「plasma nitridation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a processing apparatus and a processing method which are excellent in uniformizing nitridation quantities among wafers in a plasma nitriding processing.例文帳に追加

プラズマ窒化処理においてウェハ間の窒化量を均一にする、優れた処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

DPN (decoupled plasma nitridation) is used to improve the robustness of the ultra-thin gate oxide.例文帳に追加

超薄型ゲート酸化物の堅牢性を改良するために、ＤＰＮ（デカップルド‐プラズマ窒化物形成）が使用される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA NITRIDATION OF GATE DIELECTRICS USING AMPLITUDE MODULATED RADIO-FREQUENCY ENERGY例文帳に追加

振幅変調された高周波エネルギーを使用してゲート誘電体をプラズマ窒化するための方法及び装置 - 特許庁

Nitriding can be selectively carried out by rapid thermal nitridation (RTN), furnace nitriding, remote plasma nitriding (RPN), decoupled plasma nitriding (DPN), and wale implantation or polysilicon implantation, or by various techniques, including combinations of these methods.例文帳に追加

窒化は、急速熱窒化（ＲＴＮ）、炉窒化、リモート・プラズマ窒化（ＲＰＮ）、デカップルド・プラズマ窒化（ＤＰＮ）、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。 - 特許庁

Plasma is generated under an atmosphere of a gas containing nitrogen atoms and plasma nitridation is performed on part of the oxide film, so that a semiconductor substrate in which an insulating film containing nitrogen atoms is formed over the oxide film is obtained.例文帳に追加

そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for a plasma nitridation process that does not cause excessive damage of a silicon dioxide layer and a silicon substrate with nitrogen ions.例文帳に追加

二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The nitridation method comprises a step of irradiating a material (a glass substrate 30 having a TiO_2 film 32 on the surface thereof) with an atmospheric-pressure plasma jet 2 generated by using a gaseous raw material 40 containing nitrogen at the least.例文帳に追加

窒素を少なくとも含む原料ガス４０を用いて発生させた大気圧プラズマジェット２を材料（ＴｉＯ_2膜３２が表面に形成されたガラス基板３０）に照射する。 - 特許庁

To provide a metallic surface nitriding method which accelerates formation of a nitrogen diffused layer and which thereby facilitates formation of a surface hardened layer reaching the depth, in metal nitridation using electron beam excitation plasma and its device.例文帳に追加

電子ビーム励起プラズマを用いた金属窒化処理において、窒素拡散層の生成をさらに加速し深いところまで達する表面硬化層を容易に形成するようにした金属材料の表面窒化処理方法とそれを実施する装置を提供する。 - 特許庁

Since the surface hardening by the plasma nitridation only formes the hardened layer and dispersion of nitride into a base material hardly occurs, deterioration in permeability at a relatively deep position inside the base material away from the base material surface can be suppressed.例文帳に追加

また、プラズマ窒化による表面硬化処理では、硬化層が形成されるのみであり、母材内部への窒素の拡散がほとんどみられないので、母材表面から離れた母材内部の比較的深い位置での透磁率の悪化を抑えることができる。 - 特許庁

In the plasma nitriding processing apparatus that nitrides a substrate having an insulating film, the wafer temperature is in-process monitored before starting the plasma nitiding processing, and the plasma nitriding time or process pressure is controlled by feeding the monitored value of the wafer temperature back to a CPU to enhance the uniformity of the nitridation quantities among the wafers.例文帳に追加

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をＣＰＵにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁