「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of the integrated circuit equipped with a plurality of p-type electric field effect type transistors, a plurality of n-type electric field effect type transistors, a P-type substrate contact region 6 and an N-type substrate contact region 5 on a substrate.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に、複数のｐ型電界効果型トランジスタ、複数のｎ型電界効果型トランジスタ、Ｐ型基板コンタクト領域６及びＮ型基板コンタクト領域５を備えた集積回路からなる。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

The refractive index relaxing layers 107a and 107b are formed as a p-type area whose refractive index is the same as that of a p-type second clad layer 107.例文帳に追加

屈折率緩和層１０７ａ，１０７ｂは、ｐ型第２クラッド層１０７と同じ屈折率を有するｐ型領域である。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

The concentration of p-type impurities of the curved part 36b of the resurf layer 36 is smaller than that of p-type impurities of the linear parts 36a and 36c.例文帳に追加

リサーフ層３６の曲線部３６ｂのｐ^—型不純物濃度は、直線部３６ａ，３６ｃのｐ^—型不純物濃度よりも薄い。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

At this time, the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are formed by diffusing them from the surface of the first p-type epitaxial layer 7.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の埋込拡散層４３、４４、４５は１層目のエピタキシャル層７表面から拡散して形成されている。 - 特許庁

To provide a Mg_2Si system p-type thermoelectric material having a thermoelectric performance higher than that of the conventional Mg_2Si system p-type thermoelectric material.例文帳に追加

従来のＭｇ_２Ｓｉ系のｐ型熱電材料に比べて熱電性能の高いＭｇ_２Ｓｉ系のｐ型熱電材料を提供する。 - 特許庁

To prevent p-type dopants from entering a gate insulation film.例文帳に追加

ｐ型不純物がゲート絶縁膜に進入することを防止する。 - 特許庁

Concentration of p-type impurity included in the region 21 is about 1.5 to 2.5 times the concentration of the p-type impurity included in the region 22.例文帳に追加

領域２１に含まれるＰ型の不純物の濃度は、領域２２に含まれるＰ型の不純物の濃度の１．５〜２．５倍である。 - 特許庁

The first layer of the p-type GaAs layers contacts the p-type band-discontinuity relaxation layer 10 and the m+1 th layer of the GaAs layers contacts a first electrode 14.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。 - 特許庁

The incorporated Mn forms a shallow acceptor level, and the GaN becomes a p-type semiconductor.例文帳に追加

Ｍｎが浅いアクセプタレベルを形成し、ＧａＮがｐ型を示す。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed to the opening 9h.例文帳に追加

開口９ｈには、ｐ型半導体層１１が設けられている。 - 特許庁

A first capacitor is connected to both ends of the p-type charge pump.例文帳に追加

第１のキャパシタがｐ型電荷ポンプの両端に結合される。 - 特許庁

The graded composition superlattice layer 20 is formed by laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i and p-type ZnSe layers 20b, 20d, 20f, 20h, 20j alternately.例文帳に追加

組成傾斜超格子層２０はｐ型ＺｎＴｅ層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉとｐ型ＺｎＳｅ層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊとを交互に積層して形成する。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

The p-type electrode 112 is arranged in the light receiving surface 119.例文帳に追加

ｐ型電極１１２は、受光面１１９内に配置されている。 - 特許庁

The well is electrically isolated from the P conductivity-type substrate.例文帳に追加

ウエル（Ｗｐ）は前記基板（Ｓｐ）から電気的に分離されている。 - 特許庁

SILICON CARBIDE BASED P-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭化珪素系ｐ型熱電変換材料及びその製造方法 - 特許庁

The AuGa film 2 is formed on the p-type contact layer 1.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層１上にはＡｕＧａ膜２が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor layer 102 is formed as the p-type one with the addition of carbon (C).例文帳に追加

半導体層１０２は、Ｃの添加によりｐ型とされている。 - 特許庁

The active region includes at least one additional p-type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

The p-type dopant is ion-implanted into a silicon carbide substrate through an opening in a mask to form the deep p-type implantation region.例文帳に追加

炭化シリコン基板内にマスクの開口部を通してｐ型ドーパントをイオン注入して深いｐ型注入領域を形成する。 - 特許庁

An n-type drift region DRI and a p-type body region BO are formed at the main surface side of the p^- epitaxial region EP2.例文帳に追加

ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２の主表面側には、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。 - 特許庁

Moreover, a projected ridge stripe of the p-type AlGaN clad layer 4 and the p-type GaN contact layer 5 constitutes a ridge part A.例文帳に追加

また、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４の凸形状のリッジストライプとｐ型ＧａＮコンタクト層５とでリッジ部Ａが構成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor 2 and a P-type semiconductor 3 are laminated on a substrate 1 made of a compound semiconductor to form a P-N junction 4.例文帳に追加

化合物半導体から成る基板１にＮ形半導体２、Ｐ形半導体３を積層してＰＮ接合部４を形成する。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 23 is formed to have an impurity concentration lower than that of the P-type diffusion layer 22 and have a diffusion width which is smaller.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層２３は、Ｐ型の拡散層２２よりも不純物濃度が低く、その拡散幅が狭く形成される。 - 特許庁

The p-type layer 26a can increase a built-in voltage.例文帳に追加

ｐ型層２６ａによりビルトイン電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

An insulating film 13 is formed on the P type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１２上には、絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

By irradiating laser light (ν) on these p-type nitride semiconductor layers 6-9, the p-type dopants contained therein are activated.例文帳に追加

これらのｐ型の窒化物半導体層６〜９に対してレーザ光νを照射することによりｐ型不純物の活性化を行う。 - 特許庁

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18.例文帳に追加

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。 - 特許庁

A ferroelectric layer 19 is formed on the P-type substrate 3.例文帳に追加

強誘電体層１９ｂは、Ｐ型基板３上に形成される。 - 特許庁

p-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT USING IT例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子 - 特許庁

In addition, the signal ground-pair transmission line 30 is connected to the source layer 4 of the transistor 10 and a P^+-type layer 8 in the P-type well 2.例文帳に追加

また、信号グランドペア伝送線路３０は、ドライバトランジスタ１０のソース層４、Ｐウエル２中のＰ^＋層８にそれぞれ接続される。 - 特許庁

An interlayer dielectric 23 is formed on the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に層間絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

A second p-type region 8 is electrically floating.例文帳に追加

第２のＰ型領域８は電気的に浮遊状態になっている。 - 特許庁

Two p-type load transistors are formed in the n well 14.例文帳に追加

ｎウェル１４には、二つのｐ型負荷トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The thickness of each p-type GaAs layer is 10 nm or less.例文帳に追加

各ｐ型ＧａＡｓ層の厚さはそれぞれ１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

At the termination section 5, there is a p-type horizontal resurf region 130.例文帳に追加

終端部５にはｐ型横型リサーフ領域１３０を設ける。 - 特許庁

The carrier concentration of the first p-type inversion area 5a is set higher than that of second p-type inversion area 5b.例文帳に追加

第１のｐ型反転領域５ａのキャリア濃度は第２のｐ型反転領域５ｂのキャリア濃度より高く設定されている。 - 特許庁

Further, it is desired that the p-type semiconductor layer is porous.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層は、多孔質体であることが望ましい。 - 特許庁

Trenches 3 are provided so as to penetrate through the P-type anode layer.例文帳に追加

Ｐ型アノード層を貫通するようにトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

A gate turn-off thyristor has bonding wires 23 extended in a first direction (length direction) P of mesa type p-type anode emitter layers 4.例文帳に追加

このゲートターンオフサイリスタで、ボンディングワイヤ２３はメサ型のｐ型のアノードエミッタ層４の第１の方向(長手方向)Ｐに延在している。 - 特許庁