「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma processing equipment is provided with a processing chamber 102 having a table 106 for mounting a wafer W, and a plasma generating chamber 104 interconnected therewith.例文帳に追加

ウエハＷを載置する載置台１０６を備える処理室１０２とこれに連通するプラズマ生成室１０４を備える。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a plasma processing system for surely suppressing arc discharge, and also to provide a plasma processing system provided with the same.例文帳に追加

アーク放電を確実に抑制するプラズマ処理装置の電極構造と、これを備えたプラズマ処理装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of optimizing a flow of process gas according to a process condition or the like.例文帳に追加

プロセス条件などに応じてプロセスガスの流れを最適化できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Damages made on the exposed surface of the lower layer metal film by the oxygen-based plasma processing are removed by performing hydrogen-based plasma processing.例文帳に追加

酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。 - 特許庁

To provide a plasma processing device further correctly managing a temperature condition, and a plasma processing method.例文帳に追加

本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the etch resistance of a substrate material in a plasma processing system including a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

According to an embodiment, a plasma processing apparatus 10 includes a processing object holding means and a plasma generation means in a chamber 11.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and plasma processing method capable of suppressing arcing while shortening tact time.例文帳に追加

タクトタイムの短縮化を図りつつ、アーク放電の発生を抑制し得るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing generation of plasma except a processing space between an upper electrode and a lower electrode.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間の処理空間以外でのプラズマの発生が抑制されるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can form an embedded SiN film by applying a bias power, and to provide a plasma processing system.例文帳に追加

バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The functional film is manufactured by executing the heating processing and the plasma processing as the degassing processing before the film deposition, and controlling the processing condition in the heating processing according to the amount of gaseous hydrogen detected by a plasma processing chamber.例文帳に追加

成膜前の脱ガス処理として、加熱処理とプラズマ処理とを行い、プラズマ処理室で検出された水素ガス量に応じて、加熱処理における処理条件を制御することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of improving the in-plane processing uniformity.例文帳に追加

処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device suppressing temperature rise in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber 5 to which a processing substrate 4 is allocated therein, a gas inlet port 6 for introducing the gas into the processing chamber 5, and a plasma discharge generating unit which is provided within the processing chamber 5 to conduct the plasma process to the processing substrate 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室５と、処理室５の内部にガスを導入するガス導入口６と、処理室５の内部に設けられ、被処理基板４にプラズマ処理を施すプラズマ放電発生部とを備えている。 - 特許庁

The plasma processing equipment is equipped with a processing container 1 which contains an object W to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、被処理体Ｗを収納する処理容器１を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for improving processing precision of a workpiece.例文帳に追加

ワークの加工精度を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and an apparatus superior in preventing plasma damage and electrical breakdown by reducing electric charges charged on a substrate to be treated to which a plasma processing is applied.例文帳に追加

プラズマ処理された被処理基板上に帯電した電荷量を低減し、プラズマダメージや絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a workpiece processing device capable of improving plasma processing efficiency while restraining a plasma generating mechanism from getting larger or more complex.例文帳に追加

プラズマ発生機構の大型化や複雑化を抑制しつつプラズマ処理効率を向上させることが可能なプラズマ発生装置及びワーク処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus that suitably control the potential of a wall in accordance with processes while stably maintaining a state of a plasma.例文帳に追加

プラズマの状態を安定的に保ちながら、プロセスに応じて適正に壁の電位を調整することが可能な、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method for workpiece that can suitably make mutually different gases into plasma according to gaseous species, and form a thin film of high quality.例文帳に追加

互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inductive coupling plasma processing apparatus which is capable of controlling a plasma state in the middle of plasma processing without increasing the apparatus cost and the power cost.例文帳に追加

、装置コストおよび電力コストを高くすることなく、プラズマ処理の途中でプラズマ状態の制御を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

This plasma processing apparatus 10 includes a processing object holding means, and a plasma generating means for turning a gas introduced into a chamber 11 into plasma in the chamber 11.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。 - 特許庁

To address, in the present invention, a problem how to prevent contamination of a wafer and a chamber in a plasma processing apparatus and a plasma processing method suitable for usage, in the case of wafer plasma etching.例文帳に追加

本発明はウェハをプラズマエッチングする際に用いて好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、ウェハやチャンバの汚染を防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method excellent in reducing the amount of charges electrified on a plasma-processed processing-object substrate and preventing plasma damage and dielectric breakdown.例文帳に追加

プラズマ処理された被処理基板上に帯電した電荷量を低減し、プラズマダメージや絶縁破壊を防止するのに優れたプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can conduct plasma processing for a substrate by producing plasma under atmospheric pressure, while suppressing the discharge of gas to the atmosphere.例文帳に追加

大気へのガスの放出を抑制しつつ、大気圧にてプラズマを発生させて基板に対するプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for easily unifying a plasma density distribution near a substrate under plasma processing conditions, such as a wide range of gas species and pressure.例文帳に追加

本発明は、広範囲なガス種や圧力等のプラズマ処理条件において基板近傍プラズマ密度分布を均一にするプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma accelerator which can not only efficiently accelerate travelling speed of a plasma beam but is easy to produce and compose, and a plasma processing system equipped with the plasma accelerator.例文帳に追加

プラズマビームの移動速度を効率よく高められるのみならず、作製及び構成が簡単なプラズマ加速装置及び該装置を備えるプラズマ処理システムを提供する。 - 特許庁

A plasma processing device 1 generates a plasma jet 13 by a plasma jet generation part 11 to irradiate a processed work 17 arranged at a container part 15 with the plasma jet 13.例文帳に追加

プラズマ加工装置１は、プラズマジェット発生部１１においてプラズマジェット１３を発生させ、容器部１５に配置された加工ワーク１７にプラズマジェット１３を照射する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus provided with a plasma source controllable of plasma distribution controls the shape of a sheath-bulk boundary above the wafer to be an upward convex form in plasma ON/OFF states.例文帳に追加

プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。 - 特許庁

PLASMA POTENTIAL AND ION SPEED MEASUREMENT METHOD, PLASMA POTENTIAL AND ION SPEED MEASUREMENT DEVICE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM AND PROGRAM例文帳に追加

プラズマ電位及びイオン速度計測方法、プラズマ電位及びイオン速度計測装置及びプラズマ処理装置並びに記録媒体及びプログラム - 特許庁

To provide a plasma processing device that uniformizes a plasma distribution on a substrate without changing the properties of the plasma itself.例文帳に追加

プラズマそのものの特性を変化させることなく、基板上のプラズマの分布を一様にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma exciting coil, a plasma excitation device and a plasma processing device capable of uniforming the density of generated plasma by implementing a nearly uniform magnetic field distribution in plasma excitation.例文帳に追加

プラズマ励起において、略均一な磁界分布を行なうことで、発生されるプラズマ密度の均一化を図ることができるプラズマ励起用コイル、プラズマ励起装置、及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus of a substrate and a plasma processing method which can accurately control a processing shape by applying ion energy suited to the processing of the substrate and reducing ion energy width thereof in a parallel plate type plasma processing apparatus.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the sequential plasma treatments can be conducted in a variety of plasma processing chambers of an integrated processing sequence, including pre-clean chambers, PVD chambers, etching chambers and other plasma processing chambers.例文帳に追加

更に、シーケンシャルプラズマ処理が、統合プロセスシーケンスの種々のプラズマ処理チャンバ内で実施可能であり、それら処理チャンバには、プリクリーニングチャンバ、ＰＶＤチャンバ、エッチングチャンバ、及び他のプラズマ処理処理チャンバがある。 - 特許庁

When the enclosure wall is used in the plasma processing chamber, a spattered material produced by the plasma formed in the plasma processing chamber has proper adhesiveness on the surface, on which the texture processing is performed.例文帳に追加

エンクロージャ壁がプラズマ処理チャンバで使用されるとき、プラズマ処理チャンバで形成されるプラズマによって生成されるスパッタされた材料は、テクスチャー加工された表面に良好な粘着性を有する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 includes a plasma processing parameter setting part 13 for a plasma processing to implant impurities into a required implantation depth from the surface layer of a substrate W containing the impurities.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing a high accuracy-plasma processing by evenly applying the plasma without deteriorating processing efficiency such as etching rate to a big work and whose productive efficiency is high.例文帳に追加

大判のワークに対して、エッチングレート等の処理効率を低下させることなく均等にプラズマを作用させ高精度のプラズマ処理を可能とし、かつ生産効率の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a reaction chamber for generating plasma and applying plasma processing to an object to be processed; an extract section for extracting an emission amount from the plasma; and a control section for variably controlling one of groups of parameters used for controlling the plasma on the basis of the emission amount within a predetermined range of processing conditions to control the state of the plasma.例文帳に追加

プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。 - 特許庁

To provide a method for improving plasma confinement while minimizing plasma processing system re-design.例文帳に追加

プラズマ処理システムの再設計をできるだけ少なくして、プラズマ閉じ込めを強化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ICP source plasma processing device of a large diameter in which uniformity and ignition property of plasma are improved.例文帳に追加

Ｉ大口径のＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性及び着火性を改善する。 - 特許庁

To reduce particles generated during plasm ignition and extinction in a plasma-separation-type plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ分離型のプラズマ処理装置において、プラズマ点火時、消火時に発生するパーティクルを低減する。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of preventing a leak discharge from occurring and performing a good plasma discharge processing.例文帳に追加

リーク放電の発生を防止でき、良好なプラズマ放電処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 generates plasma under atmospheric pressure to process a glass substrate 12.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、大気圧下でプラズマを発生させ、ガラス基板１２を処理するプラズマ処理装置である。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of improving the conductance of a baffle plate while preventing a plasma leak.例文帳に追加

プラズマリークを防止した上でバッフル板のコンダクタンスを改善できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

It relates to plasma processing unit emanating a jet of plasma out of the discharge opening 1 of the reacting vessel 2.例文帳に追加

反応容器２の吹き出し口１からジェット状のプラズマを吹き出すプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁