| 例文 |
rtnを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 20件
To exactly extract character information of a plurality of RTN signals when the RTN signals are overlapped.例文帳に追加
複数のRTN信号が重なっている場合において、RTN信号の性質情報を正確に抽出できるようにすること。 - 特許庁
The active regions Rtn for NMIS and the active regions Rtp for PMIS are so laid out that the distances Dpn in the Y direction between the active regions Rtn for NMIS and the active regions Rtp for PMIS may be essentially a constant value.例文帳に追加
NMIS用活性領域RtnとPMIS用活性領域RtpとのY方向における間隔Dpnは、実質的に一定値になるようにレイアウトされている。 - 特許庁
In the active regions Rtp and Rtn, gates 7 and 9 of P-channel type or N-channel type transistors are located, respectively.例文帳に追加
各活性領域Rtp,Rtnには、それぞれPチャネル型又はNチャネル型トランジスタのゲート7,9が配置されている。 - 特許庁
POLISHING MATERIAL, CMP SLURRY COMPOSITION, FORMING METHOD OF RTN PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
研磨用材料、CMP用スラリー組成物、RTNパターンの形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 - 特許庁
To perform quality determination of an insulating film about RTN, quality determination of a manufacturing process, circuit design, and the like, more accurately.例文帳に追加
RTNに関する絶縁膜の品質判定、製造工程の良否判定、回路設計などをより高精度に実施すること。 - 特許庁
This can properly suppress and optimize growth of a titanium silicide layer 57 at the time of heat treatment using an RTN method shown in Figure (A).例文帳に追加
すると、図2(A)に示すRTN法を用いた熱処理時に、チタンシリサイド層57の成長を適度に抑制して最適化することができる。 - 特許庁
When a defective picture quality signal (RTN) is received in the transmission of image data to the external information processor PC, the retransmission of the image data is repeated and when the defective picture quality signal (RTN) is received even after the frequency of the retransmission reaches a specific value, the retransmission of the image data is ended.例文帳に追加
外部情報処理装置PCへの画データの送信に対して、画質不良信号(RTN)を受信したときには、画データを再送信することを繰り返し、その再送信回数が所定回数になっても、画質不良信号(RTN)を受信したときには、画データの再送信を終了する。 - 特許庁
In the n-th (the standard number) machining, a wire moves in accordance with a machining path RTn and passes through the reentrant corner part at a wire position WMn to form an end face Hn of a workpiece.例文帳に追加
n回目(基準回数)の加工では加工経路RTnに従ってワイヤは移動し、ワイヤ位置WMnで凹角コーナ部を通過し、被加工物端面Hnを形成する。 - 特許庁
An error-correcting resistance element Rldn and setting resistance element RTn are connected in series each other, m+1 piece (m is a positive integer) of unit resistances SBn, in which fuses RLn are connected in parallel to the setting resistance element RTn and the error-correcting resistance element Rldn, are connected in series between a resistance element Rbottom and a resistance element Rtop.例文帳に追加
誤差補正抵抗素子Rldnと設定抵抗素子RTnが直列に接続され、設定抵抗素子RTn及び誤差補正抵抗素子RldnにヒューズRLnが並列に接続されてなるm+1個(mは正の整数)の単位抵抗SBnが抵抗素子Rbottomと抵抗素子Rtopの間に直列に接続されている。 - 特許庁
A gate insulating film 5 is formed in an active region composed of a silicon substrate 1 including an n-type MIS transistor formation region RTn and a p-type MIS transistor formation region RTp.例文帳に追加
n型MISトランジスタ形成領域RTn及びp型MISトランジスタ形成領域RTpのシリコン基板1からなる活性領域上にゲート絶縁膜5を形成する。 - 特許庁
In an N well 2 of the semiconductor circuit device, active regions Rtp for PMIS are formed as surrounded by the trench isolation Ris, while in a P well 3, active regions Rtn for NMIS are formed, also being surrounded by the trench isolation Ris.例文帳に追加
半導体回路装置のNウェル2には、PMIS用活性領域Rtpが、Pウェル3には、NMIS用活性領域Rtnがそれぞれトレンチ分離Risで囲まれて設けられている。 - 特許庁
Nitriding can be selectively carried out by rapid thermal nitridation (RTN), furnace nitriding, remote plasma nitriding (RPN), decoupled plasma nitriding (DPN), and wale implantation or polysilicon implantation, or by various techniques, including combinations of these methods.例文帳に追加
窒化は、急速熱窒化(RTN)、炉窒化、リモート・プラズマ窒化(RPN)、デカップルド・プラズマ窒化(DPN)、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。 - 特許庁
In the evaluation method of a semiconductor device comprising an MISFET having a gate insulating film, RTN of a plurality of MISFETs is measured, at least two parameters out of the position of a trap in the gate insulating film, energy of a trap, time constant of the RTN, and the RTM amplitude are extracted and then correlation of two parameters is determined.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の評価方法は、ゲート絶縁膜を有するMIS型FETを備える半導体装置の評価方法であって、複数のMIS型FETのRTNを測定し、RTNの測定結果に基づいて、ゲート絶縁膜中のトラップの位置、トラップのエネルギー、RTNの時定数、及びRTN振幅のうち少なくとも2つパラメータを抽出し、当該2つのパラメータの相関関係を求めるものである。 - 特許庁
In the (n + 1) time (or hereinafter) machining, the wire moves in accordance with the machining path RTn +1, but substitutes a linear part in the front and rear of the corner for a circular arc path and changes the machining path into a path changing from a straight line into a circular arc and a straight line.例文帳に追加
n+1回目(またはそれ以降)の加工では、加工経路RTn+1に従ってワイヤは移動するが、コーナ前後にかけての直線部分を、円弧経路で置換し、直線→円弧→直線と推移する経路に変更する。 - 特許庁
The unit resistances SBn is provided so that a composite resistance composed of the fuses RLn before cutoff, the setting resistance element RTn, and the error-correcting resistance element Rldn as well as the resistance value of the only error-correcting resistance element Rldn are equalized.例文帳に追加
単位抵抗SBnでは、ヒューズ切断前のヒューズRLn、設定抵抗素子RTn及び誤差補正抵抗素子Rldnの合成抵抗と、誤差補正抵抗素子Rldn単独の抵抗値が等しくなるように設定されている。 - 特許庁
To provide an RTN-based alloy powder having water resistance and oxidation resistance for a permanent magnet, the alloy powder which has increased water resistance and oxidation resistance and is thereby prevented from being contaminated by moisture and oxygen as much as possible.例文帳に追加
R・T・N系永久磁石用合金粉末の耐水性又は耐酸化性を改良し、水分或いは酸素による汚染を極力抑える事ができる耐水性、耐酸化性を有するR・T・N系の合金粉末を提供する。 - 特許庁
There is provided a system controller 4 for setting a EQM (an eye quality monitor) information of a modem in a T. 30 frame to notify a transmitter of the information at the time of a negative response containing RTN/PPR in cases where the transmitter is a real-time type internet facsimile.例文帳に追加
送信機がリアルタイム型インターネットファクシミリであった場合は、RTN/PPRを含むネガティブ応答時にT.30フレーム内にモデムのEQM(アイクオリティモニタ)情報を設定して送信機に通知する制御を行うシステム制御部4を備えた。 - 特許庁
The resistance circuit is constituted by connecting one or a plurality of second dedicated current breaking resistive elements RC0 in parallel to a unit resistance network constituted by connecting a plurality of unit resistances, each constituted by connecting a setting resistance element RTn and a first dedicated current breaking resistive element RLn in parallel, in series.例文帳に追加
設定抵抗素子RTnと第1の切断専用抵抗素子RLnを並列接続した単位抵抗を複数の直列接続した単位抵抗網に第2の切断専用抵抗素子RC0を1個または複数個並列に接続して抵抗回路を構成する。 - 特許庁
The resistance value of the unit resistances SBn after the fuses RLn being cut off increases by a resistance value of the setting resistance element RTn compared with the resistance value of the fuses RLn before cutoff, therefore, the error of the resistance value of the unit resistances SBn after the fuses RLn being cut off can be suppressed.例文帳に追加
ヒューズRLn切断後の単位抵抗SBnの抵抗値は、ヒューズRLn切断前に比べて設定抵抗素子RTnの抵抗値分だけ増加するので、ヒューズRLnの抵抗値に起因するヒューズRLn切断後の単位抵抗SBnの抵抗値誤差を抑制できる。 - 特許庁
When a signal (PIP or PIN) to request the reservation of conversation is detected from facsimile equipment 4 on the side of the other communication, a CPU 10 of a facsimile server 1 to perform the facsimile communication based on a communication instruction to be provided via a LAN 5 continues the facsimile communication as it is by regarding the signal as the one (MCF or RTN) to request no reservation of conversation.例文帳に追加
LAN5を介して与えられる通信指示に基づいてファクシミリ通信を行なうファクシミリサーバ1のCPU10は、通信相手側のファクシミリ装置4から会話予約を要求する信号(PIPまたはPIN)を検出した場合、その信号を会話予約を要求しない信号(MCFまたはRTN)とみなすことにより、ファクシミリ通信をそのまま継続する。 - 特許庁
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