「quantum-dot」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To securely solve a desired element component in a quantum dot by changing a gas flow sequence by a liquid drop epitaxy method using metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a quantum dot used for a semiconductor light emitting device capable of lengthening the wavelength of an emitted wavelength, and also forming it on an inexpensive substrate.例文帳に追加

安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。 - 特許庁

The quantum dot 12 is irradiated with the excitation light pulse 15A of a wavelength shorter than the wavelength of emitted light from the metal ion 13 with a shorter pulse width than the light emission life of the metal ion 13, by using the laser irradiation apparatus 15.例文帳に追加

レーザ照射装置１５により金属イオン１３の発光寿命よりも短いパルス幅で、金属イオン１３の発光波長よりも短い波長の励起光パルス１５Ａを量子ドット１２に照射する。 - 特許庁

A single electron element, a patterned medium, a chemical sensor, a quantum dot laser element and a photonic crystal optical device are prepared by using the resultant fine particle patterns.例文帳に追加

得られた微粒子パターを用いて単一電子素子、パターンドメディア、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスなどを作製する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having semiconductor structure obtained by multilayering semiconductor microcrystal of a quantum dot to have a high quality, and to provide a laser module and a manufacturing method of the optical semiconductor device.例文帳に追加

量子ドットなどの半導体微結晶を高品質に多層化した半導体構造をもつ光半導体装置、レーザモジュールおよび光半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A through-hole 18 is provided at a portion of the first electrodes 15 above the semiconductor quantum dot region 13, and a space 19 is provided between the first electrode 15 and the second electrode 16.例文帳に追加

第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。 - 特許庁

By growing, to the substrate, a film different from a base film constituting the surface in lattice constant, a quantum dot is formed in a part Ex excited by the emission of the laser light.例文帳に追加

その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 - 特許庁

Since the multibody state emits light by the recombination of one electron and one positive hole, one electron remains in the quantum dot 1 after one photon is generated.例文帳に追加

この多体状態は、電子１個と正孔１個が再結合することにより発光するため、光子が１個生成された後、量子ドット１内には電子が１個残る。 - 特許庁

To provide a crystal growth control method for self-organizedly growing an array of quantum dot structure with a high position controllability and high size controllability on a substrate.例文帳に追加

基板上に量子ドット構造の配列を、高い位置制御性と高いサイズ制御性で、自己組織化的に成長させる結晶成長法制御法を提供すること。 - 特許庁

To realize quantum dot array formed on a semiconductor or high superconductive transition temperature in a general solid substance, and provide a lattice type within reach.例文帳に追加

半導体上に作製される量子ドット列、または一般の固体において高い超伝導転移温度を実現し、かつ実現可能な格子形を提供する。 - 特許庁

The photosensitive medicine is characterized in that a fluorescent semiconductor quantum dot subjected to a surface treatment using a polycarboxylic acid compound is bound to a substance capable of selectively binding to a target cell.例文帳に追加

ポリカルボン酸化合物で表面処理された蛍光性半導体量子ドットが、標的細胞に選択的に結合可能な物質に結合されてなる光感受性薬剤。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode, which permits to form an electrode through self-alignment process with respect to the detailed structure of a carbon nanotube, a quantum dot or the like.例文帳に追加

カーボンナノチューブや量子ドット等の微細な構造に対して自己整合的に電極を形成することを可能とする電極製造方法を提供する。 - 特許庁

The gap in the nanopillar structure 50 is filled with a new group III nitride semiconductor to form a filled layer 58, thus manufacturing the group III nitride quantum dot 56.例文帳に追加

このナノピラー構造５０の隙間を新たなIII族窒化物半導体で充填して充填層５８を形成することにより、III族窒化物量子ドット５６を製造する。 - 特許庁

To attain a standard preparation for a fluorescence microscope that enables quantum-dot observation even when using an objective lens of high magnification or high NA, having a short working distance.例文帳に追加

高倍率又はＮＡが大きく作動距離が短い対物レンズでも量子ドットの観察を可能とする蛍光顕微鏡用標準プレパラートを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which has stable uniformity and can be mass-produced, and in which quantum dot elements constituting memory cells respectively are integrated with high density.例文帳に追加

安定した均一性で量産可能であるとともに、それぞれがメモリセルを構成する量子ドット素子を高密度で集積した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element 100, the luminous layer 5 contains at least one host material, and at least one phosphorescent dopant, and the luminous layer 5 is doped with a quantum dot light-emitting material 11.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子１００では、発光層５には、少なくとも１つのホスト材料と、少なくとも１つのリン光発光ドーパントとが含まれ、発光層５には、量子ドット発光材料１１がドープされている。 - 特許庁

Its profile is an ellipsoid-like shape with 1 principal axis longer than the other principal axis, cylindrical shape or the like, and photons of plane polarization polarized in a major axis direction 9 is taken out from the quantum dot 1.例文帳に追加

その形状は、１つの主軸が他の主軸よりも長い楕円体状あるいは円柱状などとし、長軸方向９に偏光した直線偏光の光子を量子ドット１から取り出す。 - 特許庁

To materialize an optical semiconductor element which can control an induced emission characteristic in response to a particle size of a ZnO quantum dot (ZnO ultrafine particle), and is applicable to various laser devices.例文帳に追加

ＺｎＯ量子ドット（ＺｎＯ超微粒子）の粒子径に応じて誘導放出特性を制御することができ、種々のレーザ装置に応用可能な光半導体素子を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and a manufacturing method thereof for acquiring high-speed modulating operation and higher reliability even when a p-type doped quantum dot active layer is used.例文帳に追加

ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いても高速変調動作及び高い信頼性を確保することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a single electron device, a magnetic recording medium, a chemical sensor, a quantum dot laser device or a photonic crystal optical device using the microparticle pattern forming method is also provided.例文帳に追加

前記微粒子パターン形成方法を用いた単電子素子、磁気記録媒体、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスの製造方法。 - 特許庁

A photo-magnetic flux converting element 10 is provided with a plurality of anti-dot 5 for capturing (pin-keeping) stably magnetic flux quantum generated by a superconductor 2.例文帳に追加

光磁束変換素子１０では、超伝導体２に、生成された磁束量子を安定的に捕獲（ピン止めする）するための複数のアンチドット５を設けている。 - 特許庁

To provide an optical device manufacturing method and an optical device, having one or a plurality of quantum-dot layer(s) 13 disposed between barrier layers 12.例文帳に追加

光学装置を製造する方法、およびバリア層（１２）の間に置かれた１つまたは複数の量子ドット層（１３）を有する光学装置を提供すること。 - 特許庁

In this case, the fine particles 2 are formed of semiconductor material such as Si and the like, and by using a semiconductor layer 3 for a material around the fine particle they can be utilized as a quantum-dot structure.例文帳に追加

この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。 - 特許庁

To provide a light emitting element capable of obtaining a desired luminescent color while having good luminous efficiency, even if the light emitting element includes a luminescent layer having a quantum dot monomolecular film.例文帳に追加

量子ドット単分子膜を有する発光層を備えた発光素子であっても、所望の発光色を発光効率よく得ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

A surface is thereby flat and an InGaAs quantum dot 5 of uniform thickness is formed in a hole part at high density by forming InGaAs to a layer at least to a depth of a hole.例文帳に追加

孔の深さ以上までInＧaＡsを層状成長させることによって、表面が平坦となり、孔部に厚さの均一なInＧaＡs量子ドットが高密度に形成される。 - 特許庁

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200.例文帳に追加

多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。 - 特許庁

To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices.例文帳に追加

次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting device which is formed on the GaAs substrate and has a quantum dot active layer, the semiconductor light-emitting device being improved in yield by making it possible to form a diffraction grating in a semiconductor laminated structure.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に形成され、量子ドット活性層を備える半導体発光素子において、半導体積層構造の内部に回折格子を形成できるようにし、歩留まりを良くする。 - 特許庁

To improve stable operation and reliability accurately measuring fine electric charges in a quantum dot of a single electronic element, and to suppress variance among elements.例文帳に追加

単一電子素子における量子ドット内の微小電荷を正確に測定することができ、かつ素子間のばらつきを抑制することができ、安定動作及び信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

Therefore, by including the quantum dot with high efficiency in an emitter with low efficiency compared with other color, for example, a red emitter containing a red phosphor, luminous efficiency is increased and color balance is improved.例文帳に追加

これにより、他色に比べて効率が低い発光体、例えば、赤色蛍光体を含む赤色発光体に高効率の量子ドットを含めることにより、発光効率を上げてカラーバランスを改良する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element and a semiconductor substrate, having a light emitting layer of a quantum dot structure type, capable of realizing a light emitting which can be practically usable.例文帳に追加

量子ドット構造型の発光層を備え、かつ、実用に供することのできる程度の発光を実現する半導体発光素子、及び半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of controlling the density of the dimension and distribution of a quantum dot separately, and reducing an influence of a potential barrier caused by a grain boundary.例文帳に追加

量子ドットの寸法と分布密度とを独立に制御することができ、かつ粒界に起因するポテンシャル障壁の影響を軽減させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor quantum dot for maintaining the quality and shape of a nanostructure with high quality without causing a problem of a decrease in crystal quality resulting from the shape of a huge island, and a method of forming the same.例文帳に追加

巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。 - 特許庁

The drive waveform control device 3 controls a period from the time when the alternating voltage becomes a maximum and minimum value to the time when it becomes zero for regulating luminance of the quantum dot inorganic EL element 1.例文帳に追加

駆動波形制御装置３は、交流電圧が極大値或いは極小値になる時から当該交流電圧が零になる時までの時間を制御することにより量子ドット無機ＥＬ素子１の輝度を調整する。 - 特許庁

The semiconductor laser is connected to an APC drive circuit and light detected by the quantum dot film 9 is monitored so that a bias current which is input to the semiconductor laser is feedback-controlled.例文帳に追加

これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 - 特許庁

To provide: a device which achieves wavelength conversion by using a Purcell effect and a photonic band gap effect in a coupling system between a quantum dot and a resonator; a wavelength conversion method; and a single photon generation device.例文帳に追加

量子ドットと共振器の結合系におけるパーセル効果とフォトニックバンドギャップ効果を用いることで、波長変換を実現する装置および波長変換方法および単一光子発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device formed on a barrier layer containing GaAs and provided with a quantum dot containing InAs, capable of easily obtaining a polarization-insensitive gain.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む障壁層上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドットを備える光半導体装置において、容易に偏波無依存な利得を得られるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting element including a quantum dot-block copolymer hybrid excellent in coupling stability and easily dispersible, and a method for producing the light emitting element.例文帳に追加

結合安定性が良く分散が容易な量子ドット−ブロック共重合体ハイブリッドを含む発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electromagnetic wave, where the quantum dot for forming a two-dimensional electron system has been efficiently concentrated, is absorbed, a generated excitation state is retained at least for 10 seconds, and at least one million electrons can be carried for the absorption of single photons.例文帳に追加

２次元電子系を形成する量子ドットが能率良く集中した電磁波を吸収し、生じた励起状態を１０ｎ秒以上保持し、単一光子の吸収に対して１００万個以上の電子を移送可能にする。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a microparticle pattern excellent in pattern controllability, pattern accuracy and productivity; and to provide a method for producing a single electron device, a magnetic recording medium, a chemical sensor, a quantum dot laser device or a photonic crystal optical device.例文帳に追加

パターン制御性、パターン精度及び生産性に優れた微粒子パターン形成方法および単電子素子、磁気記録媒体、化学センサ、量子ドットレーザー素子、フォトニック結晶光学デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, generation of a crystal defect in the quantum dot structure body becomes difficult because mismatching of lattice using a material having similar lattice constant is rather small.例文帳に追加

このようにすると、格子定数の類似する材料を用いて格子不整合が小さいので、量子ドット構造体に結晶欠陥が発生しにくくなる。 - 特許庁

The quantum dot layer 32 has a small bandgap energy, and by raising the tunnel probability in the tunnel junction 17, the low resistivity and the high output power of the VCSEL device 10 are made to be possible.例文帳に追加

量子ドット層３２は、小さなバンドギャップエネルギーを有し、トンネル接合１７内のトンネル確率を上げることにより、ＶＣＳＥＬ素子１０の低抵抗化及び高出力化を可能にする。 - 特許庁

Accordingly, the semiconductor light-emitting device can be produced inexpensively and stably by omitting a process for forming an electrode in the nano-column LED 2 and without necessity for using a high-cost technology which is difficult to be produced such as a quantum dot.例文帳に追加

したがって、ナノコラムＬＥＤ２に電極を形成する工程を無くし、また量子ドットのような製造が困難で高コストな技術を用いる必要はなく、安価で安定的に製造することができる。 - 特許庁

A forward bias voltage is applied between a first electrode 11 and a second electrode 16, thereby electron Cooper pairs are injected from the superconducting first electrode 13 to the quantum dot region 19 and also hole Cooper pairs are injected there from the superconducting second electrode 15, and quantum-entangled photon pairs are generated by recombination between the electron Cooper pairs and the hole Cooper pairs.例文帳に追加

第１電極１１と第２電極１６との間に順バイアス電圧を印加することによって、量子ドット領域１９に、超電導の第１電極１３から電子クーパ対が注入されるとともに超伝導の第２電極１５から正孔クーパ対が注入され、電子クーパ対と正孔クーパ対との再結合により量子もつれあい光子対が発生する。 - 特許庁