン、ポリメチルナフタレン、および／またはそれらの混合物から選択されたナフタレン炭化水素を、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼンおよび／またはヘキサメチルベンゼンから選択された１種以上のベンゼン炭化水素と、少なくとも部分的に液相条件下で、ＭＴＷ構造型に属するゼオライトおよびＰ、ＢおよびＳｉから選択された少なくとも１種の元素を含んで成る触媒組成物の存在下で反応させることを含んで成る。 - 特許庁

The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加

一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁

The effects of a patent shall not extend to: 1. acts done privately for non-commercial purposes; 2. acts done for experimental purposes relating to the subject matter of the patented invention; 2a. the use of biological material for breeding, discovery and development of a new plant variety type; 2b. studies and trials and the resulting practical requirements necessary for obtaining a marketing authorization to place a medicinal product on the market in the European Union or a marketing approval for a medicinal product in the Member States of the European Union or in third countries; the extemporaneous preparation of medicinal products in individual cases in a pharmacy in accordance with a medical prescription, or acts concerning the medicinal products so prepared; 4. the use of the subject matter of the patented invention on board of vessels of another member state of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property, in the body of the vessel, in the machinery, tackle, gear and other accessories, should such vessel temporarily or accidentally enter waters to which the territory of application of this Act extends, on the condition that this subject matter is used exclusively for the needs of said vessel; 5. the use of the subject matter of the patented invention in the construction or operation of aircraft or land vehicles of another member state of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property or the use of accessories for such aircraft or land vehicles should these temporarily or accidentally enter the territory to which this Act applies; 6. the acts specified in Article 27 of the Convention on International Civil Aviation of December 7, 1944 (Federal Law Gazette [Bundesgesetzblatt], 1956, II, p. 411), where such acts concern the aircraft of another state to which the provisions of that Article are applicable. 例文帳に追加

特許の効力は，次のものには及ばない。1. 非商業目的で私的に行われる行為2. 特許発明の内容に関係して実験の目的で行われる行為 2a. 植物新品種の育成，発見及び開発のための生物学的材料の使用 2b. 医薬品を欧州連合の市場に投入する販売許可，又は欧州連合の加盟国若しくは第3国における医薬品についての販売承認を取得するために必要とされる研究，試験及びその後の実務的要件3. 医師の処方に従って薬局内で個別に即席で行われる医薬の調合，又はそのようにして調合された医薬に関する行為 4.工業所有権の保護に関するパリ条約の他の加盟国の船舶が一時的又は偶発的に本法の施行水域に入った場合において，その船体に関し，又はその機械，索具，装置及びその他の付属物に関し，その船舶上で行われる特許発明の内容の使用。ただし，この内容が専ら当該船舶の必要のために使用されることを条件とする。5.工業所有権の保護に関するパリ条約の他の加盟国の航空機又は車両が一時的又は偶発的に本法の施行領域に入った場合において，航空機又は車両の構造若しくは操作，又は当該航空機又は車両の付属物における特許発明の内容の使用6. 1944年12月 7日の「国際民間航空に関する条約」第 27条(連邦法律公報1956，II, p.411)に明記した行為。ただし，当該行為が，同条の規定の適用対象である他国の航空機に関するものであることを条件とする。 - 特許庁