「quantum-dot」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The quantum ring 1 is composed of a ring-shaped Si or Si_1-xGe_x film, and the quantum dot 3 is composed of a dotted Si or Si_1-xGe_x film.例文帳に追加

量子リング１は、例えばリング状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成され、量子ドット３は、例えば点状のＳｉ又はＳｉ_1-xＧｅ_x膜から構成される。 - 特許庁

Valves 7 are opened and closed, to supply a material gas alternately from these valves to form a thin film in the concave part of the substrate by growing an atom layer, and a quantum fine wire and a quantum dot are formed.例文帳に追加

そして、バルブ７を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板３の凹部内に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成する。 - 特許庁

To provide a method which is applicable to a quantum dot emitting light in all luminous wavelength regions, particularly in a blue region, and can improve quantum efficiency without changing a light-emitting property after treatment.例文帳に追加

全ての発光波長領域にて、特に、青色領域で発光する量子ドットにて適用可能であり、処理後に発光特性が変化することなく量子効率を向上させることが可能な方法を提供する。 - 特許庁

According to this method, As/P substitution on the InAs quantum dot is prevented effectively, and the InAs quantum dots in the thickness direction of the layer can be jointed readily and electronically to each other.例文帳に追加

これにより、ＩｎＡｓ量子ドット上におけるＡｓ／Ｐ置換が効果的に防止され、層厚方向のＩｎＡｓ量子ドット同士を容易に電子的に接合することができる。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

A type-II version quantum dot which has potential to shut only carrier (usually holes) of one out of electrons/holes is subjected to padding and growth in a barrier layer of a multiple quantum well.例文帳に追加

多重量子井戸の障壁層中に，電子・正孔のうち片方のキャリヤ（通常は正孔）のみを閉じ込めるポテンシャルを有するｔｙｐｅ−ＩＩ型量子ドットを，埋め込み成長する。 - 特許庁

To provide a forming method of a nano structure using a ploysilicon layer capable of aligning height about a quantum fine line and constantly forming a diameter about a quantum dot.例文帳に追加

量子細線については高さを揃えて、量子ドットについては直径を一定に形成することができる多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法を提供する。 - 特許庁

When a pulse-shaped current (about 7μA) is applied to the nanocoil 16, the magnetic nanoparticle 14 arranged over the quantum dot 13 can apply a strong magnetic field (about 0. 5T) to the quantum 13.例文帳に追加

ナノコイル１６にパルス状の電流（７μＡ程度）を印加すると、量子ドット１３の上方に配置された磁性ナノ粒子１４によって、量子ビット１３に強い磁場（０．５Ｔ程度）を印加することができる。 - 特許庁

A quantum dot structure has matrix layers 18, 20, 22, and multiple crystalline quantum dots 16 provided in the matrix layers 18, 20, 22 with a space between one another.例文帳に追加

量子ドット構造体は、マトリクス層１８，２０，２２と、マトリクス層１８，２０，２２内に離間して複数設けられた結晶質の量子ドット１６とを有する。 - 特許庁

After this, when quantum dot raw materials 16 are fed to the surface of the ultrathin film layer 14 including the recesses 15, quantum dots 17 having a size of 10 nm or thereabouts are formed only in the parts of the recesses 15.例文帳に追加

この後さらに、前記の窪み（15）を含む超薄膜層（14）表面に、量子ドット原材料（1６）を供給すると、前記窪み（15）の部分にのみ１０ｎｍ程度のサイズを有する量子ドット（17）が形成される。 - 特許庁

In the quantum dot-block copolymer hybrid, the hybrid and a matrix polymer are dissolved in a solvent such as toluene, and by stirring the solution, the quantum dots are dispersed in the matrix polymer.例文帳に追加

量子ドット−ブロック共重合体ハイブリッドは、ハイブリッドとマトリックス高分子をトルエンの様な溶媒に溶解させ、溶液を攪拌することにより量子ドットをマトリックス高分子内に分散させる。 - 特許庁

The quantum dot solar cell 1 has such a structure (optical cavity structure) that an active layer 4 including quantum dots 41 is sandwiched between Bragg reflection mirror layers 2 and 3.例文帳に追加

本発明の量子ドット太陽電池１は、量子ドット４１を含む活性層４をブラッグ反射ミラー層２，３で挟んだ構成（光キャビティ構成）を有する。 - 特許庁

To provide a quantum dot solar cell that can be remarkably improved in energy conversion efficiency by quantum dots by using a structure for increasing the intensity of sun light.例文帳に追加

太陽光の強度を強める構造を用いて、量子ドットによる大幅なエネルギー変換効率の向上を図ることが可能な量子ドット太陽電池を提供する。 - 特許庁

In the quantum dot solar cell 1, light and the electron system of the active layer are made to strongly interact with each other to increase the intensity of sun light and thereby to remarkably improve the energy conversion efficiency by quantum dots.例文帳に追加

光と活性層の電子系を強く相互作用させ、太陽光の強度を強め、量子ドットによる大幅なエネルギー変換効率の向上を図るものである。 - 特許庁

At least one or more dark current reducing layers 4 having a quantum well structure are provided at an end in a stacking direction of an infrared ray detector 1 in which a plurality of quantum dot layers 2 are stacked.例文帳に追加

量子ドット層２を複数積層した赤外線検知部１の積層方向の端部に、量子井戸構造を有する暗電流低減層４を少なくとも一層以上設ける。 - 特許庁

To provide a quantum dot light-emitting material which has improved dispersion stability and improved electric charge injection characteristics into quantum dots, and to provide a light-emitting device which has improved light-emitting efficiency and good color purity.例文帳に追加

分散安定性が向上し、且つ量子ドットへの電荷注入特性が向上された量子ドット発光材料、および、発光効率が向上し良好な色純度を有する発光デバイスを提供する。 - 特許庁

The material with large interaction between light and electron has strong triggering power of an exciter while the quantum confinement effect bearing quantum dot is posed to generate a strong light emission.例文帳に追加

光と電子の大きな相互作用を持つ物質は励起子の起動子強度が大きく、さらに量子ドットを担持させた量子閉じ込め効果とあいまって、強い発光が生じる。 - 特許庁

To realize a method of forming microstructures, which can form the microstructures, such as a quantum fine wire and a quantum dot, without damage, uniformly and at high density, and moreover at arbitrary positions.例文帳に追加

量子細線や量子ドットなどの微細構造を、損傷なしに、均一にかつ高密度にしかも任意の位置に形成することができる微細構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

An exciton excited in the first quantum dot 712 is transferred to the plurality of second quantum dots 713 so that the energy conservation law may be satisfied and light beams having wavelengths different according to inverted distributions formed in the second quantum dots are emitted.例文帳に追加

そして、第１の量子ドット７１２において励起された励起子を、エネルギー保存の法則を満たすように複数の第２の量子ドット７１３へ移動させ、それぞれにおいて形成された反転分布に応じた異なる波長の光を放出する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for generating a quantum entanglement photon pair which prevent the degradation of the fidelity of quantum entanglement by using charged exciton molecular photons and charged exciton photons caused by bringing a charged exciton molecular state in a quantum dot into an initial state.例文帳に追加

量子ドット中の荷電励起子分子状態を始状態として発生する、荷電励起子分子光子と荷電励起子光子を利用することで、量子もつれの忠実度の低下を防ぐことを可能とする量子もつれ光子対発生装置と方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity.例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。 - 特許庁

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer.例文帳に追加

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。 - 特許庁

The first voltage is such a voltage that the state that one electron occupies each quantum dot is more stable in terms of energy than the state that two electrons occupy one of the quantum dots; and the second voltage is such a voltage that the reverse state is stable.例文帳に追加

第１電圧は、各々の量子ドットに電子が１個づつ占有する状態の方が片方の量子ドットに２個の電子が占有する状態よりもエネルギー的に安定する電圧とし、第２電圧はその逆の状態が安定する電圧とする。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity quantum dot type infrared ray detector for eliminating the dip in a potential distribution in an intermediate part adjacent to quantum dots by adopting an extremely simple measures, thereby suppressing a dark current.例文帳に追加

量子ドット型赤外線検知器に関し、極めて簡単な手段を採ることで量子ドットに隣接する中間部に於けるポテンシャル分布の凹みを解消して暗電流を抑止した高感度の量子ドット型赤外線検知器を得ようとする。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises an optical control part having a liquid crystal to modulates ultraviolet rays and an electrode to drive the liquid crystal and a luminous layer 17 which emits light by the ultraviolet rays passing the optical control part and includes a self light-emitting quantum dot having a quantum confinement effect with the ultraviolet inorganic phosphor.例文帳に追加

紫外線を変調する液晶及び液晶を駆動する電極を備える光制御部と、光制御部を通過した紫外線により発光し、紫外線無機蛍光体と量子孤立効果を有する自発光量子ドットを含む発光層とを備える液晶表示装置である。 - 特許庁

The device and the method of emitting the output light change the color characteristics of the output light, by converting at least the part of the original light emitted from the light source of the device into a light of higher wavelength, by utilizing the quantum dot (119) and the non-quantum fluorescence material (118).例文帳に追加

出力光を放射するデバイス及び方法は、量子ドット（１１９）及び非量子蛍光材料（１１８）を利用して、デバイスの光源から放射される元の光の少なくとも一部をより高波長の光に変換することで出力光のカラー特性を変化させる。 - 特許庁

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element.例文帳に追加

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor quantum dot sensitized solar cell is equipped with a metal oxide n-type semiconductor film such as titanium oxide formed on the transparent electrode side; semiconductor quantum dots having a diameter of 6 nm or less such as Cds or Pbs carried on the n-type semiconductor; an inorganic liquid electrolyte such as a polysulfide aqueous solution; and a counter electrode.例文帳に追加

透明電極側に形成された酸化チタンなどの金属酸化物ｎ型半導体膜と、このｎ型半導体膜に担持されたＣｄＳ、ＰｂＳなどの直径６ｎｍ以下の半導体量子ドットと、多硫化物水溶液などの無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

A supply amount of material of the InAs layer 4b is made to be not larger than a half of that of the InAs layer 4a, so that the quantum dots of the InAs layers 4a and 4b are nearly equalized to each other to suppress dislocation etc. to form a high-quality multilayered quantum dot.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層４ｂの材料供給量は、ＩｎＡｓ層４ａの材料供給量の半分以下にすることによって、ＩｎＡｓ層４ａ，４ｂの量子ドットの大きさをほぼ等しくすることができ、転位などを抑制し、高品質の多層量子ドットが形成される。 - 特許庁

The image detector 1 has such transistor structure as quantum dot 12 is integrated, and performs micro/macro conversion to detect absorbing of a single photon by a macro observation value such as increase of current in the channel of a transistor based on decrease of a single photon in the quantum dot 12.例文帳に追加

本発明の画像検出装置１は、量子ドット１２を集積したトランジスタ構造を有し、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット１２中の１個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知するミクロ／マクロ変換を行うようになっている。 - 特許庁

The method for producing the photosensitive medicine is characterized by mixing the fluorescent semiconductor quantum dot with the polycarboxylic acid compound having two or more COOH groups and a thiol group to bind the compound to the fluorescent semiconductor quantum dot through the sulfur atom, and then binding the substance capable of selectively binding to the target cell through the COOH group.例文帳に追加

並びに、蛍光性半導体量子ドットと２以上のＣＯＯＨ基及びチオール基を有するポリカルボン酸化合物を混合し、硫黄原子を介して該化合物を蛍光性半導体量子ドットに結合し、次いで、該ＣＯＯＨ基を介して標的細胞に選択的に結合可能な物質を結合することを特徴とする、光感受性薬剤の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell 100 comprises an insulating substrate 110, an electrically conductive base line 130 provided on the insulating substrate, at least one magnetic quantum dot 150 attached to the base line, and an electrically conductive top line 160 provided across at least one magnetic quantum dot in a direction transverse to the base line.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセル１００は、絶縁性基板１１０と、この絶縁性基板上に設けられる導電性のベースライン１３０と、このベースラインに取り付けられる少なくとも１つの磁気量子ドット１５０と、ベースラインを横切る方向に少なくとも１つの量子ドットのところで交差して設けられる導電性のトップライン１６０を有する。 - 特許庁

The multilayer structure section 6 is constituted by alternately laminating the quantum dot layer 2 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant bigger than the substrate 1, and an intermediate layer 3 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant smaller than the substrate 1 so that the stress generated in the intermediate layer 3 and the stress generated in the quantum dot layer 2 cancel each other.例文帳に追加

多層構造部６は、基板１よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層２と基板１よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層３とを、この中間層３に生じる応力と量子ドット層２に生じる応力とが互いに相殺し合うように交互に積層して構成されている。 - 特許庁

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot.例文帳に追加

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。 - 特許庁

The white light emitting diode comprises: an ultraviolet light emitting diode; a mixed fluorescent material layer, which is formed on an upper surface of the ultraviolet light emitting diode, including a green fluorescent material and a blue fluorescent material; and a red light emission quantum dot layer, which is formed on an upper surface of the mixed fluorescent material layer, including red light emission quantum dot.例文帳に追加

紫外発光ダイオードと、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードである。 - 特許庁

The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4.例文帳に追加

半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。 - 特許庁

The dye-sensitized quantum dot solar cell includes a cathode electrode 10 and an anode electrode 30 which are disposed via an electrolyte solution 20 which contains redox species, where the cathode electrode 10 comes with a complex crystal film 13 having formed therein quantum dots comprised of metal nano-clusters capable of Plasmon resonance, thereby providing a high photoelectric conversion efficiency thanks to the quantum dots.例文帳に追加

酸化還元種を含む電解質液２０を介して配置されているカソード電極１０とアノード電極３０とを備え、カソード電極１０が、プラズモン共鳴が可能な金属ナノクラスタからなる量子ドットを形成した錯体結晶膜１３を有し、量子ドットにより高い光電変換効率を有する色素増感型量子ドット太陽電池を提供する。 - 特許庁

The supperlattice structure 4 is a quantum well structure, a quantum fine line structure or a quantum dot structure obtained by alternately laminating a negative dielectric medium and the positive dielectric medium, respective minimum dimensions are almost a de Broglie wavelength, and potential energy to electrons of the negative dielectric medium and the positive dielectric medium is different.例文帳に追加

超格子構造４は、負誘電体媒質と正誘電体媒質を交互に積層した、量子井戸構造または量子細線構造または量子ドット構造となっており、各々の最小寸法が電子のド・ブロイ波長程度で、負誘電体媒質と正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。 - 特許庁

A semiconductor quantum dot element 1 includes the compound semiconductor substrate 2, the plurality of semiconductor quantum dots 3 formed on the compound semiconductor substrate 2, and is characterized in that the plurality of semiconductor quantum dots 3 are formed to gradually reduce the diameters thereof toward a peripheral side from the center of the compound semiconductor substrate 2 and to set the heights thereof nearly constant.例文帳に追加

半導体量子ドット素子１において、化合物半導体基板２と、化合物半導体基板２上に形成された複数の半導体量子ドット３と、を備え、複数の半導体量子ドット３は、直径が化合物半導体基板２の中心から周縁側に向かうに従って徐々に小さく高さがほぼ一定に形成されていること、を特徴とする。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element in which current density is enhanced by constituting a current layer having band gap energy lower than that of a light emitting layer abutting against the light emitting layer, and a current layer having band gap energy higher than that of the light emitting layer of any one of quantum well, quantum lattice, or quantum dot structure, and dopant is prevented from advancing into the light emitting layer.例文帳に追加

本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation.例文帳に追加

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。 - 特許庁

For example, the fluorescent dye includes acridine orange, fluorescein, pyrene, allylnaphthalene sulfonic acid, tryptophan, quinine sulfate, fluorescent peptide, and quantum dot ZiSe.例文帳に追加

蛍光色素は、例えば、アクリジンオレンジ、フルオレセイン、ピレン、アリルナフタレンスフホン酸、トリプトファン、キニーネ硫酸塩、蛍光性ペプチド、量子ドットのＺｉＳｅ、である。 - 特許庁

In this case, the recombination is set in such a timing that a time equivalent to the reuniting life of an exciton molecule formed in the quantum dot is lapsed after photoexcitation.例文帳に追加

その際、再結合のタイミングを、光励起後、前記量子ドット中に形成されている励起子分子の再結合寿命に相当する時間が経過した後になるように設定する。 - 特許庁