「quantum-dot」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the spectrum width of a quantum dot ensemble by using a method other than crystal growth technology.例文帳に追加

本発明は、結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現することを課題とする。 - 特許庁

Moreover, higher reliability can also be attained because it is not required to process the central area of the quantum dot active layer 3 which makes contribution to laser oscillation.例文帳に追加

また、量子ドット活性層３のうちレーザ発振に寄与する中心部を加工する必要がないため、高い信頼性が得られる。 - 特許庁

Accordingly, the optical semiconductor device 10 provided with quantum dot 12a not depending on polarization can be provided.例文帳に追加

これにより、偏波無依存の量子ドット１２ａを備えた光半導体装置１０を提供することができる。 - 特許庁

The preparation has such a structure that liquid is packed and a liquid packing layer with the quantum dot dispersed in the liquid is sandwiched between a substrate member and a cover glass.例文帳に追加

液体を封入し、この液体中に量子ドットを分散させた液体封入層を、基板部材とカバーガラスの間に挟み込んだ構造。 - 特許庁

QUANTUM DOT FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND OPTICAL SENSOR USING SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT USING THEM例文帳に追加

量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路 - 特許庁

According to such an arrangement, degradation in the quality of the quantum dot layer 11 is prevented, and emission efficiency of a single photon can be enhanced.例文帳に追加

これにより、量子ドット層１１の品質低下を抑えるとともに、単一光子の発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily forming high performance columnar quantum dot having gain characteristics that does not depend on the polarization.例文帳に追加

偏波無依存の利得特性を有する高性能のコラムナ量子ドットを容易に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

(d) ε_g (bulk)+ε_e1+ε_h1 of the quantum-dot material is in the range of 0.5≤ε_g(bulk)+ε_e1+ε_h1 ≤1.4 eV.例文帳に追加

（ｄ）量子ドット材料のε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1は、０．５≦ε_g(bulk)＋ε_e1＋ε_h1≦１．４ｅＶの範囲。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum dot structure having light emission wavelengths distributed uniformly in a wider wavelength range than before.例文帳に追加

従来よりも発光波長が広い波長領域で均一に分布している量子ドット構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An ultrathin quantum dot film 9 is formed from the first electrode 6 to the second electrode 7 at one end of the element body 5.例文帳に追加

そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate and a quantum dot-block copolymer hybrid layer formed on the substrate.例文帳に追加

発光素子は、基板とその上に形成される量子ドット−ブロック共重合体ハイブリッド層を有する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent element achieving light emission with high luminescence from each quantum dot and high color purity in a narrow-band spectrum.例文帳に追加

各量子ドットからの発光が高輝度で、狭帯域スペクトルで色純度の高い電界発光素子を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that crystal growth while keeping a good crystal state is difficult when columnar quantum dot layers are stacked in multistage.例文帳に追加

コラムナ量子ドット層を多段に積み重ねる際に、良好な結晶状態を保って結晶成長させることが困難である。 - 特許庁

To regulate luminance of a quantum dot inorganic EL element 1 by a simpler method without controlling an amplitude or the like of an alternating voltage.例文帳に追加

交流電圧の振幅などを制御することなく、より簡便な方法で量子ドット無機ＥＬ素子１の輝度を調整する。 - 特許庁

Further, the quantum dot 1 is contained in the layer and/or on the surface of the vesicle composed of a phospholipid double layer.例文帳に追加

さらに、リン脂質二重層で構成されるベシクルの層内及び表面の双方またはいずれかに量子ドット複合体１を含有することよりなる。 - 特許庁

To provide a light emitting device, a light emitting module, and an illumination device preventing degradation of a quantum dot phosphor due to gas or moisture.例文帳に追加

ガスや水分による量子ドット蛍光体の劣化を防ぐことが可能な発光装置、発光モジュール及び照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell capable of efficiently transferring carriers generated by applying light from a quantum dot.例文帳に追加

光を照射することによって生成されたキャリアを量子ドットから効率良く移動させることが可能な太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a method of manufacturing it which can realize good device characteristics even if many quantum dot layers are laminated.例文帳に追加

量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を実現し得る発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

QUANTUM DOT TYPE FUNCTIONAL STRUCTURAL BODY, METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL FUNCTION ELEMENT例文帳に追加

量子ドット型機能構造体作製装置と量子ドット型機能構造体作製方法、及び量子ドット型機能構造体並びに光機能素子 - 特許庁

The density of the self-forming quantum dot 4 in a cross section which is vertical to an optical axis in an optical waveguide is made larger in a central part than in a peripheral part.例文帳に追加

光導波路における光軸に垂直な断面内の自己形成型量子ドット４の密度を周辺部より中央部で大きくする。 - 特許庁

For this purpose, even if many quantum dot layers are laminated, good device characteristics can be acquired.例文帳に追加

このため、量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser.例文帳に追加

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

On the upstream side of a quantum dot optical amplifier 1, a polarization beam splitter 2 with one input and two outputs is provided.例文帳に追加

量子ドット光増幅器１の前段には、１入力及び２出力の偏光ビームスプリッタ２が設けられている。 - 特許庁

QUANTUM DOT-WAVELENGTH CONVERTER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

量子点波長変換体、量子点波長変換体の製造方法及び量子点波長変換体を含む発光装置 - 特許庁

This twisting direction is reverse to the twisting direction of the two optical fibers 10 connected to the input sections of the quantum dot optical amplifier 1.例文帳に追加

このねじれの方向は、量子ドット光増幅器１の入力部に接続された２本の光ファイバ１０のねじれの方向と逆方向である。 - 特許庁

To provide a quantum dot photodetector in which its sensitivity can be improved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

感度を向上させることができる量子ドット型光検出器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A barrier layer (14B) comprising a compound semiconductor including Al as group III element so as to cover the quantum dot and having electron affinity smaller than that of the quantum dot is formed by organic metal chemical vapor growth by the use of triethylaluminum as an Al raw material.例文帳に追加

量子ドットを被覆するように、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、量子ドットよりも電子親和力の小さな化合物半導体からなるバリア層(14B)を、Ａｌ原料としてトリエチルアルミニウムを用いた有機金属化学気相成長により形成する。 - 特許庁

When the gate electrode 4 is irradiated with light pulses L, generated photoelectrons are accumulated first in the quantum dot 14b close to the gate electrode 4 getting over a Schottky barrier and then accumulated in the quantum dot 14b distant from the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極４に光パルスＬを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極４に近い量子ドット１６ｂに蓄積され、次いでゲート電極４から遠い量子ドット１４ｂに蓄積される。 - 特許庁

The light emitting device package according to an embodiment of the present invention uses the quantum dot as a wavelength conversion member to thereby achieve superior color reproducibility and light emission efficiency, and facilitates the control of color coordinates by adjusting the particle size and concentration of the quantum dot.例文帳に追加

本発明の一実施例による発光素子パッケージは、波長変換部材として量子点を利用することで色再現性及び発光効率が向上し、量子点の粒度と濃度を調節することで色座標を容易に調節することができる。 - 特許庁

The method for producing a luminous quantum dot-inorganic matrix complex comprises producing an inorganic matrix precursor solution containing a quantum-dot precursor, spin-coating the matrix precursor solution on a substrate, and thermally treating the spin-coated precursor solution.例文帳に追加

本発明は、量子ドット前駆体を含む無機マトリックス前駆体溶液を製造した後、前記マトリックス前駆体溶液を基板上にスピンコーティングして熱処理して量子ドット−無機マトリックス複合体を得るという量子ドット−無機マトリックス複合体の製造方法に関する。 - 特許庁

To raise the signal to noise ratio of an optical detector even under the condition of a very high dark current to the photocurrent caused at a high quantum dot element temperature, etc. when using a quantum dot structure e.g. for absorbing IR rays.例文帳に追加

光検知器に関し、例えば赤外線吸収に量子ドット構造を用いた場合、量子ドット素子温度が高い場合などに起こる暗電流が光電流に対して非常に大きい条件下に於いても、信号雑音比を高くすることできるようにする。 - 特許庁

To provide a quantum dot complex equipped with position identification by fluorescent imaging and high efficient drug release mechanism to living body tissues, and capable of being obtained without accompanying a complex synthesis process, and to provide vesicles containing the quantum dot complex.例文帳に追加

蛍光イメージングによる位置特定と、生体組織に対する高効率な薬剤放出機構とを備え、かつ煩雑な合成プロセスを伴うことなく得られる量子ドット複合体、量子ドット複合体含有ベシクルを提供する。 - 特許庁

To provide a multilayered quantum dot structure having respective layers made faster in growing speed than before by providing a normal GaAs layer having a simple structure as an intermediate layer of a quantum dot layer without growing a strain compensation layer increasing processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

工程を増加させる歪補償層を成長させることなく、簡単な構造をとる通常のＧａＡｓ層を量子ドット層の中間層として設け、各層の成長速度を従来のものより早くする多積層量子ドット構造体および製造方法を得る。 - 特許庁

This light emitting element 1 has at least a positive electrode 3, a luminescent layer 5 containing the quantum dot 11, and a negative 4 in this order, and density of the quantum dot 11 in the thickness direction of the luminescent layer 5 becomes small as it goes toward the negative electrode side from the positive electrode side.例文帳に追加

少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を含有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、発光層５の厚さ方向における量子ドット１１の密度が陽極側から陰極側に向かって小さくなるように構成して、上記課題を解決した。 - 特許庁

The produced quantum dot-inorganic matrix complex contains a highly efficient quantum dot with a high density in the inorganic matrix, is excellent in luminous efficiency, can be easily produced by a low-temperature process, and can be used as a material for various displays and electronic devices.例文帳に追加

本発明により製造される量子ドット−無機マトリックス複合体は、無機マトリックス中に高効率の量子ドットが高密度で充填され、発光効率に優れ、低温工程で容易に製造することができ、様々なディスプレイ及び電子素子の材料として有用に使用することができる。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

To provide an apparatus of measuring an energy level and a method of measuring an energy level capable of measuring difference between an energy level of a quantum dot and that of a semiconductor material and the like adjacent to the quantum dot without giving damage even if a sample has a low thermal resistance.例文帳に追加

耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element and light-receiving element, manufacturing method of the MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element, and photoelectron integrated chip that utilizes the light-receiving/emitting element, as well as data processor.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A channel layer 11, a spacer layer 12, a first barrier layer 13, a quantum dot 14b, a second barrier layer 15, a quantum dot 16b, and a third barrier layer 17 are successively laminated on a substrate 1, and a gate electrode 4 is provided thereon.例文帳に追加

基板１の上にチャネル層１１，スペーサ層１２，第１の障壁層１３，量子ドット１４ｂ，第２の障壁層１５，量子ドット１６ｂおよび第３の障壁層１７を順次積層し、その上にゲート電極４を形成する。 - 特許庁

An optical fiber 2 has at least one quantum dot 9 which emits a single photon, a core 6 has a lateral mode as a single mode at the wavelength of the single photon, and a hollow pore 8 which is provided at the center of the core 6 and filled with the quantum dot 9.例文帳に追加

光ファイバ２は、単一の光子を放出する少なくとも１つの量子ドット９と、上記単一の光子の波長において横モードが単一モードとされたコア６と、コア６の中心部に設けられ、量子ドット９が充填された中空細孔８とを有する。 - 特許庁

The semiconductor optical device is provided with an active layer that has an optical amplification function and a light emitting function by current injection, and the active layer includes a quantum dot active layer 4, wherein the deformation quantity of the quantum dot varies depending on its position in the active layer 4.例文帳に追加

電流注入による光増幅機能及び発光機能を有する活性層を備えた半導体光素子において、前記活性層は量子ドット活性層４を有し、前記量子ドットは活性層４内の位置により歪量が変化していることを特徴とする。 - 特許庁

Difference between an energy level of a quantum dot included in the sample 100 and that in the bottom of the conductive band of an insulating layer close to or adjacent to the quantum dot is obtained as an irradiating energy E2 of the irradiation light with the wavelength λ2 to enable to measure the energy level with accuracy.例文帳に追加

サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 - 特許庁

The state of the polarization of light desired to be memorized is transcribed into an electron spin state in the quantum dot by a method called quantum teleportation using the entanglement between the light and the electron.例文帳に追加

この光-電子間のエンタングルメントを用いて、量子テレポーテーションという手法により、記憶させたい光の偏光状態を量子ドット内の電子スピン状態に転写する。 - 特許庁

To provide a new quantum dot forming technique by which quantum dots having smaller sizes than SK dots formed by the conventional technique can be formed with a uniform size at electron intervals capable of electron transition.例文帳に追加

従来技術で形成されるＳＫドットよりも微小なサイズの量子ドットを、均一なサイズで、かつ、電子遷移が可能となる間隔を持って形成する新しい量子ドット形成技術を提供する。 - 特許庁

To form a protrusion in the order of nanometer that can be used as a quantum dot or a quantum wire on the surface of a substrate and to form a protrusion in the order of nanometer configured of an element different from that constituting the substrate.例文帳に追加

基板の表面に量子ドット又は量子細線として利用可能なナノメートルオーダの凸部を形成すること、及び、基板を構成する元素と異なる元素で構成されたナノメートルオーダの凸部を形成する。 - 特許庁