「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical semiconductor module is characterized in that the optical waveguide end surface of an optical element and an optical fiber are coupled with each other by pressing and bringing the optical waveguide end surface of the optical element and an optical fiber end surface into contact with each other.例文帳に追加

光素子の光導波路端面と光ファイバ端面とを相互に押圧をもって接触させることにより、光素子の光導波路と光ファイバを結合させたことを特徴とする光半導体モジュール。 - 特許庁

Accordingly, a compound semiconductor integrated structure is formed and moreover the inclined waveguide structure in which the waveguide is inclined for the light emitting surface may be formed on the mask interval region between a pair of masks.例文帳に追加

これにより、化合物半導体積層構造として構成され、かつ出射端面に対して導波路を傾斜させた斜め導波路構造部を対のマスク間のマスク間隙領域上に形成することができる。 - 特許庁

To provide an optical device which is electrically wired with ease, free of an increase in the optical loss of an optical waveguide, and makes it possible to position an optical semiconductor element and the optical waveguide relatively easily and precisely.例文帳に追加

電気配線が容易で光導波路の光学的損失の増加がなく、光半導体素子と光導波路を比較的容易に且つ精密に位置合せをすることのできる光学装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an optical waveguide that can more efficiently converge each laser beam emitted from a plurality of light emitting sections of a semiconductor laser array and that can be more easily realized, and to provide an optical waveguide array and a laser light emitting device.例文帳に追加

半導体レーザアレイの複数の発光部から出射された各レーザ光を、より効率良く集光でき、且つより容易に実現できる光導波路、光導波路アレイ、及びレーザ発光装置を提供する。 - 特許庁

Fundamental wave light emitted from a semiconductor laser 1 is guided into an optical waveguide 13b having a wavelength converting function, and thereby laser light mixedly containing fundamental wave light and higher harmonic wave light is emitted from the optical waveguide 13b.例文帳に追加

半導体レーザ１から出射された基本波光を波長変換機能を有する光導波路１３ｂに導入し、基本波光と高調波光とが混在するレーザ光を光導波路３ｂから出射する。 - 特許庁

The optical component comprises: the substrate 46 on which V-shaped grooves 49 are formed and to which semiconductor lasers 48 are provided; and the waveguide circuit element 41 on which notch structures 44 fitted to the V-shaped grooves 49 and which includes waveguide cores 43.例文帳に追加

Ｖ溝４９が形成され、半導体レーザ４８が設けられた基板４６と、Ｖ溝４９と嵌合するノッチ構造４４が形成された、導波路コア４３を含む導波路回路素子４１とを備える。 - 特許庁

To sufficiently improve the confinement of light into an optical waveguide and to improve mode matching between a semiconductor laser element and the optical waveguide element directly connected to the laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子と直接結合される光導波路素子において、光導波路への光閉じ込めを十分に高くし、直接結合された半導体レーザ素子と光導波路とのモードマッチングを良好にする。 - 特許庁

As regards the optoelectric composite device 14, a semiconductor layer 17 is jointed to the silicon substrate 2 including the optical waveguide layers 5 and the light-receiving element 9 in the optical waveguide module 8.例文帳に追加

本発明の光導波モジュール８において、光導波層５及び受光素子９を含むシリコン基体２上に、絶縁膜１６を介して半導体層１７が接合されている、光・電気複合デバイス１４。 - 特許庁

The first substrate 10 and the semiconductor optical amplifier 40 are arranged on the mounting substrate 70 in such a way that two end parts of the optical waveguide 11 and two end parts of the optical waveguide 22 are connected to one another.例文帳に追加

光導波路１１の２つの端部と光導波路２２の２つの端部とが結合されるように、第１の基板１０および半導体光増幅器４０が実装基板７０上に配置されている。 - 特許庁

A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加

リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser device for easily forming a ridge waveguide without the need of the composition change or design change of a conventionally used semiconductor layer in a monolithic 2-wavelength semiconductor laser device.例文帳に追加

モノリシック型２波長半導体レーザ装置において、従来から使用されている半導体層の組成変更または設計変更をする必要がなく、リッジ導波路の形成が容易な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The GaN semiconductor laser chip (semiconductor laser device) comprises an n-type GaN substrate 11 made of a nitride semiconductor and a semiconductor layer 12 formed on the n-type GaN substrate 11, provided with a ridge part 12a, constituting an optical waveguide extending in F-direction, and made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、窒化物系半導体からなるｎ型ＧａＮ基板１１と、ｎ型ＧａＮ基板１１上に形成され、Ｆ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

The optical semiconductor element 1 includes: an insulating layer 4 that covers the side faces of the waveguide core layer 3a and the upper face of the slab layer 3b; and a second semiconductor layer 5 provided in the sides of the waveguide core layer 3a and the upper surface of the slab layer 3b via the insulating layer 4.例文帳に追加

光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical element which can reduce contact resistance between an optical waveguide unit and an electrode, and to prevent the medium rupture of the electrode simultaneously in a structure in which a mesa shape optical waveguide unit including an active layer is embedded with a high resistance portion, and to provide the semiconductor optical element.例文帳に追加

活性層を含むメサ状の光導波路部を高抵抗部で埋め込んだ構造において、光導波路部と電極とのコンタクト抵抗を低減し、且つ電極の段切れを防ぐことができる半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device, for manufacturing an optical integrated circuit smaller than a high-mesa structure and having no problem in characteristics of a waveguide, strong in mechanical strength by using a group III-V semiconductor to form an optical waveguide having the same refractive index difference as a silicon thin line.例文帳に追加

III V族半導体を用いて、シリコン細線と同等の屈折率差をもつ光導波路を形成し、ハイメサ構造よりも更に小さく、機械的な強度が強く導波路の特性に問題の無い光集積回路を実現することができる光半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A GaN based semiconductor laser chip (semiconductor laser device) includes a substrate 11 made of an n-type GaN and a semiconductor layer 12 made of a nitride-based semiconductor formed on the substrate 11 on which a ridge portion 12a constituting an optical waveguide extending in a C direction is formed.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザチップ（半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮからなる基板１１と、基板１１上に形成され、Ｃ方向に延びる光導波路を構成するリッジ部１２ａが形成された窒化物系半導体からなる半導体層１２とを備えている。 - 特許庁

To embed first and second optical semiconductor devices with embedding layers of different structures in the state of matching the center axes of optical waveguide layers forming respective optical semiconductor devices in an integrated optical semiconductor device wherein the first and second optical semiconductor devices coexist.例文帳に追加

第１及び第２の光半導体装置が混在する集積化光半導体装置において、夫々の光半導体装置を形成する光導波路層の中心軸を一致させた状態で、第１及び第２の光半導体装置を異なった構造の埋め込み層で埋め込むこと。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor ring laser, the semiconductor ring laser having a ridge type optical waveguide formed circumferentially is connected through bumps, in the recess of the semiconductor ring laser, with a substrate having electrodes on the surface.例文帳に追加

半導体リングレーザーを有する半導体装置において、周回状に形成されたりリッジ型の光導波路を有する半導体リングレーザーと表面に電極を備える基体とが、該半導体リングレーザーの凹部においてバンプ接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The semiconductor layer laminate 102 has a striped optical waveguide extending between a first end face 151 and a second end face 152.例文帳に追加

半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element in which an optical waveguide between electrodes is electrically separated and the electrode capacitance can be reduced in a simple structure.例文帳に追加

電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device and a Mach-Zehnder type optical modulator capable of reducing absorption loss of light and waveguide loss of electrical signals.例文帳に追加

光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。 - 特許庁

The modulated light is amplified by the semiconductor optical amplifier and then is outputted to an optical output waveguide 42 through the MMI coupler for multiplexing.例文帳に追加

変調光は半導体光増幅器で増幅され、次いで合波用ＭＭＩカプラを経て、光出力導波路４２に出力される。 - 特許庁

To provide an optical waveguide which can optically be coupled to an optical fiber with high efficiency even when the emission region width of a semiconductor laser is wide.例文帳に追加

半導体レーザの出射領域幅が広い場合にも高効率で光ファイバに光結合することが可能な光導波路を提案する。 - 特許庁

A tubular waveguide 13 is formed of a semiconductor to thereby propagate a terahertz wave from an incident light source 11 to the inside thereof.例文帳に追加

管状の導波路１３が、半導体で形成され、入射用光源１１からのテラヘルツ波を内部に伝播可能に設けられている。 - 特許庁

When the optical waveguide is made of an optical semiconductor material and composed of electrically independent electrode grating groups, a programmable header discrimination circuit is configured.例文帳に追加

光導波路を光半導体材料とし、電気的に独立な電極格子群で構成すると、プログラマブルなヘッダ識別器が構成される。 - 特許庁

To provide an optical integrated circuit board having an enhanced photodetecting efficiency by a semiconductor photodetector for a light to be propagated through an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を伝搬する光に対する半導体受光素子による受光効率を高めた光集積回路基板を提供する。 - 特許庁

To satisfactorily enlarge the ratio of film thickness of a tapered optical waveguide layer and also to prevent masks from peeling off with respect to a method of manufacturing an optical semiconductor element.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法に関し、テーパ光導波層の膜厚比を十分に大きくするとともに、マスクの剥離を防止する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type module which, by a simple structure, can shade light sneaking in a photodetector from a semiconductor laser.例文帳に追加

簡単な構成により、半導体レーザから受光素子に回り込む光を遮光することのできる光導波路型モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge waveguide type semiconductor laser device which has a vertical mesa ridge stripe structure without crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥がない垂直メサ構造のリッジストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce leakage of light to a semiconductor substrate without sufficiently increasing the thickness of a clad layer, and to reduce transmission loss of an optical waveguide.例文帳に追加

クラッド層の厚みを十分厚くしなくても半導体基板への光の漏れを低減し、光導波路の伝搬損失を低減すること。 - 特許庁

Or, materials and waveguide length of the semiconductor optical waveguides 8 and polymer optical waveguides 9 are selected, thereby obtaining desired temperature dependence.例文帳に追加

あるいは、半導体光導波路８とポリマー光導波路９の材料及び導波路長を選択して所望の温度依存性を持たせる。 - 特許庁

The flexible optical waveguide 2 is fixed on the base part 3 so that the end face 21d of the core part 21 faces to the semiconductor optical elements 4 and 5.例文帳に追加

フレキシブル光導波路２は、コア部２１の端面２１ｄが半導体光素子４，５と対向するように基台部３に固定される。 - 特許庁

To form an effective edge window structure without generation of crystal defect within waveguide in a face emitting type semiconductor laser.例文帳に追加

端面発光型半導体レーザにおいて、導波路内に結晶欠陥を発生させることなく、有効な端面窓構造を形成すること。 - 特許庁

To provide an optical module coupling structure which using an optical fiber having a working distance and a semiconductor optical waveguide having a cleavage surface.例文帳に追加

ワーキングディスタンスを持つ光ファイバや、劈開面を持つ半導体光導波路を用いることが可能な光モジュールの結合構造を提供する。 - 特許庁

To provide an optical gyro sensor and its manufacturing method capable of integrating highly accurately an optical waveguide and an optical amplifier on a semiconductor substrate.例文帳に追加

光導波路と光増幅器を半導体基板上に高精度に集積化できる光ジャイロセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The incident end face is larger than the exit end face, and the beam of laser emitted from the semiconductor laser oscillator propagates in the optical waveguide.例文帳に追加

コアの入射端面が出射端面よりも大きく、半導体レーザ発振器から出射したレーザビーム光導波路内を伝搬する。 - 特許庁

To provide a means in which 'leaking light' at a lower part of a ridge is not converged on an optical coupling system in a ridge type semiconductor optical waveguide element.例文帳に追加

リッジ型の半導体光導波素子において、リッジの下部の「もれ光」が光の結合系に集光されない手段を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser efficiently dissipating a heat generated in a ridgy waveguide to the outside, increasing an upper-limit temperature capable of ensuring the basic characteristics and reliability of an element, and enabling a stable operation under a high-temperature state in an insulating film coating the surface of the semiconductor laser such as the ridgy waveguide and a manufacturing method for the semiconductor laser.例文帳に追加

リッジ状導波路などの半導体レーザ表面を皮膜する絶縁膜において、リッジ状導波路内で発した熱を外部に効率良く放出し、素子の基本特性および信頼性を保証できる上限温度を引き上げ、高温状態下における安定動作を可能とする半導体レーザとその製造方法を提供する。 - 特許庁

A device for processing an optical signal is made up of a Raman waveguide 11 which functions as a semiconductor Raman amplifier; a semiconductor laser diode 4 which serves as a pumping light source for exciting the Raman waveguide 11; an optical circulator 8; and a photoelectric conversion circuit 6 for exclusively extracting a synchronously amplified optical pulse signal of a desired channel, as an electric pulse signal from an output optical pulse signal of the Raman waveguide 11.例文帳に追加

半導体ラマン増幅器として機能するラマン導波路１１、このラマン導波路１１を励起するポンプ光源としての半導体レーザダイオード４、光サーキュレータ８、及び、ラマン導波路１１の出力光パルス信号から同期増幅された所望のチャンネルの光パルス信号のみを電気信号パルスとして取り出す光電変換回路６から構成されている。 - 特許庁

This system is constituted of a Raman waveguide path 11 which functions as a semiconductor Raman amplifier, a semiconductor laser diode 4 serving as a pump light source of exciting this Raman waveguide path 11, a light circulator 8, and a photoelectric conversion circuit 6 which extracts only the light pulse signal of a desired channel being amplified synchronously from the output light pulse signal of the Raman waveguide path 11 as electric signal pulses.例文帳に追加

半導体ラマン増幅器として機能するラマン導波路１１、このラマン導波路１１を励起するポンプ光源としての半導体レーザダイオード４、光サーキュレータ８、及び、ラマン導波路１１の出力光パルス信号から同期増幅された所望のチャンネルの光パルス信号のみを電気信号パルスとして取り出す光電変換回路６から構成されている。 - 特許庁

Semiconductor laser 1 has a 1×3-type multimode interference waveguide 102, one optical waveguide 101 prepared at one end of the multimode interference waveguide 102 for guiding light, and three optical waveguides prepared at the other end of the multimode interference wageguide 102 for guiding laser beams (straight waveguide 108 and curved waveguides 107).例文帳に追加

半導体レーザー１は、１×３型マルチモード干渉導波路１０２と、マルチモード干渉導波路１０２の一方の端部に設けられ、光を導波する１本の光導波路１０１と、マルチモード干渉導波路１０２の他方の端部に設けられ、レーザー光を導波させる３本の光導波路（直線導波路１０８及び曲線導波路１０７）と、を備える。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is formed of a laminate which is formed of a plurality of semiconductor layers, and is provided with a resonator (optical waveguide) 30 including a MQW active layer 14.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ装置は、複数の半導体層からなる積層体により構成され、ＭＱＷ活性層１４を含む共振器（光導波路）３０を備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a laminated structure 31 of a nitride semiconductor, which is formed on a substrate 11 and includes a stripe-like optical waveguide 32 extending in parallel to a main face of the substrate 11.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、基板１１の主面と平行に延びるストライプ状の光導波路３２を有する窒化物半導体の積層構造３１を備えている。 - 特許庁

The module is provided with the submount, the semiconductor laser fixed on the submount and the optical waveguide type wavelength transformation device fixed on the submount in a way that the incident face of the device is placed opposite to the emitting face of the semiconductor laser.例文帳に追加

サブマウントと、サブマウント上に固定された半導体レーザと、半導体レーザの出射面に入射面を対向させてサブマウント上に固定された光導波路型波長変換デバイスとを備える。 - 特許庁

In a multi-wavelength laser array 10, ridge-waveguide semiconductor laser elements 13a to 13f are arranged in an array shape, where the ridge-wave semiconductor laser elements have a different oscillation wavelength on a common n-InP substrate 12.例文帳に追加

多波長レーザ・アレー１０は、共通のｎ−ＩｎＰ基板１２上に異なる発振波長を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子１３ａ〜１３ｆをアレー状に配列したものである。 - 特許庁