「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The blue-violet semiconductor laser element 10 has an optical waveguide formed in a region where the red semiconductor laser element 50 is not bonded, and the electrode layer 21 is formed to extend in Y2 direction from between the red semiconductor laser element 50 and the insulation film 20 toward the region where the optical waveguide is formed.例文帳に追加

そして、青紫色半導体レーザ素子１０は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、電極層２１は、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜２０との間から光導波路が形成される領域側にＹ２方向に延びる。 - 特許庁

A laser beam emitted from the double electrode semiconductor laser is optically coupled to the optical waveguide 6 of the optical waveguide device 3, a part of the laser beam emitted from the double electrode semiconductor laser is reflected from the DBR region so as to be fed back to the double electrode semiconductor laser, and thus an oscillation wavelength is locked.例文帳に追加

二電極半導体レーザから出射したレーザ光が光導波路デバイスの光導波路６に光学的に結合されるように構成され、二電極半導体レーザから出射したレーザ光の一部分はＤＢＲ領域により反射して二電極半導体レーザに光帰還して、発振波長がロックされる。 - 特許庁

To provide a light generation device in which, when a semiconductor laser, an optical component and an optical waveguide constituting the light generation device are mounted and fixed onto a substrate, mutual alignment of each of the semiconductor laser, the optical component and the optical waveguide can be accurately performed.例文帳に追加

光発生装置を構成する半導体レーザ、光学部品及び光導波路を基板上に搭載固定するに際して、各半導体レーザ、光学部品及び光導波路相互間の位置合わせを精度良く行うことが可能な光発生装置を提供する。 - 特許庁

A Mach-Zehnder type optical interference circuit 120 is formed on a platform 110; two semiconductor optical amplifiers(SOA) 131, 133 are packaged in an arm waveguide 123; and two semiconductor optical amplifiers 132, 134 are packaged in an arm waveguide 124.例文帳に追加

プラットホーム１１０にはマッハツェンダ型光干渉回路１２０が形成されており、アーム導波路１２３には２つの半導体光増幅器（ＳＯＡ）１３１，１３３が、アーム導波路１２４には２つの半導体光増幅器１３２，１３４が実装されている。 - 特許庁

Further, the light exiting side end surface side of the optical waveguide element 51 is directly coupled to the light incident side end surface of a semiconductor optical amplifier 39 so that the propagating mode of the optical waveguide element 51 nearly coincides with the distribution of light intensity of the semiconductor optical amplifier 39.例文帳に追加

さらに光導波路素子51の光出射側端面側と半導体光増幅器39の光入射側端面とを、光導波路素子51の伝搬モードと半導体光増幅器39の光強度分布がほぼ一致するように直接結合させる。 - 特許庁

To obtain high output transformed light by suppressing the decrease in the wavelength transformation efficiency of an optical waveguide type wavelength transformation device due to the heat generation in a semiconductor laser in a module in which the optical waveguide type wavelength transformation device and the semiconductor laser are arranged on a submount.例文帳に追加

光導波路型波長変換デバイスと半導体レーザをサブマウント上に配置したモジュールにおける、半導体レーザの発熱による光導波路型波長変換デバイスの波長変換効率の低下を抑制し、高出力の変換光を得る。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも大きくされている。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも小さくされている。 - 特許庁

The optical integrated circuit A1 comprises the optical waveguide 2A to which an optical signal is transmitted, optical semiconductor components 3 on which a surface emitting laser 7 and a photo diode 8 are mounted, and a mount substrate 4 on which the optical waveguide 2A and the optical semiconductor component 3 are mounted.例文帳に追加

光集積回路１Ａは、光信号が伝送される光導波路２Ａと、面発光レーザ７及びフォトダイオード８が搭載された光半導体部品３と、光導波路２Ａ及び光半導体部品３が実装される実装基板４を備える。 - 特許庁

A surface mount type optical transmission module 1A is constituted by installing on a substrate 10 a semiconductor laser 20 as a light emitting element which converts an electric signal into a light signal and a plane waveguide type optical waveguide element 25 having an optical waveguide 26 as an optical transmission line which transmits and outputs the light signal from the semiconductor laser 20.例文帳に追加

電気信号を光信号へと変換する発光素子である半導体レーザ２０と、半導体レーザ２０からの光信号を伝送して出力する光伝送路である光導波路２６を有する平面導波路型の光導波路素子２５とを基板１０上に設置して、表面実装型の光送信モジュール１Ａを構成する。 - 特許庁

When the optical waveguide type wavelength converting device is disposed about the semiconductor laser installed on the submount, the semiconductor laser is driven and the position of the optical waveguide type wavelength converting device is adjusted while the output of a higher harmonic generated by the optical waveguide type wavelength converting device as its output light is incident is monitored.例文帳に追加

サブマウント上に設置された半導体レーザに対して光導波路型波長変換デバイスを位置決めする際に、半導体レーザを駆動し、その出力光が入射することにより光導波路型波長変換デバイスより発生する高調波の出力をモニターしながら光導波路型波長変換デバイスの位置を調整する。 - 特許庁

A temperature changeable control means 5 is installed only in a semiconductor laser part 2 of the optical semiconductor device in which the semiconductor laser part 2 oscillating at a single wavelength and a semiconductor optical amplifier part 4 are coupled through an optical waveguide part 3 and integrated on an identical substrate 1.例文帳に追加

単一波長で発振する半導体レーザ部２と、半導体光増幅器部４とを光導波路部３で結合して同一基板１上に集積化した光半導体装置の半導体レーザ部２にのみ温度可変制御手段５を設ける。 - 特許庁

To solve the problem of reduction in stability of a floating slider caused by stress of a waveguide when a semiconductor laser is disposed outside the slider and a light is guided to the floating slider by using the waveguide, and the problem of blocking of the movement of the slider by the waveguide when an actuator is disposed near the floating slider.例文帳に追加

半導体レーザをスライダ外部に配置し導波路を用いて浮上スライダに光を導く際、導波路の応力により浮上スライダの安定性が低下する問題、及び浮上スライダ近傍にアクチュエータを配置した際、導波路によりスライダの動き妨げられる問題を解決する。 - 特許庁

To enhance the input efficiency of a laser beam into an optical waveguide in an optical waveguide element which is so composed that the laser beams emitted from respective semiconductor laser elements which are directly connected with respective multi-channel incident ends, are synthesized with a branch optical waveguide and finally emitted from one emitting end.例文帳に追加

マルチチャンネルの入射端のそれぞれに直接結合された半導体レーザ素子から発せられたレーザビームを分岐光導波路で合波して１つの出射端から出射させる構成の光導波路素子において、レーザビームの光導波路への入力効率を高める。 - 特許庁

The semiconductor laser is also provided with a laser light exiting end face formed so as to form an angle of about 90° from the axis of the waveguide, and a laser light reflection face 18 opposed to the laser light exiting end face through the waveguide and inclined from the axis of the waveguide at an angle of about 45°.例文帳に追加

また、導波路の軸に対して略９０°の角度をなすように形成されたレーザ光出射端面と、導波路を挟んで当該レーザ光出射端面と対向し、導波路の軸に対して略４５°の角度で傾斜したレーザ光反射面１８とを備えている。 - 特許庁

To enhance the input efficiency of a laser beam into an optical waveguide in an optical waveguide device configured such that the laser beams which are emitted from semiconductor laser elements directly connected to respective incident ends of multi channel are multiplexed at optical waveguide branch and emitted from an emission port.例文帳に追加

マルチチャンネルの入射端のそれぞれに直接結合された半導体レーザ素子から発せられたレーザビームを分岐光導波路で合波して１つの出射端から出射させる構成の光導波路素子において、レーザビームの光導波路への入力効率を高める。 - 特許庁

To provide an optical element which can comparatively easily control a propagating state of an electromagnetic wave, being wavelength light with a photon energy lower than a band-gap energy of a semiconductor layer constituting an electromagnetic waveguide, and propagating through the waveguide or made to irradiate the waveguide, with an operation from the outside.例文帳に追加

電磁波導波路を構成する半導体層のバンドギャップエネルギーより低い光子エネルギーを持つ波長光であって導波路を伝搬するか導波路上に照射される電磁波に対して、外部からの操作によって比較的容易に伝搬状態を制御できる光学素子である。 - 特許庁

To facilitate the designing of an electric device formed on a semiconductor layer of a front surface in forming a thick portion, e.g. an optical waveguide on the semiconductor layer sandwiched by a double-layer insulator.例文帳に追加

２層の絶縁体層に挟まれた半導体層に肉厚部、例えば光導波路を形成する場合に、表面側の半導体層に形成される電気デバイスの設計を容易とする。 - 特許庁

The red laser beam of a red semiconductor laser element 10 is emitted from the front face of the flue semiconductor element 9 through the waveguide 9a of the element 9.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子１０の赤色レーザ光は青色半導体レーザ素子９の導波路９ａを通過して青色半導体レーザ素子９の前端面から出射される。 - 特許庁

A semiconductor laser and an optical waveguide substrate are fixed at prescribed positions and integrated in a package (8) which has a positioning pin (8a) for the package and a lead (12) which supplies a power to the semiconductor laser.例文帳に追加

パッケージ(8)は、半導体レーザと光導波路基板とを所定位置での固定により一体化しており、パッケージ位置を決めるピン(8a)と半導体レーザに給電するためのリード(12)とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element of a waveguide type with a high mesa ridge structure, the semiconductor optical element in which an excellent ohmic junction can be obtained and light intensity is prevented from decreasing.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子において、良好なオーミック接合が得られ、かつ光強度の低下を防止した半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide element and a semiconductor laser in which the electrode isolation resistance can be increased by suppressing the impact of reflection wave effected by an isolation trench while maintaining the electrode interval.例文帳に追加

電極間隔を維持しつつ、分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大することができる半導体導波路素子および半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Dry etching is carried out to a second semiconductor layer to a half way using a resist as a mask, and a concave with the second semiconductor layer at the bottom and a waveguide ridge adjacent to the concave are formed.例文帳に追加

レジストをマスクとして第２の半導体層を途中までドライエッチングして、底部に第２の半導体層を残した凹部およびこの凹部に隣接した導波路リッジを形成する。 - 特許庁

To stably prevent an decrease in contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on the upper surface of a waveguide ridge; and to prevent etching damage in the semiconductor layer.例文帳に追加

安定的に導波路リッジの上表面において半導体層と電極層との接触面積の減少を防止し、この半導体層におけるエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 100, a region of the vicinity of an active layer 5 above a ridge portion Ri acts as an optical waveguide region LP.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００においては、リッジ部Ｒｉの上方の活性層５周辺の領域が光導波領域ＬＰとなる。 - 特許庁

An optical device (10) such as a semiconductor laser includes a diffraction grating (12) and a waveguide (14) optically connected to the diffraction grating (12).例文帳に追加

半導体レーザのような光学デバイス（１０）は回折格子（１２）及び回折格子に光学的に結合された導波路（１４）を含む。 - 特許庁

To realize an optical module that optically couples a semiconductor laser having a thin and wide emitting end with an optical waveguide with a low loss.例文帳に追加

出射端の厚みが狭くかつ幅広の半導体レーザと光導波路を低損失で光結合する光モジュールを実現する。 - 特許庁

To provide an optical integrated circuit board which enhances the photodetecting efficiency by a semiconductor photodetector to the light propagating in an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を伝搬する光に対する半導体受光素子による受光効率を高めた光集積回路基板を提供する。 - 特許庁

To enhance the coupling efficiency of a waveguide comprising oscillation light of semiconductor laser and a non-linear optical crystal being a basic wave light source.例文帳に追加

基本波光源である半導体レーザの発振光と非線形光学結晶からなる導波路の結合効率を高くする。 - 特許庁

A projected line 40 is formed in the semiconductor layer 20, and a refractive index waveguide 50 is formed corresponding to the projected line 40.例文帳に追加

半導体層２０には突条部４０が形成され、この突条部４０に対応して屈折率導波路５０が形成されている。 - 特許庁

Thereby, almost all of the laser beams emitted from the semiconductor laser bar 10 is made to enter a core 22a of an optical waveguide 22.例文帳に追加

これにより、半導体レーザバー１０から出射されたレーザ光のほぼすべてが光導波路２２のコア２２ａに入射される。 - 特許庁

An n-type clad layer 102 is stacked on a semi-insulating semiconductor substrate 101, on which an optical waveguide layer 103 is formed.例文帳に追加

半絶縁性の半導体基板１０１上にｎ型クラッド層１０２を積層し、この上に光導波路層１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser element of superior reliability whose laser characteristic is improved, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

レーザ特性を向上させ、良好な信頼性を有するリッジ導波路型半導体レ−ザ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To increase wavelength selectivity and to decrease induction loss during intensity modulation of optical signals at the selected wavelength in a semiconductor waveguide.例文帳に追加

半導体導波路において、波長選択性を高め、選択波長の光信号の強度変調時の誘起損失を小さくする。 - 特許庁

The regions between the optical waveguide core layer 3 and the signal and ground metallic electrodes (8b, 9) are formed with a conductive semiconductor material.例文帳に追加

光導波路コア層３とシグナル−グランド両金属電極（８ｂ，９）との間は導電性の半導体材料で形成する。 - 特許庁

The high power and single lateral mode semiconductor laser has a waveguide including the regions of different widths, which are coupled with tapered region.例文帳に追加

高パワーで、単一ラテラルモードの半導体レーザーがテーパー領域によって結合される異なる幅の領域を含む導波路を有する。 - 特許庁

The optical circuit module 1 is configured with the PLC 2 and the semiconductor optical waveguide 3 both of which are joined together by a butt-joint.例文帳に追加

光回路モジュール１は、ＰＬＣ２と半導体光導波路３とから構成されており、両者をバットジョイントで接合している。 - 特許庁

Also the impurity concentration of the impurity layer (4) has a lower limit and the waveguide type semiconductor element (2) with the low series resistance is provided.例文帳に追加

また、不純物層（４）の不純物濃度には下限があり、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子（２）を提供できる。 - 特許庁

On the semiconductor layer laminate 12, a dielectric layer 16 is formed so as to cover both side surfaces of the ridge waveguide portion 12a.例文帳に追加

半導体層積層体１２の上には、リッジ導波路部１２ａの両側面を覆うように誘電体層１６が形成されている。 - 特許庁

The ridge is formed of a semiconductor material having a lower refractive index than that of the active layer to form a waveguide.例文帳に追加

尾根状部分は、活性層の屈折率よりも低い屈折率を有する半導体材料で形成されて導波路を画定する。 - 特許庁

Moreover, the ridge portion 12a (optical waveguide) is formed on a region approaching one side (toward A direction) from the center of the semiconductor layer 12.例文帳に追加

また、リッジ部１２ａ（光導波路）は、半導体層１２の中央部から一方側（Ａ方向側）に寄った領域に形成されている。 - 特許庁

The ring resonator 19 and the gain waveguide 17 constitute a semiconductor light source 27 and are arranged in series in the laser cavity.例文帳に追加

リング共振器１９及び利得導波路１７は、半導体光源２７を構成しており、またレーザキャビティ内で直列に配置される。 - 特許庁

A waveguide 10 is equipped with a two-dimensional optical wavelength Bragg grating 20 embedded inside a semiconductor laser medium 16.例文帳に追加

半導体レーザ媒体（１６）の内部に埋め込まれた二次元的光波長ブラッグ格子（２０）を有する導波路（１０）が提供される。 - 特許庁

To provide a self aligning method for fabricating a ridge waveguide semiconductor laser while increasing the yield and enhancing stability of device.例文帳に追加

歩留まりとデバイスの安定性とを向上させたリッジ導波管半導体レーザーを製造するための自己整合法を提供すること。 - 特許庁

The second semiconductor layer 5 and the waveguide core layer 3a are electrically separated by the insulating layer 4, however, optically connected to each other.例文帳に追加

第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 - 特許庁