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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > quasi-substrateに関連した英語例文

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quasi-substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24



例文

QUASI-COAXIAL TRANSMISSION DEVICE FABRICATED ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上に作成される擬似同軸伝送装置 - 特許庁

To provide a quasi-coaxial transmission device wherein quasi-coaxial transmission lines formed on a substrate can be made to rectangularly intersect with each other on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された擬似同軸伝送線を、基板上において直角に交差させることを可能とする擬似同軸伝送装置を提供する。 - 特許庁

The substrate 4 including the quasi-single crystal semiconductor thin film (quasi-single crystal silicon thin film 20) is separated from the single crystal semiconductor substrate (single crystal silicon substrate 2).例文帳に追加

擬単結晶半導体薄膜(擬単結晶シリコン薄膜20)を含む基板4と単結晶半導体基板(単結晶シリコン基板2)とを分離する。 - 特許庁

Respective structures are arranged so as to make tracks of two or more rows on the surface of the substrate and form a quasi-hexagonal lattice pattern, tetragonal lattice pattern or quasi-tetragonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成する。 - 特許庁

例文

Respective structures are arranged so as to make tracks of two or more rows on the surface of the substrate and form a quasi-hexagonal lattice pattern, a tetragonal lattice pattern or a quasi-tetragonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成する。 - 特許庁


例文

Respective structures are arranged so as to make the tracks of two or more rows on the surface of the substrate and form a quasi-hexagonal lattice pattern, tetragonal lattice pattern or quasi-tetragonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターン、四方格子パターンまたは準四方格子パターンを形成する。 - 特許庁

Respective structures are arranged so as to make tracks of two or more rows on the surface of the substrate and form a quasi-hexagonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターンを形成する。 - 特許庁

Respective structures are so arranged to make tracks of a plurality of rows on the surface of the substrate, and to form a quasi-hexagonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、準六方格子パターンを形成する。 - 特許庁

Each structure is disposed to form a plurality of circular tracks on the substrate surface as well as to form a quasi-hexagonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列の円弧状トラックをなすとともに、準六方格子パターンをなすように配置されている。 - 特許庁

例文

Then, in a region of the first region A, wherefrom a mask pattern 16 for forming an activated region is excluded, there is modified and designed the layout of a first quasi mask pattern 40a for forming a first quasi-activated region having a width which is not smaller than the predetermined width in a semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、この第1領域Aのうち活性化領域形成用マスクパターン16外の領域に、半導体下地に所定幅以上の幅を有する第1の疑似の活性化領域を形成するための第1疑似マスクパターン40aのレイアウトを修正設計する。 - 特許庁

例文

Heat treatment is applied to the semiconductor thin film, and the semiconductor thin film is crystallized by a solid phase growth method, and thus, a quasi-single crystal semiconductor thin film (quasi-single crystal silicon thin film 20) configured of a plurality of substantially single crystal grains (crystal silicon 16) starting at each of the protrusions 10 is formed on the substrate 4.例文帳に追加

半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を固相成長により結晶化させ、基板4上に、複数の突起部10のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒(結晶シリコン16)から構成される擬単結晶半導体薄膜(擬単結晶シリコン薄膜20)を形成する。 - 特許庁

The surface treatment of the semiconductor substrate such as a silicon substrate is performed by dipping a part or the whole of the semiconductor substrate in a solution including quinhydrone or quasi-quinhydrone.例文帳に追加

シリコン基板などの半導体基板の一部又は全部を、キンヒドロンまたは準キンヒドロンを含む溶液に浸すことにより表面を処理する。 - 特許庁

To provide a pure-metal or alloy plating layer having a biaxial texture and formed by electroplating on the surface of a metal substrate having single crystal or quasi-single crystal orientation and provide its manufacturing method.例文帳に追加

単結晶又は準単結晶配向性を有する金属基板の表面に電気鍍金により形成された二軸集合組織を有する純金属又は合金鍍金層及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film and its manufacturing method capable of obtaining a quasi-single crystal semiconductor thin film having a controlled crystal orientation on a substrate, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に結晶方位が制御された擬単結晶半導体薄膜を得ることが可能となる半導体薄膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Respective structures are so arranged as to make a plurality of rows of tracks on the surface of the substrate and to form a hexagonal lattice pattern or a quasi-hexagonal lattice pattern.例文帳に追加

各構造体は、基体表面において複数列のトラックをなすように配置されているとともに、六方格子パターンまたは準六方格子パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a sealant which bonds spaces between electrodes of solar batteries, organic EL devices and the like, seals liquid electrolytes, quasi-solid electrolytes, solid electrolytes, organic luminescent layers and the like and is capable of following the flexibility of substrate films.例文帳に追加

太陽電池、有機EL素子等の電極間を接合し、液体電解質、擬固体電解質、固体電解質、有機発光層等を封止し、かつ基材フィルムのフレキシブル性に追従することが可能なシール材を提供する。 - 特許庁

To provide a high frequency circuit member in which a high frequency circuit formed on the surface of a substrate and a high frequency circuit formed on the rear surface thereof are connected with low loss up to quasi-millimetric wave to millimetric wave of 10 GHz or above.例文帳に追加

基板の表面に形成された高周波回路と裏面に形成された高周波回路とが10GHz以上の準ミリ波〜ミリ波帯まで低損失で接続される高周波回路部材を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the fine structure comprises forming a fine structure having symmetry, which consists of an adatom, or of the adatom and an atom included in a substrate, by adsorbing one or more kinds of elements on a surface of the substrate having a quasi-periodic structure and by keeping it at a constant temperature.例文帳に追加

準周期構造を有する基板の表面上に、1種または2種以上の元素を吸着させて一定の温度に保つことにより、吸着原子からなる、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とからなる、対称性を有する微細構造を生成させて微細構造体を作製する。 - 特許庁

The plasma igniter 3 comprises an electron drift layer 5 formed on a semiconducting or conductive substrate 4 generating hot electron, quasi-ballistic electron, or ballistic electron, and a surface electrode 6 formed on the electron drift layer 5, and is loaded on an atmospheric pressure plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマイグナイタ3は、ホットエレクトロン、準弾道電子、又は弾道電子を生成する半導体もしくは導電性基板4上に形成された電子ドリフト層5と、電子ドリフト層5上に形成された表面電極6とからなり、大気圧プラズマ処理装置に搭載する。 - 特許庁

A thin film on a semiconductor substrate is dry-etched by selectively generating desired dissociated species through interaction between an inert gas that is excited to a quasi-stable state in plasma and a fron-family gas, to accurately control the composition of the dissociated species from the reaction gas.例文帳に追加

半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、フロン系ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることにより、反応ガスの解離種の組成制御を精密に行う。 - 特許庁

To provide a lipase inhibitor, an anti-obestic agent, a therapeutic agent for skin disease, a body smell-preventing agent, a tyrosinase substrate, a melanine-like substance formation promotor, a hair blackening medicine, food, a drug, a quasi-drug and a cosmetic containing a new phenolic dimer compound as an active ingredient.例文帳に追加

新規フェノール性2量体化合物を有効成分として含有するリパーゼ阻害剤、抗肥満剤、皮膚疾患治療剤、体臭防止剤、チロシナーゼ基質、メラニン様物質生成促進剤及び毛髪黒化剤、食品、医薬品、医薬部外品及び化粧品の提供。 - 特許庁

In a substrate for solar cell, utilizing a silicon single-crystal wafer as a substrate, a quasi-regular hexagonal wafer 8 having circular parts at the vertexes, being cut by a right hexagon large than a right hexagon inscribing the outer circumferential circle of the silicon single-crystal wafer but smaller than a right hexagon which circumscribes the outer circumferential circle of the wafer, is divided into two or four.例文帳に追加

シリコン単結晶ウエハを基板として用いる太陽電池用基板において、シリコン単結晶ウエハの外周円に内接する正六角形よりも大きく、該ウエハの外周円が内接する正六角形よりも小さな正六角形で切り取られた、頂点に円形部分を残す擬正六角形8のウエハが、2つまたは4つに分割されていることを特徴としている。 - 特許庁

In the wavelength conversion element, a periodic polarization reversal structure is formed on a parallel tabular single domain ferroelectric crystal substrate 10 cut by a plane orthogonal in a direction of a spontaneous polarization vector, and a wavelength of impinging light to be subjected to wavelength conversion is converted by quasi-phase matching based on the periodic polarization reversal structure.例文帳に追加

自発分極ベクトルの向きに直交する平面でカットされた平行平板単一ドメイン強誘電体結晶基板10に周期的分極反転構造が形成されており、入射される被波長変換光の波長を周期的分極反転構造に基づく擬似位相整合により変換する波長変換素子である。 - 特許庁

例文

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.例文帳に追加

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、10Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁

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