「p- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The inverter circuit Q1 is constituted of a P-channel type transistor TR1, and an N-channel type transistor TR2.例文帳に追加

インバータ回路Ｑ1は、Ｐチャネル型のトランジスタＴR1と、Ｎチャネル型のトランジスタＴR2とで構成される。 - 特許庁

An n-type drift region 101 is formed on a surface part of a p-type silicon substrate 100.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ドリフト領域１０１が形成されている。 - 特許庁

A P-type MOS transistor 158 and an N-type MOS transistor 160 are connected with a node N1.例文帳に追加

ノードＮ１にはＰ型ＭＯＳトランジスタ１５８、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１６０が接続される。 - 特許庁

The laminate 40 comprises a p-type clad layer 1', an active layer 2', and an n-type clad layer 3'.例文帳に追加

積層体４０は、ｐ型クラッド層１’、活性層２’およびｎ型クラッド層３’から成っている。 - 特許庁

An n-type layer 21 and a p-type layer 22 are formed in sequence on a CrN layer 13 (Fig.1(c)).例文帳に追加

ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。 - 特許庁

On a surface of the p^--type base region 2, an n^+-type emitter region 4 is selectively formed.例文帳に追加

ｐ^−型ベース領域２の表面にｎ^＋型エミッタ領域４が選択的に形成されている。 - 特許庁

A gate oxide film 36 and a P+ type gate electrode 35 are formed on an N-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１上にゲート酸化膜３６およびＰ+型ゲート電極３５を形成する。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

A p type base region 2 is selectively provided on a surface of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面に、ｐ型のベース領域２が選択的に設けられている。 - 特許庁

An emitter electrode 10 is connected to the p^--type base region 2 and the n^+-type emitter region 4.例文帳に追加

ｐ^−型ベース領域２とｎ^＋型エミッタ領域４にエミッタ電極１０が接続されている。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 115 is so formed as to surround a p^+-type diffusion layer 114b.例文帳に追加

Ｐ^＋拡散層１１４ｂを取り囲むようにＮ型拡散層１１５が形成されている。 - 特許庁

On a principal surface side of the optical device 10, a p-type electrode 15 and an n-type electrode 16 are provided.例文帳に追加

光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。 - 特許庁

The p-type extension layer 11p is formed thicker than an n-type extension layer 11n.例文帳に追加

ｐ型エクステンション層１１ｐは、ｎ型エクステンション層１１ｎに比べて厚く形成されている。 - 特許庁

A low resistance p-type emitter layer 2 is formed on the rear of a high resistance n-type base layer 1.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の裏面に低抵抗のｐ型エミッタ層２が形成される。 - 特許庁

In addition, a second P-type conductive region 25 is disposed adjacently to the first N-type conductive region 2.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２に隣接して第２Ｐ型導電領域２５を配置する。 - 特許庁

The semiconductor device has the N-type MOS transistor 11 and the P-type MOS transistor 12.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２とを備えている。 - 特許庁

An n^--type resurf region 202 is formed on the front surface of a type p^- semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ^- 型半導体基板２０１の表面部にＮ型リサーフ領域２０２が形成されている。 - 特許庁

The storage area 191 includes a p-type well 105, an n-type well 113, and a bottom well 102.例文帳に追加

記憶領域１９１は、ｐ型ウェル１０５と、ｎ型ウェル１１３と、ボトムウェル１０２とを含む。 - 特許庁

An n+-type buffer layer 8 and a p+-type collector layer 9 satisfying the relation d2/d1>1.5 are made.例文帳に追加

ｄ２／ｄ１＞１．５を満たすｎ^+ 型バッファ層８およびｐ^+ 型コレクタ層９を形成する。 - 特許庁

The LED bare chip is provided with a P-type electrode Lp and an N-type electrode Ln on a rear surface.例文帳に追加

このＬＥＤベアチップは、Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎを裏面に備えている。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is sandwiched by the p-type layer 1 and the n-type layer 2.例文帳に追加

当該交互ヘテロ接合層５は、ｐ型層１とｎ型層２とにより挟持されている。 - 特許庁

A p-type collector region 103 is formed on a surface part of the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１０１の表面部にｐ型コレクタ領域１０３が形成されている。 - 特許庁

The N-type element 5 and a P-type element 3 are connected to each other in two points so as to constituted a circuit.例文帳に追加

Ｎ形素子５とＰ形素子３は互いに２点で接合させて回路を構成する。 - 特許庁

Two n-type transfer transistors and two n-type drive transistors are formed in the p well 12.例文帳に追加

ｐウェル１２には、二つのｎ型転送トランジスタ、二つのｎ型駆動トランジスタが形成されている。 - 特許庁

All of the first to sixth transistors Tr1 to Tr6 are an N-channel type or P-channel type.例文帳に追加

第１乃至第６トランジスタＴｒ１−６は、全てＮチャネル型又はＰチャネル型である。 - 特許庁

Each tunnel junction structure includes a p-type lower layer 20 and an n-type upper layer 21.例文帳に追加

各トンネル接合構造は、ｐ型の下部層２０とｎ型の上部層２１とを含んでいる。 - 特許庁

The transistor TR12 is of an n-channel type and is formed on the surface of the p-type semiconductor substrate 50.例文帳に追加

ＴＲ１２はＮチャネル型であり、Ｐ型半導体基板５０の表面に形成される。 - 特許庁

As a result, an N+-type buffer layer 20 and a P+-type anode layer 21 are formed on the rear face of the wafer.例文帳に追加

その結果、ウエハの裏面にｎ^+バッファ層２０及びＰ^+型のアノード層２１が形成される。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 30 has an N-type gate portion 30N and a P-type gate portion 30P.例文帳に追加

ゲート電極３０は、Ｎ型ゲート部分３０ＮとＰ型ゲート部分３０Ｐとを有している。 - 特許庁

The material contains p-type semiconductor powder or n-type semiconductor powder, and an adhesive.例文帳に追加

この材料は、Ｐ型半導体粉末又はＮ型半導体粉末と、粘着剤とを含む。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

A P^+-type guard ring region 6 is formed on one surface of an N-type semiconductor region 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域５の表面にＰ^＋型ガードリング領域６が形成されている。 - 特許庁

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。 - 特許庁

The P-type electrode Lp is larger in area than the N-type electrode Ln.例文帳に追加

Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎとでは、Ｐ型電極Ｌｐの方が面積が広い。 - 特許庁

A P-type layer 14 is formed on the surface of a semiconductor substrate 12 of N type silicon.例文帳に追加

Ｎ型シリコンの半導体基板１２の表面にはＰ−型層１４が形成されている。 - 特許庁

A p+-type embedded layer 4 is formed on the region under the n+-type second drain layer 3.例文帳に追加

また、Ｎ＋型の第２ドレイン層３の下の領域にＰ＋型埋め込み層４を形成する。 - 特許庁

A P^+-type body region 4 is formed at the surface layer section of an N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３の表層部には、Ｐ^＋型のボディ領域４が形成されている。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

An N+-type emitter region 5 is formed on the surface of the substrate within the P-type base region 3.例文帳に追加

Ｐ型ベース領域３内の基板表面にＮ^+型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

An n-type silicon carbide source layer 5 is formed on the p-type silicon carbide channel layer 4.例文帳に追加

そして、ｎ型炭化珪素ソース層５は、ｐ型炭化珪素チャネル層４上に形成される。 - 特許庁

In part of the front surface of the p-type semiconductor layer, another n-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

Ｐ型の半導体層表面の一部に、別のＮ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

The n+ type semiconductor region 17E is formed separated from the p+ type semiconductor region 18F.例文帳に追加

また、ｎ^+型半導体領域１７Ｅとｐ^+型半導体領域１８Ｆとを離間して形成する。 - 特許庁

A p+ type punch-through stopper 5 may be formed directly under an n type first semiconductor region 4.例文帳に追加

ｎ型第１半導体領域４直下には、ｐ^＋ 型パンチスルーストッパ５を形成してもよい。 - 特許庁