「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

導波路型半導体光デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

WAVEGUIDE TYPE FILTER AND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

導波路型フィルタおよびそれを用いた半導体レーザ素子 - 特許庁

Likewise, the semiconductor optical waveguide 3 is mounted on a Si submount 7, wherein a waveguide 8 is formed inside the optical waveguide 3.例文帳に追加

同様に、半導体光導波路３はＳｉサブマウント７の上に載置されており、その内部に導波路８が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND INTEGRATED SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT例文帳に追加

半導体発光装置およびこれを利用した集積型半導体光導波路素子 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE ARRAY AND ARRAY-STRUCTURED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子 - 特許庁

A semiconductor laser 100 is provided with an optical waveguide 120.例文帳に追加

半導体レーザ１００は，光導波路１２０を備えている。 - 特許庁

RIDGE WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レ−ザ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having high coupling efficiency to an optical waveguide, and an optical semiconductor device which has high coupling efficiency to an optical waveguide while optical output is ensured within a desired dimension.例文帳に追加

本願発明は、光導波路への結合効率の高い光半導体装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

A semiconductor waveguide 10 and a semiconductor waveguide 11 are formed on the input side and the output side of SOA 9, respectively.例文帳に追加

ＳＯＡ９の入力側および出力側に、半導体導波路１０および半導体導波路１１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor chip 2 includes a semiconductor waveguide 4 and is mounted on a Si bench 5.例文帳に追加

半導体チップ２は、半導体導波路４を有し、Ｓｉベンチ５上に搭載されている。 - 特許庁

The optical waveguide-integrated semiconductor optical element 101 includes a laser part 20 and an optical waveguide part 21.例文帳に追加

光導波路集積型半導体光素子１０１は、レーザ部２０と光導波路部２１を備える。 - 特許庁

The waveguide-type optical functional device includes a semiconductor substrate where a waveguide region 21 and a window region 26 are set; an optical waveguide 30 formed on the semiconductor substrate in the waveguide region as a bent waveguide; and a window structure formed on the semiconductor substrate in the window region.例文帳に追加

導波路領域２１と窓領域２６とが設定された半導体基板と、導波路領域の半導体基板上に曲がり導波路として形成された光導波路３０と、窓領域の半導体基板上に形成された窓構造とを備えて構成される。 - 特許庁

SELF-ALIGNED MANUFACTURING PROCESS OF RIDGE-LIKE WAVEGUIDE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

リッジ状導波半導体レーザの自己位置合わせ式製造方法 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE, SEMICONDUCTOR OPTICAL INTEGRATED ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

光導波路、半導体光集積素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING BURIED OXIDE LAYER AS OPTICAL WAVEGUIDE例文帳に追加

埋め込み酸化層を光導波路として使用する半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR PHOTONIC CRYSTAL WAVEGUIDE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR PHOTONIC CRYSTAL DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体フォトニック結晶導波路構造及びそれを使用した半導体フォトニック結晶デバイス - 特許庁

To realize a ridge waveguide semiconductor laser having a high kink level by preventing an injection current from spreading in the direction along a semiconductor layer in a ridge waveguide semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レ−ザにおいて、注入電流の半導体層に沿った方向への広がりを防止し、高いキンクレベルの半導体レ−ザを実現する。 - 特許庁

The semiconductor optical element 100 has the buried optical waveguide structure wherein a mesa-type optical waveguide layer is provided on a semiconductor substrate 101 and the optical waveguide layer is buried.例文帳に追加

半導体光素子１００は、メサ状の光導波層が半導体基板１０１上に設けられており、光導波層が埋設されている埋込光導波路構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor optical amplifier comprises an active waveguide 150 and a laser oscillator structure constituting the active waveguide 150.例文帳に追加

半導体光増幅器は、能動導波路およびその能動導波路を構成するレーザ発振器構造を含む。 - 特許庁

The optical waveguide module 1 is provided with: a flexible optical waveguide 2; a base part 3; and semiconductor optical elements 4 and 5.例文帳に追加

光導波路モジュール１は、フレキシブル光導波路２、基台部３、及び半導体光素子４，５を備える。 - 特許庁

To enhance the strength of the core part of a rib-shaped semiconductor optical waveguide to eliminate the breakage of the optical waveguide in cutting.例文帳に追加

リブ型半導体光導波路のコア部分の強度を上げ、切断時の光導波路の破損をなくする。 - 特許庁

The optical path includes the semiconductor layer that further includes a waveguide core region.例文帳に追加

光路は、導波路コア領域をさらに含む半導体層を含む。 - 特許庁

SELF ALIGNMENT METHOD FOR FABRICATING RIDGE WAVEGUIDE SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

リッジ導波管半導体レーザーダイオードを製造するための自己整合法 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT, SEMICONDUCTOR RAMAN OPTICAL AMPLIFIER, AND OPTICAL AMPLIFICATION DEVICE例文帳に追加

光導波路素子、半導体ラマン光増幅器及び光増幅装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE例文帳に追加

半導体装置の製造方法および光導波路の製造方法 - 特許庁

STRIPE WAVEGUIDE STRUCTURE TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法 - 特許庁

WAVEGUIDE TYPE PHOTODETECTOR WITH SEMICONDUCTOR LAYER FOR NON-ALLOY CONTACT例文帳に追加

ノンアロイコンタクト用の半導体層を備えた導波路型光検出器 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING RIB-SHAPE OPTICAL WAVEGUIDE DISTRIBUTED REFLECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

リブ型光導波路分布反射型半導体レーザの製造方法 - 特許庁

The optical semiconductor element 1 forms waveguides 2, 3 and 4 being optical waveguide type emission regions, and a waveguide 5 being an emission optical waveguide.例文帳に追加

光半導体素子１には、光導波路型発光領域である導波路２、３、４と、出射用光導波路である導波路５とが形成されている。 - 特許庁

An optical semiconductor comprises an optical waveguide 50 made of a semiconductor and having a mesa type structure; and a photodiode 52 made of a semiconductor, connected to the optical waveguide 50 and including an optical waveguide structure with a wider mesa type structure than the optical waveguide 50.例文帳に追加

半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路５０と、半導体からなり、光導波路５０に接続され、光導波路５０よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード５２と、を有する光半導体。 - 特許庁

WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL MODULE AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

導波路型半導体光素子および光モジュールおよび光通信システム - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide element having large permissible input light power.例文帳に追加

許容入力光パワーの大きい半導体導波路素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor waveguide 11 has a turning back part 11a which is turned back on the semiconductor substrate 8.例文帳に追加

半導体導波路１１は半導体基板８上で折り返された折り返し部１１ａを有する。 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE MOUNTING MEMBER, SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL WAVEGUIDE MOUNTING MEMBER, AND MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

光導波路装着部材、基板、半導体装置、光導波路装着部材の製造方法、及び基板の製造方法 - 特許庁

The semiconductor light receiving element includes a waveguide region 101 having a first pin structure consisting of a p-type waveguide 101a, a waveguide 101b and an n-type waveguide 101c.例文帳に追加

本発明にかかる半導体受光素子は、ｐ型導波路１０１ａと、導波路１０１ｂと、ｎ型導波路１０１ｃからなる第１のｐｉｎ構造有する導波路領域１０１を備える。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser diode, the drive power of which is small.例文帳に追加

駆動電力が小さいリッジ導波型半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

A transparent resin is dropped between the optical waveguide and the optical semiconductor device (S7).例文帳に追加

光導波路と光半導体素子の間に透明樹脂を滴下する（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide an optical waveguide and an optical waveguide substrate in which an optical coupling between the optical waveguide and a semiconductor photodetector can be realized with a simple method.例文帳に追加

簡便な方法で効率的に光導波路と半導体受光素子との光結合を可能とする光導波路および光導波路基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a waveguide type semiconductor element of which the impurity concentration diffusing into a waveguide layer is low and the series resistance is low.例文帳に追加

導波層内に拡散する不純物濃度が低く、かつ、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子を提供する。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with a p-type cladding layer (18), a waveguide layer (6) and a n-type cladding layer (4).例文帳に追加

本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。 - 特許庁

The semiconductor layer is dry-etched by using the mask to form a semiconductor mesa for an optical waveguide structure.例文帳に追加

このマスクを用いて半導体積層をドライエッチングして光導波路構造のための半導体メサを形成する。 - 特許庁

To improve mode matching between a semiconductor laser and an optical waveguide which are directly combined by satisfactorily confining light into the optical waveguide, in an optical waveguide element directly combined with the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザと直接結合される光導波路素子において、光導波路への光閉じ込めを十分に高くし、直接結合された半導体レーザと光導波路とのモードマッチングを良好にする。 - 特許庁

The light waveguide passage 8 is optically connected to the semiconductor optical element 34.例文帳に追加

光導波路８は、半導体発光素子３４に光学的に結合されている。 - 特許庁

The optical waveguide 5 is optically coupled to the semiconductor optical amplifying element 3.例文帳に追加

光導波路５は、半導体光増幅素子３に光学的に結合されている。 - 特許庁

Each upper clad layer of optical waveguide regions 11, 13 of the optical waveguide 10, optical waveguide regions 21, 23 of the optical waveguide 20, the incident side optical demultiplexer 30, and the emission side optical multiplexer 40 comprise a semi-insulating semiconductor.例文帳に追加

光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 - 特許庁