「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加

第１の主面２０ａは、ｎ型表面２０ａｎ及びｐ型表面２０ａｐを含む。 - 特許庁

An N^+ type source layer 26 is formed in the inner region of the P type well 23.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type region 24 is formed at the surface-layer section of the p^--type region 23.例文帳に追加

また、Ｐ^−型領域２３の表層部には、Ｎ^＋型領域２４が形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

The n-type layer 3 comprises, for example, a p-type dopant, such as Mg as well as an n-type dopant like Si, while the p-type layer 5 comprises, for example, an n-type dopant such as Si as well as p-type dopant such as Mg.例文帳に追加

このｎ形層３が、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントだけでなく、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントを含有しており、また、ｐ形層５も、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントだけでなく、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントを含有している。 - 特許庁

This element has a configuration in which a p-type electrode 8 is formed on the p-type layer 7 and an n-type electrode 9 is formed on the surface of a second n-type layer 4 exposed by removing a part of a multilayer structure from the p-type layer 7 to the second n-type layer 4.例文帳に追加

ｐ型層７の上にはｐ型電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ型電極９が形成された構成となっている。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層２２によって、第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３からなるｎ型クラッド層の屈折率と、第１ｐ型クラッド層２５と第２ｐ型クラッド層２６からなるｐ型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LIGHT TRANSMISSIVE PART IN P-TYPE GaN LAYER例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 - 特許庁

A concentration of a p-type impurity of the second partial region 44 is higher than a concentration of a p-type impurity of the first partial region 42.例文帳に追加

第２部分領域４２のｐ型不純物の濃度は、第１部分領域４４のｐ型不純物濃度よりも濃い。 - 特許庁

In the surface section of the extension drain area 103, in addition, a p-type region 107 composed of a p--type impurity layer is formed.例文帳に追加

延長ドレイン領域１０３の表面部にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型領域１０７が形成されている。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁

The threshold voltage of the p-type thin-film transistor 6 cannot fluctuate easily.例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタ６の閾値電圧が変動しにくくなる。 - 特許庁

Since the polycrystalline SiGe film 3 has many p-type defect levels, it exhibits p-type conduction when doped with a small quantity of phosphorus.例文帳に追加

多結晶ＳｉＧｅ膜３はｐ型の欠陥準位を多く持っているので、少量のリンドープではｐ型伝導を示す。 - 特許庁

The threshold values are changed by changing the materials of the p-type organic semiconductors (5D, 5L).例文帳に追加

第１のｐ型有機半導体層(5D)にドナーを含ませる。 - 特許庁

A metal contact layer 55 is formed on the p-type epitaxial layer.例文帳に追加

ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池 - 特許庁

A ridge section is formed on the p-type AlGaN clad layer 8 and a p-type GaN cap layer 9 is formed on the upper surface of the ridge section.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８にリッジ部が形成され、リッジ部上面にｐ−ＧａＮキャップ層９が形成されている。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

The p-type electrode 4 is used as an upper clad layer in common.例文帳に追加

ｐ型電極４は、上部クラッド層として兼用される。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode 7 is formed to have an opening on the light-extraction part of the p-type GaN contact layer 6.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層６の光取り出し部上に開口を持つようにｐ側オーミック電極７が形成されている。 - 特許庁

Concentration of this p-type impurity is 1×10^15cm^-3.例文帳に追加

このｐ型不純物の濃度は、１×１０^15ｃｍ^-3である。 - 特許庁

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

At the same time, the second trench is filled with a p-type semiconductor 28.例文帳に追加

同時に、第２のトレンチがｐ型半導体２８で埋められる。 - 特許庁

The channel layer 3 has a p-type impurity layer 3a at the lower portion thereof and has an undoped layer 3b on the p-type impurity layer 3a.例文帳に追加

チャネル層３は、該チャネル層３の下部にｐ型不純物層３ａを有し、その上にアンドープ層３ｂを有している。 - 特許庁

The gate terminals of the p-type transistor constituting each inverter circuit are connected to the gate terminal of the p-type transistor P0.例文帳に追加

それぞれのインバータ回路を構成するｐ型トランジスタのゲート端子は、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子に接続されている。 - 特許庁

LOW RESISTANCE p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZnS AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｐ型単結晶ＺｎＳおよびその製造方法 - 特許庁

A stripe-shaped stripe 2 is formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層には、ストライプ状のストライプ部２が形成される。 - 特許庁

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY SOLUTION USING SINGLE/POLY P-TYPE FLASH TECHNOLOGY例文帳に追加

シングルポリ・ｐフラッシュ技術を使用した不揮発性メモリソリューション - 特許庁

A P+type contact layer 11 is formed on the surface of the P-type body layer 6 exposed to a bottom surface of the second contact hole 10.例文帳に追加

第２のコンタクトホール１０の底面に露出したＰ型ボディ層６の表面にＰ＋型コンタクト層１１を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRANSLUCENT CONTACT PART IN P-TYPE GaN LAYER例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 - 特許庁

A differential amplifier circuit 30 is provided with a P type transistor 36 and a P type transistor 38 and operated by an input voltage VIN2D.例文帳に追加

差動増幅回路３０は、Ｐ型トランジスタ３６とＰ型トランジスタ３８とを含み、入力電圧Ｖ_IN2により動作する。 - 特許庁

Then a p-type silicon peeler 15 is formed inside the trench 13.例文帳に追加

次に、トレンチ１３の内部にｐ型シリコンピラー１５を形成する。 - 特許庁

Then the cathode electrode 24 is formed from a P-type silicon.例文帳に追加

そして、陰極電極２４をＰ型シリコンにより形成する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion region 21 constituting the ZD is formed at the center of an element to prevent an increase in total amount of p-type dopants.例文帳に追加

素子中央にＺＤを構成するＰ^+型拡散領域２１を形成し、Ｐ型不純物総量の増加を防いだ。 - 特許庁

A trench area 14 is formed on a memory cell P-type well 13.例文帳に追加

メモリセルＰ型ウェル１３にトレンチ領域１４を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE FOR P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、およびｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体用の電極の製造方法 - 特許庁

CARBON MONOXIDE GAS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

一酸化炭素ガスセンサ、及びＰ型半導体の製造方法 - 特許庁

Security system: Automatic Train Stop (ATS): Keihan Speed Pattern type ATS (Speed ATS-P) 例文帳に追加

保安装置：自動列車停止装置京阪型速度照査ATS - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Safety system: ATS (Automatic Train Stop system), Keihan-type speed ATS-P 例文帳に追加

保安装置：自動列車停止装置京阪型速度照査ATS - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH P TYPE RE-GROWN CHANNEL LAYER例文帳に追加

Ｐ型の再成長したチャネル層を有する半導体トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF P-TYPE CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

ｐ型立方晶炭化珪素単結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁