「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

A plurality of stripe shape grooves 5 are formed at a p-type base layer 4 side which has a p-type emitter layer 3, a n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded/formed in the groove 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

An N+-type surface diffusion layer 8 is arranged between P+-type surface layers 6a and 6b which serve as an anode, by which a photocurrent is restrained from leaking out through a P-type channel formed between the P+-type surface diffusion layers 6.例文帳に追加

アノードとなる複数のＰ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ間にＮ^+型表面拡散層８を配置して、Ｐ^+型表面拡散層６間に生成するＰ型チャネルを通じての光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

Overall P+-type surface layers 6a and 6b are surrounded with an N+-type surface diffusion layer 4, by which a photocurrent is retrained from leaking out of the P+-type surface layers 6a and 6b to a P+-type isolation layer 3.例文帳に追加

また、Ｐ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ全体をＮ^+型表面拡散層４により囲むことにより、Ｐ^+型表面拡散層６ａ，６ｂからＰ^+型分離層３への光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

A p-type well 2 has a higher impurity concentration than that of the p-type RESURF layer 18, and is formed in contact with the p-type RESURF layer 18 on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２はＰ型リサーフ層１８よりも高い不純物濃度を有しており、かつＮ型不純物領域１内の基板５０上面においてＰ型リサーフ層１８と接触して形成されている。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type Si substrate 109, a plurality of p-type wells 103a and 103b connected with each other by means of the bottom side of the p-type Si substrate 109, and an n-type well 101 formed surrounding sides of the p-type wells 103a and 103b.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型Ｓｉ基板１０９と、Ｐ型Ｓｉ基板１０９の底面側を介して互いに接続する、複数のＰ型ウェル１０３ａ、１０３ｂと、Ｐ型ウェル１０３ａ、１０３ｂの側部を囲むように設けられている、Ｎ型ウェル１０１と、を備える。 - 特許庁

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁

The p^++ type semiconductor regions 14 are formed on side parts and bottom parts of recessed parts 10 as well, and reach the p^++ type high-concentration substrate 7 to electrically connect the zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 13 to the p^++ type high-concentration substrate 7 through surface electrodes 23 and the p^++ type semiconductor regions 14.例文帳に追加

ｐ^＋＋型半導体領域１４は、凹部１０の側部および底部にも形成され、ｐ^＋＋型高濃度基板７に達し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１３とによるツェナー接合を表面電極２３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を介してｐ^＋＋型高濃度基板７と導通させる。 - 特許庁

A P-type MOS transistor M1 and an N-type MOS transistor M2 are inserted to the conventional circuit.例文帳に追加

従来回路にＰ型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｎ型ＭＯＳトランジスタＭ２を挿入した。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

An n-type diffused layer 13 and a p-type diffused layer 14 are formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型拡散層１３及びｐ型拡散層１４を形成する。 - 特許庁

A region p+-type buried layer 7 is disposed under an n+-type source layer 13.例文帳に追加

Ｎ＋型のソース層１３の下の領域Ｐ＋型の埋め込み層７が配置される。 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

Both P-type impurity and N-type impurity is injected from multiple directions.例文帳に追加

Ｐ型不純物およびＮ型不純物は、いずれも複数の方向から注入される。 - 特許庁

The active layer 25 is provided between the n-type clad layer 21 and the p-type clad layer 23.例文帳に追加

活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。 - 特許庁

N-type diffusion layers 25 and 26 are formed in a surface parts of the p-type wells 22 and 24.例文帳に追加

ｐ型ウェル２２及び２４の表面部には、ｎ型拡散層２５、２６が形成される。 - 特許庁

A p-type body region 50a is electrically connected to an n-type source region 120.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

An adjacent p-type region 12 is formed immediately under the n-type region 11.例文帳に追加

このＮ型領域１１の直下に隣接してＰ型領域１２が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

A sampling circuit is composed of a p-type channel and n-type channel field effect transistors (FET).例文帳に追加

サンプリング回路はｐチャネル及びｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成される。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, a p-type well region PWEL is uniformly provided.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型のウェル領域ＰＷＥＬが一様に設けられている。 - 特許庁

On the top surface of a p-type silicon substrate 1, an n-type source/drain region 4 is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面に、ｎ型ソース／ドレイン領域４が形成される。 - 特許庁

A plurality of n type diffusion layers 24 are formed on the surface of a p type semiconductor layer 23.例文帳に追加

ｐ型半導体層２３表面に複数のｎ型拡散層２４を形成する。 - 特許庁

To arrange p^+ type diffusion layers and n^+ type diffusion layers finely without bringing into contact with each other.例文帳に追加

ｐ^＋型拡散層とｎ^＋型拡散層を接触させずに細かく配置する。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 6 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５の表面にＮ＋型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

The p^+ type anode layer 15 and the n^- type base layer 14 form a pn junction.例文帳に追加

上記ｐ^＋型アノード層１５とｎ^−型ベース層１４でｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

A p-type epitaxial film 102 is made on the surface of an n-type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１０１の表面にＰ型エピタキシャル薄膜１０２を形成する。 - 特許庁

In the internal region of the P-type well 23, an N^+-type source layer 26 is formed.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

A p-type body region 50a and an n-type source region 120 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｎ型ソース領域１２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

N-type regions 61-66 are formed in the same line on a P-type substrate 60.例文帳に追加

Ｐ型基板６０上にＮ型領域６１〜６６が同一行に形成されている。 - 特許庁

Then the N+ type area 5 and P+ type area 8 are thermally diffused through a heat treatment.例文帳に追加

その後、熱処理をしてＮ＋型領域５及びＰ＋型領域８を熱拡散する。 - 特許庁

A p-type source region 210 and the n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ソース領域２１０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

An n-type channel region 203 is provided inside a p well 202 on an n-type substrate 201.例文帳に追加

Ｎ型基板２０１上のＰウェル２０２内部にＮ型チャネル領域２０３がある。 - 特許庁

N type regions 61-66 are formed in the same column on a P type substrate 60.例文帳に追加

Ｐ型基板６０上にＮ型領域６１〜６６が同一行に形成されている。 - 特許庁

The charge generated in the P-type diffusion region 38 is absorbed in the N-type region 60.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域３８で発生した電荷がＮ型領域６０に吸い込まれる。 - 特許庁

The guard ring 30 is made of a second-conductivity-type p-type GaN to the GaN layer 13.例文帳に追加

ガードリング３０は、ＧａＮ層１３とは第２導電型のｐ型ＧａＮからなる。 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed on the surface of the n-type low-concentration layer 11.例文帳に追加

Ｎ型低濃度層１１の表面にはＰ型拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

A deep N-type well 310 is provided in a P-type substrate 100 under the second part.例文帳に追加

ディープＮ型ウェル３１０は、第二部分の下、Ｐ型基板１００の中で設けられる。 - 特許庁

A p-type channel layer 103 is formed on the upper of the n-type semiconductor layer 102.例文帳に追加

Ｎ型半導体層１０２の上面にＰ型チャネル層１０３が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

Thereafter, a p-type semiconductor layer 2003 is formed on the n-type semiconductor layer 2004.例文帳に追加

次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁