「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURE AND OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

半導体発光装置とその製造方法並びに光導波路装置とその製造方法 - 特許庁

END FACE INCIDENT WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND LIGHT RECEIVING MODULE USING THE SAME例文帳に追加

端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール - 特許庁

The highly efficient coupling between the optical element such as the semiconductor laser and the optical waveguide is thus realized.例文帳に追加

半導体レーザなど光素子と光導波路との高効率な結合が実現する。 - 特許庁

The semiconductor layer 12 has an active layer 26, and a waveguide ridge 40 is formed.例文帳に追加

半導体層１２は活性層２６を有し、導波路リッジ４０が形成されている。 - 特許庁

RIDGE WAVEGUIDE TYPE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法及びリッジ導波路型半導体レーザ素子 - 特許庁

To improve the resolution in an optical waveguide type encoder using a semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザを使用する光導波路型エンコーダにおいて、分解能の向上を図る。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with an impurity layer (8) in contact with the waveguide layer (6) in at least a gap out of gaps between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6) and between the n-type cladding layer (4) and the waveguide layer (6).例文帳に追加

この導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間およびｎ型クラッド層（４）と導波層（６）との間の少なくとも一方に、導波層（６）に接する不純物層（８）を備える。 - 特許庁

A semiconductor switch element is provided which comprises a loop type optical waveguide provided on a semiconductor substrate and a semiconductor optical nonlinear element which is provided in the optical waveguide and has an absorption or gain characteristic.例文帳に追加

半導体基板上に設けられたループ型光導波路と、上記光導波路中に設けられた吸収又は利得特性を有する半導体光非線形素子とからなる半導体光スイッチ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light element, in which a contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on an upper surface of a waveguide ridge is prevented from decreasing and etching damage in the semiconductor layer is prevented thereby.例文帳に追加

導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

A multi-mode interference waveguide is adopted as a waveguide of a red colored semiconductor laser, and a GaN-based blue-purple colored laser is employed as a heat sink on which the red-colored semiconductor laser is integrated.例文帳に追加

赤色半導体レーザの導波路にマルチモード干渉型導波路を採用し、ＧａＮ系青紫色レーザをヒートシンクとしてその上に該赤色半導体レーザを集積した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor imaging device which curtails the number of steps at a low cost in a waveguide forming step of the semiconductor imaging device having an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を有する半導体撮像装置の導波路形成工程において、工程数を削減し、低コストで半導体撮像装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mounting method capable of adjusting the gap between a semiconductor laser and an optical waveguide device with high precision when the semiconductor laser and optical waveguide device are coupled directly with each other.例文帳に追加

半導体レーザと光導波路デバイスとを直接結合する際に、半導体レーザと光導波路デバイスの間隔を高精度に調整することができる実装方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor ring laser for constituting a ring resonator comprises an optical waveguide on a semiconductor substrate, and an optical crystal structure formed on a periphery of the waveguide in a direction parallel to the substrate.例文帳に追加

半導体基板上に光導波路を備え、リング共振器を構成する半導体リングレーザにおいて、光導波路の周囲に基板平行方向に光学結晶構造を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor laser provided with a waveguide configured by connecting a first single mode waveguide, a multimode interference (MMI) waveguide and a second single mode waveguide in this order, the effective refractive index difference Δn of the MMI waveguide is made larger than that of both the single mode waveguides.例文帳に追加

第１のシングルモード導波路とマルチモード干渉（ＭＭＩ）導波路と第２のシングルモード導波路とがこの順に接続されてなる導波路を備えた半導体レーザにおいて、実効屈折率差Δｎが、前記両シングルモード導波路よりも前記ＭＭＩ導波路において大きくなるようにする。 - 特許庁

An entrance 16 of a waveguide 3 is placed on the side surface of the floating slider 5, to thereby directly receive emitted light from the semiconductor laser to the waveguide.例文帳に追加

導波路３の入口１６を浮上スライダの側面に配置し、半導体レーザからの出射光を導波路に直接入射させる。 - 特許庁

An optical waveguide 30 and a waveguide 50 for reflection are provided on the side of one main surface 20a of a semiconductor multilayer substrate 20.例文帳に追加

半導体積層基板２０の一方の主表面２０ａ側に、光導波路３０と、反射用導波路５０とを備えて構成される。 - 特許庁

To provide an improved edge-emitting semiconductor laser chip and optimize a distortion and a waveguide property in a semiconductor laser.例文帳に追加

改善された端面発光型半導体レーザチップを提供し、かつ半導体レーザにおける歪み及び導波性を最適化する。 - 特許庁

VERY-HIGH-SPEED, WIDE-BAND OPTICAL SATURABLE ABSORPTION SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND WAVEGUIDE TYPE LIGHT-LIGHT SWITCH USING THE SAME例文帳に追加

超高速・広帯域の光可飽和吸収半導体、それを用いた半導体装置及び導波路型光−光スイッチ - 特許庁

The semiconductor optical function device includes a semiconductor substrate provided with a substrate edge surface, an optical waveguide formed on the semiconductor substrate, a non-waveguide region formed at least between the optical waveguide and the a substrate edge surface, an insulation region provided with a semiconductor interface that is formed around the optical waveguide and is in contact with the non-waveguide region on a side of the substrate edge surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element capable of accurately recognizing an alignment mark during a formation of a waveguide structure.例文帳に追加

導波路構造を形成する際にアライメントマークを正確に認識することを可能にする。 - 特許庁

To promote a high output of a ridge waveguide-type semiconductor laser device having a mesa stripe structure.例文帳に追加

メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。 - 特許庁

To reduce a connection loss between a semiconductor laser and a waveguide and to simplify the configuration of a substrate.例文帳に追加

半導体レーザと導波路との結合損失を低減し、かつ基板の構成を簡略化する。 - 特許庁

To inexpensively perform the detection of light guided through an optical waveguide on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の光導波路で導波される光の検出を低コストで達成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device of ridge waveguide type having a structure by which θ_// does not vary.例文帳に追加

θ_//がばらつかない構成を備えたリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The waveguide structure has a quantum well structure 20 layered on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

導波構造は半導体基板１０上に積層される量子井戸構造２０を備えている。 - 特許庁

In addition, the light outputting end face of the semiconductor laser is composed of the end face of the waveguide 2.例文帳に追加

さらに、半導体レーザーの光出力端面は多モード導波路２の端面からなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device enabling suppression of damages to the optical waveguide.例文帳に追加

光導波路が損傷するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The illumination device 1 is provided with a semiconductor laser element (light emitting element) 2 and an optical waveguide 3.例文帳に追加

照明装置１は、半導体レーザ素子（発光素子）２と、光導波路３とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor optical waveguide device includes a substrate and a first insulating layer arranged thereon.例文帳に追加

半導体光導波路装置は、基板と、基板上に配置された第１絶縁層と、を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of realizing acceleration of an operating speed by using an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を用いて動作速度の高速化を実現しうる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser region 10 has a first optical waveguide including a gain waveguide, and a pair of films 137a, 137b forming a reflection end surface of the first optical waveguide by crossing an optical axis of the first optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ領域１０は、利得導波路を含む第１の光導波路と、第１の光導波路の光軸と交差することにより第１の光導波路の反射端面を構成する一対の膜１３７ａ，１３７ｂとを有する。 - 特許庁

An optical waveguide formed in the semiconductor optical element has a bent waveguide structure of forming an angle of ≥7° with the normal to the end face, in the end face.例文帳に追加

半導体光素子内に形成された光導波路は、端面において端面への垂線と７度以上の角度をなす曲がり導波路構造を備える。 - 特許庁

To solve problems that an optical waveguide is very expensive because core patterning by plural times of thin film laminations and semiconductor processes is performed and also constitution and a manufacturing method for a new optical waveguide preparing both economical efficiency and performance are indispensable for a spread of optical communication.例文帳に追加

現状、光導波路は複数回の薄膜積層と半導体プロセスのよるコアパターニングが行われており非常に高コストである。 - 特許庁

The silicon waveguide 102 being a single crystal semiconductor waveguide is used as a quantum correlated photon pair generation part in the spontaneous four-wave mixing process.例文帳に追加

自然放出四光波混合過程による量子相関光子対発生部として単結晶半導体導波路であるシリコン導波路１０２を用いる。 - 特許庁

In the waveguide type optical modulator 1A, the optical waveguide 2A, through which light is transmitted, is formed on a substrate 5 constituted of a semiconductor material, for example.例文帳に追加

導波路型光変調器１Ａは、例えば半導体材料で構成された基板５に、光が伝送される光導波路２Ａが形成される。 - 特許庁

To correct an influence of output fluctuation of a semiconductor laser or the like without providing an optical waveguide for reference light by branching an optical waveguide.例文帳に追加

光導波路を分岐させて参照光用の光導波路を設けることなく、半導体レーザーの出力変動などの影響を補正できるようにする。 - 特許庁

To improve the heat dissipation property and reduce a waveguide loss by diffraction on outer surfaces in a semiconductor laser consisting of a two-dimensional photonic crystal line-defect waveguide.例文帳に追加

二次元フォトニック結晶線欠陥導波路からなる半導体レーザにおける放熱性を良く、面外回折による同派路損失を低減すること。 - 特許庁

The buried-type semiconductor laser 12 includes a waveguide ridge 18 having an active layer 16 and buried layers 20 filling both sides of the waveguide ridge 18.例文帳に追加

埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。 - 特許庁

The semiconductor optical modulator 24 includes a pair of semiconductor layers 28 and 30 arranged on both sides of the optical waveguide, and resin layers 36 and 38 into which grooves 32 and 34 formed between each of the pair of semiconductor layers and the optical waveguide are embedded.例文帳に追加

また光導波路の両脇に配置された一対の半導体層２８、３０と、この一対の半導体層の夫々と光導波路の間に形成された溝３２、３４を埋め込む樹脂層３６、３８とを具備する。 - 特許庁

To improve the yield when an optical semiconductor integrated circuit is manufactured, which has element portions including a semiconductor layer containing Al and As, butt-joined to an optical waveguide portion having an oblique optical waveguide.例文帳に追加

斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。 - 特許庁

A semiconductor optical modulator 24 includes a band-like mesa 26 that includes an optical waveguide layer 4 thereinside and is formed of a semiconductor.例文帳に追加

半導体光変調器２４は光導波層４を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ２６を具備している。 - 特許庁

The compound semiconductor bare chip 12 is mounted in a module case main body 31, a waveguide coupling probe 18 is provided with its end connected to an input and output part of the compound semiconductor bare chip 12, and the other end of the waveguide coupling probe 18 is connected to a waveguide block 21 with an airtight window as the waveguide.例文帳に追加

モジュールケース本体３１の内部に化合物半導体ベアチップ１２を実装し、この化合物半導体ベアチップ１２の入出力部に一端が接続された導波管カップリングプローブ１８を設け、この導波管カップリングプローブ１８の他端を気密窓付導波管ブロック２１に導波管結合する。 - 特許庁

In an example of this invention, an optical waveguide of the semiconductor optical modulator is equipped with an optical waveguide layer 20 with an electro-optic effect, a cladding layer 10 composed of an n-type semiconductor, and an intermediate layer 40 arranged between the cladding layer and the optical waveguide layer.例文帳に追加

本発明の一実施例による半導体光変調器の光導波路は、電気光学効果を有する光導波層２０と、ｎ型半導体からなるクラッド層１０と、このクラッド層と光導波層との間に設けられた中間層４０とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical semiconductor device which improves a photo-coupling efficiency of waveguide path layers in the manufacturing method of an optical semiconductor device in which a plurality of active layers of semiconductor elements (GaInAsP-based crystal layers) formed on a semiconductor substrate are connected to one another by the waveguide path layers.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の半導体素子の活性層（GaInAsP 系結晶層）同士が導波路層で接続されている光半導体装置の製造方法において、導波路層による光結合効率を高くすることのできる方法を提供する。 - 特許庁

In the optical waveguide element 30 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 10 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser is directly combined to the end surface of the optical waveguide, the core 13 of the optical waveguide is formed of material having the refractive index of 1.75 to 2.7.例文帳に追加

Ｓｉまたは石英からなる基板10上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザが直接結合される光導波路素子20において、光導波路のコア13を屈折率１．７５〜２．７の材料から形成する。 - 特許庁