「q13」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A reference voltage Vr outputted from an operational amplifier 22 is VDD-VGS (Q13).例文帳に追加

オペアンプ２２が出力する基準電圧ＶｒはＶＤＤ−ＶＧＳ（Ｑ１３） となる。 - 特許庁

Since the gates are maintained at the GND potential, the transistors Q13, Q14 are turned off.例文帳に追加

これにより、トランジスタＱ１３，Ｑ１４は、ゲートがＧＮＤ電位に固定されるのでオフする。 - 特許庁

In a level shift circuit 15, a current I0 outputted from a constant current circuit 21 is distributed into transistors Q11, Q13 corresponding to the potential difference ΔV of each emitter of the transistors Q11, Q13.例文帳に追加

レベルシフト回路１５において、定電流回路２１から出力される電流Ｉ０は、トランジスタＱ１１とＱ１３のエミッタの電位差ΔＶに応じてトランジスタＱ１１とＱ１３に配分される。 - 特許庁

In the second conductivity type well 13, a driver transistor Q13 is formed, and the well 13 is connected to a source diffusion layer 18a of the driver transistor Q13.例文帳に追加

第２導電型ウェル１３は、ドライバトランジスタＱ１３が形成され、ドライバトランジスタＱ１３のソース拡散層１８ａに接続される。 - 特許庁

Since transistors Q11, Q13 are formed to be the same size and thermally coupled closely to each other, the VGS (Q11) stays equal to the VGS (Q13) independently of a temperature change and the clamp voltage VCL is always kept equal to a VDD.例文帳に追加

トランジスタＱ１１とＱ１３は同サイズに形成され温度的に密に結合されているので、温度変化にかかわらずＶＧＳ（Ｑ１１） とＶＧＳ（Ｑ１３） とが等しくなり、クランプ電圧ＶＣＬは常にＶＤＤに等しくなる。 - 特許庁

When the AC voltage is less than the DC output voltage, the diode D11 is reverse biased, so that the transistor Q13 is turned on.例文帳に追加

交流電圧が直流出力電圧未満になるとダイオードＤ１１が逆バイアスされ、トランジスタＱ１３はオンする。 - 特許庁

A switch SW that is operated externally is connected between a junction between the transistors Q11 and Q12 and a junction between the transistors Q13 and Q14.例文帳に追加

トランジスタＱ11、Ｑ12の接続点と、トランジスタＱ13、Ｑ14の接続点との間に、外部から操作されるスイッチＳＷを接続する。 - 特許庁

One end of the capacitor C11 for clamp is connected to the DC line 11 via a resistor R1 and the auxiliary switch Q13.例文帳に追加

クランプ用コンデンサＣ１１の一端を抵抗Ｒ１と補助スイッチＱ１３を介して直流ライン１１に接続する。 - 特許庁

Furthermore, a current I2 is determined by a series connection of a resistor R2 and transistors Q12, Q13 and Q14.例文帳に追加

さらに、トランジスタＱ１２、Ｑ１３、Ｑ１４および抵抗Ｒ２の直列接続により、電流Ｉ２を決定する。 - 特許庁

In memory cell transistors Q13 and Q14, shift of threshold voltage in the transistors is not caused.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＱ１３およびＱ１４については、トランジスタのしきい値電圧のシフトが発生しない。 - 特許庁

The p-channel switching elements Q9 and Q12 are for lower power than the n-channel switching elements Q10 and Q13.例文帳に追加

このｐチャンネルスイッチング素子Ｑ９、Ｑ１２は前記ｎチャンネルスイッチング素子Ｑ１０、Ｑ１３よりも低電力用である。 - 特許庁

In the transistor Q13 in an operational amplifier 11, a gate and a drain are connected through a switch SW 21.例文帳に追加

オペアンプ１１におけるトランジスタＱ１３において、ゲートとドレインとの間をスイッチＳＷ２１を介して接続する。 - 特許庁

The phase signal M-A is fed commonly to the coils of respective motors M1-M4 through a resistor R12 and a transistor Q13.例文帳に追加

相信号Ｍ−Ａは、各モーターＭ１〜Ｍ４のコイルに共通して、抵抗Ｒ１２及びトランジスタＱ１３を介して入力される。 - 特許庁

An unwanted current path from the 2nd power supply VDD2 to the GND via the output transistors Q13 and Q14 is shielded.例文帳に追加

第２電源ＶＤＤ２から出力トランジスタＱ１３，Ｑ１４を経由してＧＮＤに至る不要な電流経路が遮断される。 - 特許庁

By the variation of voltage applied between the base-emitter of the transistor Q13, an electric charge stored in the parasitic capacitance Cje11 is varied.例文帳に追加

トランジスタＱ１３のベース−エミッタ間にかかる電圧の変動により該寄生容量Ｃｊｅ１１に蓄えられる電荷が変動する。 - 特許庁

Transistors with the same characteristics are employed for the Q12 and Q14, and the Q13 and Q15, and the series resistance of the series resistance circuits 23, 25 is selected identical to each other.例文帳に追加

Ｑ１２とＱ１４、Ｑ１３とＱ１５はそれぞれ同一特性とされ、直列抵抗回路２３と２５の直列抵抗値が等しい。 - 特許庁

The bias current which has appeared in an emitter of the transistor Q13 is supplied to the amplifier circuit 60 through an attenuation filter F1.例文帳に追加

トランジスタＱ１３のエミッタに表れたバイアス電流は、減衰フィルタＦ１を介して増幅回路６０へ供給される。 - 特許庁

A through current route from the second power source (VDD2) 6 through the output transistors Q13 and Q14 to the ground (GND) is interrupted.例文帳に追加

第２電源（ＶＤＤ２）６から出力トランジスタＱ１３，Ｑ１４を経由して接地（ＧＮＤ）に至る貫通電流経路が遮断される。 - 特許庁

Further, transistors Q12 and Q13 are added to prevent the Early effect of the transistors W20 and Q21 within the constant current circuit 18.例文帳に追加

さらに、トランジスタＱ１２およびＱ１３を付加して、定電流回路１８内のトランジスタＱ２０およびＱ２１のアーリー効果を防止する。 - 特許庁

When the input voltage Vi falls, since the gate voltage of the MOS transistor Q1 falls, the base current of a transistor Q13 flows inversely, the base voltage of the transistor Q13 is decreased and the drain-source voltage of an MOS transistor Q2 is reduced but since the transistor Q2 is an MOS transistor, diode operation is not performed between the gate and the source.例文帳に追加

また、入力電圧Ｖｉが立ち下がった時は、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧が下がるため、トランジスタＱ１３のベース電流は逆方向に流れ、トランジスタＱ１３のベース電圧は下がり、ＭＯＳトランジスタＱ２のドレイン−ソース電圧は少なくなるが、トランジスタＱ２はＭＯＳトランジスタであるため、ゲート−ソース間でダイオード動作することはない。 - 特許庁

When an abnormal logical state ('H', 'L') which makes the output transistors Q13 and Q14 go simultaneously to the on- operation state continues for a prescribed period, the abnormal logic detection circuit 8a drives a reset transistor Q16 to be turned on, the connection point N13 is connected to GND, and the output transistor Q13 performs the off operation.例文帳に追加

出力トランジスタＱ１３，Ｑ１４を同時にオン動作状態にする異常論理状態（“Ｈ”、“Ｌ”）が所定期間継続すると異常論理検出回路８ａによってリセット用トランジスタＱ１６がオン駆動され、接続点Ｎ１３はＧＮＤに接続され、出力トランジスタＱ１３がオフ動作を行う。 - 特許庁

A rectangular wave signal S20 which alternately performs on/off control to the transistors Q11 and Q14 and to the transistors Q12 and Q13 in prescribed cycles is supplied to the transistors Q11 to Q14.例文帳に追加

トランジスタＱ11〜Ｑ14に、トランジスタＱ11、Ｑ14と、トランジスタＱ12、Ｑ13とを、所定の周期で互いに逆にオン・オフ制御する矩形波信号Ｓ20を供給する。 - 特許庁

When a drive control signal SH becomes from L to H, transistors Q11, Q12 of the level shift circuit 18 are turned off and Q13, Q14, Q15 are turned on.例文帳に追加

駆動制御信号ＳＨがＬからＨになると、レベルシフト回路１８のトランジスタＱ１１、Ｑ１２がオフし、Ｑ１３、Ｑ１４、Ｑ１５がオンする。 - 特許庁

When the AC voltage of an AC power supply 5 exceeds the DC output voltage applied to an amplifying circuit 14, a diode D11 is biased positively, so that a transistor Q13 is turned off.例文帳に追加

交流電源５の交流電圧が増幅回路１４に印加される直流出力電圧以上になると、ダイオードＤ１１が正バイアスされ、トランジスタＱ１３はオフする。 - 特許庁

A capacitor C1 is connected between a gate and a ground of the MOS transistor Q13, and a resistor R1 is connected between a drain and the gate.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＱ１３は、そのゲートとグランドの間にキャパシタＣ１を接続し、そのドレインとゲートの間に抵抗Ｒ１を接続している。 - 特許庁

The transistors Q15 and Q16 are prevented from being applied with the voltage VD2 exceeding the breakdown strength between source drains when the first and second transistors Q13 and Q14 are turned on.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタＱ１３，Ｑ１４がオンするとき、第３及び第４のトランジスタＱ１５，Ｑ１６にそのソースードレイン間耐圧を越える高電源電圧ＶＤ２が印加されることを防止する。 - 特許庁

The switching transistor Q12 is turned on with the switching transistor Q13 off to supply a data current Vdata for test to a holding capacitor C1.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタＱ１３をオフした状態でスイッチング用トランジスタＱ１２をオンさせて保持キャパシタＣ１にテスト用データ電流Ｖｄａｔａに供給する。 - 特許庁

In an amplifying circuit 22, a correcting amplifier consisting of transistors Q13, Q14 is connected parallel to a main amplifier consisting of transistors Q11, Q12.例文帳に追加

増幅回路２２において、トランジスタＱ１１，Ｑ１２からなる主増幅器と並列にトランジスタＱ１３，Ｑ１４からなる補正増幅器を接続する。 - 特許庁

To the drain of the second MOS transistor Q13 constituting the current mirror circuit, a terminal of a contant current source whose other end is connected to another power supply is connected.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成する第２のＭＯＳトランジスタのドレインに、他端を他方の電源に接続する定電流源の一端が接続される。 - 特許庁

The fuse circuit further includes first and second power supply circuits Q13, Q14 and first and second outputs X, Y for fetching a logical value output from the drain D side of the first and the second transistors.例文帳に追加

さらに、第１，第２の電力供給回路Ｑ１３，Ｑ１４と、第１及び第２のトランジスタのドレインＤ側から論理値出力を取り出す第１及び第２の出力Ｘ，Ｙを備える。 - 特許庁

A controller 21 ON/OFF-controls each of a set of switching elements Q3, Q4, Q13, Q14, and sustains the other two sets of switching elements in off states respectively during charging.例文帳に追加

制御装置２１は充電時には各一組のスイッチング素子Ｑ３，Ｑ４、Ｑ13，Ｑ14をオン・オフ制御し、他のそれぞれ２組のスイッチング素子はオフ状態に保持する。 - 特許庁

The icon Q13 switches display to a screen for listing specimens waiting for measurement and the-number-of-specimens information M13, indicating the number of target specimens in a measurement process is displayed next to the icon.例文帳に追加

アイコンＱ１３は、測定待ちの検体を一覧表示する画面へ表示を切り替えるためのアイコンであり、その横には、測定工程の対象となる検体の数を示す検体数情報Ｍ１３が表示される。 - 特許庁

Out of the n-channel switching elements, upper arm side n-channel switching elements Q10 and Q13 are cascaded with p-channel switching elements Q9 and Q12.例文帳に追加

このｎチャンネルのスイッチング素子のうち、上アーム側のｎチャンネルスイッチング素子Ｑ１０、Ｑ１３に、ｐチャンネルスイッチング素子Ｑ９、Ｑ１２が縦続接続されている。 - 特許庁

When an input signal to anode N11 is switched from H to L and the potential of N13 is shifted from H to L to turn off a transistor Q13, an electric charge charged to a capacity element C11 is discharged by a constant current source 5.例文帳に追加

ノードＮ１１への入力信号がＨからＬへ切り替わり、Ｎ１３の電位がＨからＬへ遷移し、トランジスタＱ１３がＯＦＦすると、容量素子Ｃ１１に充電された電荷は定電流源５で放電される。 - 特許庁

When the switch circuit is turned on, gates of transistors Q1, Q13, Q2, Q5, and Q7 all go to L, and gates of transistors Q3, Q14, Q4, Q9, and Q11 all go to H.例文帳に追加

スイッチ回路がオン状態の時、トランジスタＱ１、Ｑ１３、Ｑ２、Ｑ５、Ｑ７のゲートが全てＬ、トランジスタＱ３、Ｑ１４、Ｑ４、Ｑ９、Ｑ１１のゲートが全てＨになる。 - 特許庁

The inductance of the controlled wiring NR is variably controlled by a first amplifying circuit system including transistors Q12, Q13, in response to the level of a rectified and smoothed voltage Ei (an AC level of a commercial AC power supply), and also variably controlled by a second amplification circuit system including Q11 in response to the load current level i.e. load fluctuations.例文帳に追加

トランジスタＱ12、Ｑ13を含む第１の増幅回路系により整流平滑電圧Ｅｉのレベル（商用交流電源ＡＣレベル）に応じて被制御巻線ＮRのインダクタンスが可変制御されるようにする。 - 特許庁

Also, in the second pull-down circuit 13, the source of a thin-film transistor Q13' for non-driving is connected, not to a first low voltage input end VS, but to a second low-voltage input end VS', unlike the past types.例文帳に追加

また、第２プルダウン回路１３では、非駆動用薄膜トランジスタＱ１３’のソースが、従来と異なり、第１低電圧入力端ＶＳではなく、第２低電圧入力端ＶＳ’に接続されている。 - 特許庁

Next, the detecting transistor Q14 is turned on with the switching transistor Q13 off to supply the driving current from the driving transistor to the current detection circuit 19a through the detecting transistor Q14.例文帳に追加

次に、スイッチング用トランジスタＱ１３をオフした状態で検出用トランジスタＱ１４をオンさせて、駆動用トランジスタからの駆動電流を検出用トランジスタＱ１４を介して電流検出回路１９ａに供給する。 - 特許庁

This taken-out bias current is inputted into a base of a transistor Q13 through an attenuation filter F2, voltage-dropped by an amount of Vbe and appears in an emitter.例文帳に追加

この取り出されたバイアス電流は、減衰フィルタＦ２を介してトランジスタＱ１３のベースへ入力され、Ｖｂｅ分電圧降下してエミッタに表れる。 - 特許庁

A current source type emitter follower circuit consisting of resistors R1, R2, transistors(TRs) Q13, Q14 and a power supply Vbias is connected to an output of a current output mixer circuit consisting of TRs Q1-Q12.例文帳に追加

トランジスタＱ１〜Ｑ１２からなる電流出力型ミキサ回路の出力側に抵抗Ｒ１，Ｒ２およびトランジスタＱ１３，Ｑ１４と電源Ｖbiasからなる電流源型エミッタフォロア回路を接続した。 - 特許庁

In the interrupting state of the switch SW 21, the gates of the transistors Q13, Q14 are connected to a low potential power supply GND by a N off signal AMPNOFF at a high level from a gate potential controlling circuit 51.例文帳に追加

スイッチＳＷ２１の遮断状態で、ゲート電位制御回路５１によって、“Ｈ”であるＮオフ信号ＡＭＰＮＯＦＦにより、低電位電源ＧＮＤをトランジスタＱ１３，Ｑ１４のゲート接続する。 - 特許庁

Partial pressure circuits (R9-R11 and Q13) generate DC bias voltages V1 to V4 which are applied to gates of a plurality of divided MOS transistors and which differ stepwise.例文帳に追加

分圧回路（Ｒ９〜Ｒ１１，Ｑ１３）は、複数個の分割ＭＯＳトランジスタのゲートに対して印加する段階的に異なる直流バイアス電圧Ｖ１〜Ｖ４を生成する。 - 特許庁

Then, a constant current circuit Q13 is provided, one end of which is connected to the power supply side of the output transistor Q18 and the other end of which is connected to the power supply line.例文帳に追加

そして、この出力トランジスタＱ１８の電源側に一端が接続され、他端が電源ラインに接続された定電流回路Ｑ１３を設ける。 - 特許庁

Also, since a pull-down transistor Q15 is turned to an OFF operation state, the through current route from the second power source through the transistors Q13 and Q15 to the ground (GND) is also interrupted.例文帳に追加

また、プルダウン用トランジスタＱ１５がオフ動作状態になるので、第２電源６，トランジスタＱ１３，Ｑ１５を経由して接地（ＧＮＤ）に至る貫通電流経路も遮断される。 - 特許庁

A plurality of memory cells consisting of ferroelectric capacitors CF11, CF12, CF13, CF14 and cell selecting transistors Q11, Q12, Q13, Q14 being connected in series are connected in parallel mutually.例文帳に追加

直列に接続されている、強誘電体キャパシタＣＦ１１、ＣＦ１２、ＣＦ１３、ＣＦ１４とセル選択トランジスタＱ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４とからなる複数のメモリセルが互いに並列に接続されている。 - 特許庁