「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type well region 26 is formed in an N-type epitaxial layer 25.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２５にＰ型ウェル領域２６を形成する。 - 特許庁

P-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR, N-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタ、Ｎ型薄膜トランジスタ及び半導体装置 - 特許庁

An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮ型ウェル２を形成する。 - 特許庁

A P-type MOS high-voltage transistor 45 is equipped with a bottom N-type well 8, N-type wells 11, and P-type wells 16 formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐＭＯＳ高電圧トランジスタ４５は、シリコン基板１にボトムｎウェル８、ｎウェル１１、およびｐウェル１６が形成されている。 - 特許庁

To prevent p-type impurities from mixing into an n-type semiconductor layer and n-type impurities from into a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｎ型半導体層へのＰ型不純物の混入およびＰ型半導体層へのＮ型不純物の混入を防止すること。 - 特許庁

Since the p-type defect levels disappear through hydrogenation, effect of an n-type dopant (phosphorus) is actualized and the p-type film is rendered n-type.例文帳に追加

水素処理を施すことにより、ｐ型の欠陥準位が消滅するため、ｎ型ドーパント（リン）の効果が顕在化してｎ型化する。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

In an n-type well of a p-type semiconductor substrate 1, a p-type diffusion layer 15 functioning as a storage node is so formed as to be connected to a p-type source region 8b.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１のＮ型ウェルにＰ型ソース領域８ｂに接続するようにストレージノードとして機能するＰ型拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.例文帳に追加

このような構造とすることで、サージ電流の経路をｎ型ドリフト層２→ｐ型層３ａ→ｐ型ベース領域３ａ→ボディｐ型層５とすることが可能となる。 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板７の表面にＰウェル４が形成されている。 - 特許庁

The p-type conductive layer is formed on the active layer, and the transparent conductive layer is formed on the p-type conductive layer, and the non-p-type ohmic contact layer is disposed between the p-type conductive layer and the transparent conductive layer.例文帳に追加

ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型の熱電材料及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE CONTACT ELECTRODE DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐ型コンタクト電極装置および発光装置 - 特許庁

Thereby, p-type ZnO film is obtained.例文帳に追加

この結果、ｐ型ＺｎＯ膜を得ることができた。 - 特許庁

FIRE RECEIVER IN P TYPE FIRE ALARM EQUIPMENT例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備における火災受信機 - 特許庁

The distance from the primary surface to the bottom of a p-type impurity region PR of an I/O p-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the p-type impurity region PR of a core p-type transistor.例文帳に追加

主表面からＩ／Ｏｐ型トランジスタのｐ型不純物領域ＰＲの最下部までの距離は、主表面からコアｐ型トランジスタのｐ型不純物領域の最下部までの距離より長い。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

P-TYPE CLAD STRUCTURE OF ZnSe LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＺｎＳｅ系発光素子のｐ型クラッド構造 - 特許庁

Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加

次いで、トレンチをｐ型半導体２５で埋める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GALLIUM NITRIDE THIN LAYER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法 - 特許庁

The doping concentration of the second p-type region 6 is lower than that of the first p-type region 5, and the lower end of the second p-type region 6 is located lower than the lower end of the first p-type region 5.例文帳に追加

第２のｐ型領域６のドーピング濃度は、第１のｐ型領域５のドーピング濃度より低く、第２のｐ型領域６の下端は、第１のｐ型領域５の下端よりも下方に位置する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

At first, an N-type embedded region 5 and P-type embedded regions 6 are formed on a P-type semiconductor base board 4.例文帳に追加

まず、Ｐ型半導体基板４上にＮ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６を形成する。 - 特許庁

Then, a P^+- type layer 9 is formed by diffusing a P-type impurity into the surface layer of the N^--type channel layer 8.例文帳に追加

その後、Ｎ^-型チャネル層８の表層部にＰ型不純物を気相拡散させることで、Ｐ^+型層９を形成する。 - 特許庁

An n+-type diffusion layer 16 is formed on the side counterposed to the p-type diffusion layer 14 of the p-type diffusion layer 15.例文帳に追加

ｐ型拡散層１５のｐ型拡散層１４に対向する側にはｎ^+型拡散層１６が形成される。 - 特許庁

The p-type first buried layer 70a_1 is composed of InP doped with n-type impurities and p-type impurities (Zn).例文帳に追加

ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１は、ｎ型不純物及びｐ型不純物（Ｚｎ）がドープされたＩｎＰからなる。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

Thus areas of the p-type active layers 2a between the p-type electrode 3 and the n-type electrodes 4 become light- emitting regions 6.例文帳に追加

ｐ電極３とｎ電極４との間におけるｐ型活性層２ａの領域が発光領域６になる。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

In addition, a p-type latch-up preventing layer PL is provided between a p^+-type contact layer PC and the n-type hole barrier layer NHB.例文帳に追加

さらに、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣとｎ型ホールバリア層ＮＨＢの間にｐ型ラッチアップ防止層ＰＬを設ける。 - 特許庁

The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加

ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁

A P-type second drain region 6 is formed in an N-type well region 4 formed in a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２に形成されたＮ型ウェル領域４にＰ型第２ドレイン領域６が形成されている。 - 特許庁

The P-type intermediate layer 56 and the P-type can layer 57 above the P-type clad layer 55 are formed into a stripe 58 which serves as a current injection region.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の上部、ｐ型中間層及びｐ型キャップ層は、ストライプ部５８として形成され、電流注入領域となっている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層形成組成物の製造方法、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

The p-type guide layer 16 has a super lattice structure wherein a p-type AlGaN layer and p-type GaN layer are alternatively repeatedly stacked a plurality of times.例文帳に追加

ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

A P-type flat initial impurity profile is kept in a P-type region 21a of the P-type semiconductor substrate 21 present above the N diffusion layer 35.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５の上部に存在するＰ型半導体基板２１のＰ領域２１ａではＰ型の平坦な初期不純物プロファイルが維持されている。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of the P-type well area 52C is formed, and a MOS transistor is formed in the P-type well area 52C.例文帳に追加

Ｐ型ウエル領域５２Ｃの底部に接するＰ＋型埋め込み層５５を設け、Ｐ型ウエル領域５２Ｃの中にＭＯＳトランジスタを設ける。 - 特許庁