「quantum-dot」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

SILICON QUANTUM DOT AND BIOMATERIAL LABELING AGENT USING THE SAME例文帳に追加

シリコン量子ドット及びそれを用いた生体物質標識剤 - 特許庁

To provide a quantum dot organic electroluminescent element and a method for forming the same.例文帳に追加

量子ドット有機電界発光素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the quantum dot structure body can be repeatedly laminated more frequently.例文帳に追加

よって、量子ドット構造体はより多く繰り返し積層可能になる。 - 特許庁

To provide a method for forming a quantum dot organic electroluminescent element.例文帳に追加

量子ドット有機電界発光素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING QUANTUM DOT SILICATE THIN FILM FOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

発光素子用量子ドットシリケート薄膜の製造方法 - 特許庁

To improve the conventional method in which a quantum dot crystal of good quality cannot be obtained.例文帳に追加

従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。 - 特許庁

To repeatedly laminate more frequently a quantum dot structure body.例文帳に追加

量子ドット構造体をより多く繰り返し積層可能にする。 - 特許庁

To improve conversion efficiency of a light source that uses quantum dot phosphor.例文帳に追加

量子ドットリンを利用した光源の変換効率を向上させる。 - 特許庁

In the method for fabricating a quantum dot formation surface, a plurality of quantum dot structures having quantum dot shape are simultaneously formed on the surface of the solid material with one batch of laser irradiation by applying laser irradiation to the surface of the solid material, and the quantum dot structures are periodically arrayed on the surface of the solid material.例文帳に追加

本発明の量子ドット形成表面の製造方法においては、固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を１バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる。 - 特許庁

To provide a quantum dot (group III nitride quantum dot) made of a group III nitride semiconductor, and to provide a method for manufacturing the quantum dot.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる量子ドット（III族窒化物量子ドット）、およびそのような量子ドットを良好に製造可能な方法を提供すること。 - 特許庁

QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL AMPLIFICATION ELEMENT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL RELAY AND OPTICAL RECEIVER USING THE QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

量子ドット半導体素子及び該製造方法並びに量子ドット半導体素子を用いた量子ドット半導体レーザ、光増幅素子、光電変換素子、光送信機、光中継機及び光受信機 - 特許庁

To realize a highly efficient quantum dot device which reflects narrow state density of quantum dot by forming a semiconductor quantum dot structure with highly uniform size distribution.例文帳に追加

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。 - 特許庁

A quantum dot laser which oscillates at a low threshold value current, for example, is realized by preparing a quantum dot device by using the quantum dot 5.例文帳に追加

この量子ドットを使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。 - 特許庁

An active layer has a structure of the heat-treated ZnO quantum dot, and the ZnO quantum dot prior to heat treatment is obtained from a ZnO quantum dot dispersing solution prepared by the microemulsion method.例文帳に追加

活性層が、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの構造体を有すると共に、熱処理前の前記ＺｎＯ量子ドットは、マイクロエマルジョン法で作製されたＺｎＯ量子ドット分散溶液から取得される。 - 特許庁

A plurality of quantum dot layers 12 having quantum dot 13 are provided, and a plurality of barrier layers 14 are also provided which are alternately stacked with a plurality of quantum dot layers 12 to embed the same layers.例文帳に追加

量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。 - 特許庁

An active layer 4 constituted of a wetting layer 3 and a quantum dot 1 as a self-formation quantum dot is formed on a substrate, and a low band gap layer 2 is formed so as to be brought into contact with the periphery of the quantum dot 1.例文帳に追加

基板上にウェッティング層３と自己形成量子ドットである量子ドット１からなる活性層４を設けるとともに、量子ドット１の周囲に接するように低バンドギャップ層２を設ける。 - 特許庁

The first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are formed, respectively, by stacking a quantum dot, a cap layer that covers the quantum dot, and an intermediate layer which restores distortion introduced by the quantum dot, in a plurality of layers.例文帳に追加

第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

A quantum dot 1 is periodically provided for giving wavelength selectivity, and at the same time a quantum well layer 2 is provided at a region without at least the quantum dot 1, and is physically or electrically brought into contact at least partially with the region having the quantum dot 1.例文帳に追加

量子ドット１を周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも量子ドット１が設けられていない領域に量子井戸層２を設け、量子井戸層２を、量子ドット１を設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触させる。 - 特許庁

This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加

少なくとも２つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁

The quantum semiconductor device comprises a quantum dot 12 formed over a semiconductor substrate 10, a semiconductor layer 18 formed to embed the quantum dot 12, and an electrode 22 formed at the area over the quantum dot 12 over the surface of the semiconductor layer 18 due to a stress generated to the semiconductor layer 18 because of existence the quantum dot 12.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された量子ドット１２と、量子ドット１２を埋め込むように形成された半導体層１８と、量子ドット１２の存在により半導体層１８に生じる歪により、半導体層１８表面の量子ドット１２上の位置に形成された電極２２とを有している。 - 特許庁

At this time, quantum-mechanical correlation (entanglement) exists between the polarization of the photon which comes from the quantum dot and the spin of the electron remaining in the quantum dot.例文帳に追加

このとき、量子ドットから出てくる光子の偏光と、量子ドット内に残った電子のスピンとの間には、量子力学的な相関（エンタングルメント）が存在する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a quantum dot array improving evenness in sizes of a plurality of quantum dots and also to provide a quantum dot array or the like.例文帳に追加

複数の量子ドットの大きさの均一性を向上させることができる量子ドットアレイの製造方法及び量子ドットアレイ等を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily.例文帳に追加

量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。 - 特許庁

To provide means for storing quantum information possessed by light in a stable electron spin in a quantum dot remaining after light emission through the efficient process of light emission from the quantum dot.例文帳に追加

光の持つ量子情報を、量子ドットからの発光という効率的な過程を通して、発光後に残った量子ドット中の安定な電子スピンに保存する手段を提供する。 - 特許庁

By manufacturing the quantum dot device using the many quantum dots 4 having the uniform size distribution, the quantum-dot laser, which is oscillated with, e.g. low threshold current, is realized.例文帳に追加

この均一なサイズ分布を持つ多数の量子ドット４を使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば、低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot device comprises a p-type semiconductor barrier layer 3 provided near an undoped quantum dot 1, and holes 4 in the semiconductor barrier layer 3 previously injected at the ground level 8 of the ground level 8 of a valence band of the dot 1.例文帳に追加

アンドープ量子ドット１の近傍にｐ型半導体障壁層３を設け、ｐ型半導体障壁層３内のホール４を量子ドット１の価電子帯の基底準位８に予め注入しておく。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF POSITION-CONTROLLED QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY, QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE例文帳に追加

位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁

In the quantum ring 1, a quantum queue bit 5 is composed of a ^31P atom 2 and a quantum dot 3, and an electron 4 is contained inevitably with the presence of the ^31P atom 2 in the quantum queue bit 5.例文帳に追加

量子リング１、^31Ｐ原子２及び量子ドット３から量子キュービット５が構成され、この量子キュービット５には、^31Ｐ原子２の存在に伴って必然的に電子４が含まれている。 - 特許庁

To provide a quantum semiconductor device and a method of manufacturing the same device in which the electrical access to the quantum dot is made accurately.例文帳に追加

量子ドットに対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする量子半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor quantum dot element having quantum dots whose diameters are uniform, even if they are made multilayered, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。 - 特許庁

The wavelength multiplexing single photon source 21 is provided with a quantum dot structural body having a plurality of quantum dots whose sizes are different.例文帳に追加

波長多重単一光子源２１は、大きさの異なる複数の量子ドットを有する量子ドット構造体を備える。 - 特許庁

To provide a silicon quantum dot device having silicon quantum dots having different characteristics in multiple regions.例文帳に追加

複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum dot wavelength converter including quantum dots which do not have change of an emission wavelength range, is optically stable, and has improved luminescence performance.例文帳に追加

発光波長帯の変化無く光学的に安定し発光性能が向上した量子点を含む量子点波長変換体を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum semiconductor device having a quantum dot proximity laminate structure which actualizes a high uniformity and light emission characteristics.例文帳に追加

高い均一性と発光特性を実現する量子ドット近接積層構造の量子半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

When a microwave (X band) of an ESP (Electron Spin Resonance) frequency is simultaneously applied, a quantum bit (electron spin) composed of the quantum dot 13 can be operated.例文帳に追加

同時にＥＳＲ周波数のマイクロ波（Ｘバンド）を印加すれば、量子ドット１３で構成された量子ビット（電子スピン）を操作できる。 - 特許庁

To provide a quantum dot quantum computer element, where a single electron can be introduced.例文帳に追加

量子ドット量子コンピュータ素子に関し、単一の電子の導入が可能な量子ドットを用いた量子コンピュータ素子を提供する。 - 特許庁

A quantum dot layer 100 is formed to cover a plurality of quantum dots 101 provided in parallel with an intermediate layer 102.例文帳に追加

量子ドット層１００は、並設された複数の量子ドット１０１を中間層１０２で覆うように構成される。 - 特許庁

The injection of the excitons causes light emission according to an inverse function generated between quantum levels of the second quantum dot 13.例文帳に追加

そして励起子を注入させることにより第２の量子ドット１３の量子準位間に生成される反転分布に応じて光を放出する。 - 特許庁

To provide a method for selecting one or a plurality of optional quantum dots out of a quantum dot group by using non-local excitation light.例文帳に追加

量子ドット群の中から非局所的な励起光により、１又は複数の任意の量子ドットを選択する。 - 特許庁

To obtain a quantum dot array in which quantum dots in a relatively small size are uniformly distributed without being short-circuited with each other.例文帳に追加

比較的小さなサイズの量子ドットを相互に短絡することなく均一に分散させた量子ドットアレイを得る。 - 特許庁

The optical module includes: a quantum-dot laser 60, which has quantum dots formed on each its base layer and each cover layer for covering the quantum dots; and a driving circuit 62 for feeding a constant driving current to the quantum-dot laser 60.例文帳に追加

本発明は、ベース層上に形成された量子ドットと、量子ドットを覆うカバー層と、を有する量子ドットレーザ６０と、一定の駆動電流を前記量子ドットレーザに供給する駆動回路６２と、を具備する光モジュールである。 - 特許庁

This quantum dot-wavelength converter 100 includes: a wavelength conversion part 110 including a quantum dot 111 for generating wavelength-converted light by subjecting excitation light to wavelength conversion, and a dispersion medium 112 for dispersing the quantum dot; and a sealing member 120 for sealing the wavelength conversion part.例文帳に追加

量子点波長変換体１００は、励起光を波長変換して波長変換光を発生させる量子点１１１及び上記量子点を分散させる分散媒質１１２を含む波長変換部１１０と、波長変換部を密封する密封部材１２０と、を含む。 - 特許庁

Either of four kinds of spin states is generated by injecting electrons at every one to each quantum dot after a control voltage applied to the quantum dot 1 and the quantum dot 2 is set at a first voltage, and the control voltage is set at a second voltage.例文帳に追加

量子ドット１と量子ドット２に印加する制御電圧を第１電圧に設定してから各量子ドットに１個づつ電子を注入することにより、４種類のスピン状態のいずれかを生成させた後、制御電圧を第２電圧に設定する。 - 特許庁