「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE, AND OPTICAL AMPLIFIER, OPTICAL MODULATOR, OPTICAL OSCILLATOR AND OPTICAL INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

半導体光導波路の構造とこれを利用した光増幅器、光変調器、光発振器、光集積回路 - 特許庁

To provide a semiconductor waveguide type photodetecting element which is able to respond fast while securing high external quantum efficiency.例文帳に追加

高外部量子効率を確保しつつ、高速応答が可能な半導体導波路型受光素子を提供する。 - 特許庁

In an optical bistable element, a line-defect waveguide is provided on a semiconductor two-dimensional photonic crystal thin plate.例文帳に追加

本発明の光双安定素子は、半導体２次元フォトニック結晶薄板上に線欠陥導波路を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical waveguide having light enclosing structure based on an Al oxide layer on an InP substrate.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による光閉じ込め構造をＩｎＰ基板上に有する半導体光導波路を提供する。 - 特許庁

The photodiode section 3 is integrated in-line with the input side waveguide 4 of the semiconductor MZ modulator section 2.例文帳に追加

フォトダイオード部３は半導体ＭＺ変調器部２の入力側導波路４にインラインに集積されている。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifier 40 includes an optical waveguide 22 at least the part of which is an optical amplifying region.例文帳に追加

半導体光増幅器４０は、少なくとも一部が光増幅領域である光導波路２２を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element having an end face with a smooth surface, the semiconductor element having the end face with the smooth surface, a semiconductor laser using the semiconductor element, a surface light-emitting element using the semiconductor element, and an optical waveguide using the semiconductor element.例文帳に追加

端面の表面が平滑な半導体素子の製造方法と、端面の表面が平滑な半導体素子と、当該半導体素子を用いた半導体レーザと、当該半導体素子を用いた面発光素子と、当該半導体素子を用いた光導波路とを提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 24 of the upper semiconductor multilayer 26 is partially removed to the optical waveguide, and the semiconductor layer 3 of the lower semiconductor multilayer 5 is also partially removed to the optical waveguide, making a DBR structure which consists of an air space 24a and the semiconductor layer 25, and another DBR structure which consists of an air layer 3a and the semiconductor layer 4.例文帳に追加

上部多層半導体層２６を一部の半導体層／半導体層を残して半導体層２４を光導波部まで取り除き、下部多層半導体層５も一部の半導体層／半導体層を残して半導体層３を光導波部まで取り除き、各々空気層２４ａ／半導体層２５ＤＢＲ構造、空気層３ａ／半導体層４のＤＢＲ構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a mesa-type buried optical waveguide structure for controlling irregular growth of the buried layer of a curving waveguide region while acquiring thickness of the buried layer of a linear waveguide region by easily controlling growth rate of the curving waveguide region and that of the linear waveguide region.例文帳に追加

メサ状の埋込光導波路構造を有する半導体光素子において、曲線導波路領域の成長速度と直線導波路領域の成長速度とを容易に制御して、直線導波路領域の埋込層の層厚を確保しつつ、曲線導波路領域の埋込層の異常成長を抑制する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes a first optical waveguide 1 with a first width; a second optical waveguide 2 with a second width narrower than the first width, which is connected to the first optical waveguide 1 and has a bending region 2A; and a third optical waveguide 3 with a third width which is larger than the second width, which is connected to the second optical waveguide 2.例文帳に追加

光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a semiconductor active layer, a photonic crystal optical waveguide for forming a periodic structure of two-dimensional refractive index within a plane which is perpendicular to a semiconductor laminate direction and is directly or indirectly connected to the semiconductor active layer, and an optical resonator containing the semiconductor active layer and the photonic crystal optical waveguide and oscillating light generated from the semiconductor active layer and guided through the photonic crystal optical waveguide as laser.例文帳に追加

半導体活性層と、前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において２次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記フォトニック結晶光導波路を導波する光をレーザ発振させる光共振器と、を備える。 - 特許庁

This optical waveguide comprises an insulating film 2 formed on the surface of a semiconductor substrate 1, an optical waveguide core part 3 of semiconductor material formed thereon, and a protective layer 4 of quartz glass formed thereon in a height equal to or higher than the core part.例文帳に追加

半導体基板の表面上に絶縁膜を設け、その上に半導体材料からなる光導波路のコア部を設け、その上に石英系ガラスからなる保護層を前記コア部の高さ以上に設けた光導波路である。 - 特許庁

Gap adjustment (adjustment of a distance D) between the semiconductor waveguide 4 and the optical waveguide 7 becomes possible, on the basis of the position where the end face 2a of the semiconductor chip 2 is brought into contact with an end face 3a of the PLC chip 3 as a reference position (zero point).例文帳に追加

半導体チップ２の端面２ａをＰＬＣチップ３の端面３ａに接触させた位置を基準位置（ゼロ点）として、半導体導波路４と光導波路７とのギャップ調整（距離Ｄの調整）が可能になる。 - 特許庁

A lower optical waveguide 10 and an upper optical waveguide 11 are formed in a semiconductor layer laminated on a semiconductor substrate 1, and a part of these waveguides is laminated so as to superpose up and down to compose an optical coupling part 12.例文帳に追加

半導体基板１上に積層された半導体層に、下部光導波路１０と上部光導波路１１が形成され、これらの導波路の一部が上下に重なるように積層されて光結合部１２が構成されている。 - 特許庁

To stabilize floating of a slider by reducing force applied to a floating slider from a waveguide in a device in which a semiconductor laser as a light source is arranged outside the floating slider and the semiconductor laser and the floating slider are coupled by the waveguide.例文帳に追加

光源である半導体レーザを浮上スライダ外部に配置し，半導体レーザと浮上スライダの間を導波路で結合した装置において，導波路から浮上スライダに加わる力を低減させ，スライダの浮上を安定化させる。 - 特許庁

To provide an optical hybrid integrated module and its manufacturing method, and an optical semiconductor device for optical hybrid integration and its mounting substrate by which coupling efficiency between a semiconductor waveguide formed in the optical semiconductor device and an optical waveguide formed in the mounting substrate is stabilized.例文帳に追加

光半導体素子に形成した半導体導波路と実装基板に形成した光導波路との結合効率を安定させた光ハイブリッド集積モジュ−ル及びその製造方法並びに光ハイブリッド集積用光半導体素子及びその実装基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device is provided with a light-emitting diode, an optical waveguide whose end portion is in contact with a luminous face of the light-emitting diode, and a housing for holding the light- emitting diode and the optical waveguide.例文帳に追加

発光ダイオードと、発光ダイオードの発光面と端部で当接された導光体と、発光ダイオード及び導光体とを保持する筐体とを有する半導体発光装置である。 - 特許庁

The waveguide for reflecting guides the second output light received from the output waveguide portion to a flank 20d different from a first end surface and a second end surface of the semiconductor multilayer substrate.例文帳に追加

反射用導波路は、出力導波部から受け取った第２出力光を、半導体積層基板の第１端面及び第２端面とは異なる側面２０ｄに導く。 - 特許庁

To form a waveguide end face under an accurate state of intersecting the axial direction of the waveguide perpendicularly in an AlGaInP or GaInP based semiconductor laser having a reverse-mesa structure on a GaAs inclination substrate.例文帳に追加

GaAs傾斜基板上に逆メサ構造を持つAlGaInPまたはGaInP系の半導体レーザにおいて、導波路軸方向に対して正確に直交した状態に導波路端面を形成する。 - 特許庁

To reduce the reflection of light at the boundary between a ridge-type waveguide and a high-mesa-type waveguide that are formed on the same substrate of a semiconductor optical integrated element.例文帳に追加

リッジ型導波路とハイメサ型導波路とを同一基板上に有する半導体光集積素子において、導波路の境界で発生する光の反射を低減させる。 - 特許庁

A modulating light source 14 is provided to apply light containing a wavelength corresponding to a band gap of the semiconductor forming the waveguide 13 to the outside surface of the waveguide 13.例文帳に追加

変調用光源１４が、導波路１３を形成する半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を、導波路１３の外側面に照射可能に設けられている。 - 特許庁

An optical waveguide core 102 is constructed by laminating: a p-type semiconductor layer 121; an n-type semiconductor layer 122; an insulating layer 123; a modulation layer 124 composed of a p-type semiconductor; an insulating layer 125; a p-type semiconductor layer 126; and an n-type semiconductor layer 127.例文帳に追加

光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。 - 特許庁

An optical waveguide path for connection optically couples the semiconductor elements which are adjacent to each other among the plurality of semiconductor elements to allow light to pass through the semiconductor elements in sequence from a former stage toward an after stage.例文帳に追加

接続用光導波路が、複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学的に結合させ、光が半導体素子を前段から後段に向かって順番に通過させる。 - 特許庁

To reduce damage on an end face upon cleaving a semiconductor substrate and handling after the cleavage, in a semiconductor optical element including a film on the end face of an optical waveguide and a method of manufacturing the semiconductor optical element.例文帳に追加

光導波路の端面上に膜を備える半導体光素子及びその作製方法において、半導体基板の劈開、およびその後の取扱いの際における端面の損傷を低減する。 - 特許庁

Holes generated by light absorption of input light in a semiconductor optical waveguide layer are pulled out from an electrode shared with the second n-type semiconductor layer via the p-type semiconductor areas.例文帳に追加

入力光が半導体光導波層において光吸収されて発生したホールは、このｐ型半導体領域を介して、第２のｎ型半導体クラッド層と共通の電極から引き抜かれる。 - 特許庁

The first optical semiconductor element 10 includes a first optical waveguide layer 15 provided above a semiconductor substrate 11 via an insulating layer 12, and a recess 16 in which the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。 - 特許庁

This Mach-Zehnder type semiconductor element is constituted by sequentially laminating a waveguide layer 30 and a semiconductor layer 26 on one main surface of a semiconductor substrate 22 and is provided with a common electrode 46 on the other main surface.例文帳に追加

半導体基板２２の一方の主表面上に、導波路層３０及び半導体層２６を順次に積層して構成されていて、他方の主表面上に共通電極４６を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a waveguide type photodetector, wherein a lattice defect concentrates only on the center portion of a rib-type waveguide of a semiconductor even in the case of using an exposure apparatus of which the resolution is equal to or higher than the width of the rib-type waveguide.例文帳に追加

解像度がリブ型導波路の幅以上の露光装置を使用しても格子欠陥が導波路のリブ型導波路の中央部にのみに集中する導波路型受光器の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor optical amplifier chip 10 is constituted by providing an optical waveguide 2 forming an optical amplifier on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に光増幅器をなす光導波路２を設けて半導体光増幅器チップ１０を構成する。 - 特許庁

To heighten coupling efficiency between light emitted by a semiconductor laser, which is a fundamental wave light source, and a higher harmonics generating waveguide.例文帳に追加

基本波光源である半導体レーザの出射光と高調波発生導波路の結合効率を高くする。 - 特許庁

To provide a thermally assisted magnetic head in which a waveguide and a semiconductor laser device are not required to be positioned with high accuracy.例文帳に追加

導波路および半導体レーザ素子を高精度に位置決めする必要のない熱アシスト磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

A propagation constant tuning core 23 is optically connected with an active waveguide core 25 through an intermediate semiconductor layer 21.例文帳に追加

伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。 - 特許庁

The thickness d at the incident face of the optical waveguide type wavelength transformation device is smaller than that of the semiconductor laser.例文帳に追加

光導波路型波長変換デバイスの入射面における厚みｄが半導体レーザの厚みよりも小さい。 - 特許庁

An outgoing end face 3 of the laser 2 is optically connected to a semiconductor optical amplifier 5 with a waveguide 4.例文帳に追加

また、レーザ部２の出射端面３は半導体光増幅器５と導波路４で光学的に接続されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device that is formed of a high mesa optical waveguide and has high yield in manufacturing.例文帳に追加

ハイメサ光導波路によって形成され、しかも製造上の歩留まりが高い光半導体装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the curvature radius of the bending semiconductor optical waveguide ranges from 210 μm or more to 600 μm or less.例文帳に追加

好ましくは、前記曲げ半導体光導波路の曲げの曲率半径が２１０μｍ以上６００μｍ以下である。 - 特許庁

The phase adjuster 103 includes a curved waveguide 108b optically coupled with the semiconductor optical amplifier 102.例文帳に追加

位相調整器１０３は、半導体光増幅器１０２と光学的に結合された曲線導波路１０８ｂを備える。 - 特許庁

The high coupling efficiency between the optical waveguide and the semiconductor photodetector 2 is obtained through the intermediate reflective index body 6.例文帳に追加

中間屈折率体６を介して光導波路と半導体受光素子２との高い結合効率が得られる。 - 特許庁

In the semiconductor light-receiving element with an integrated waveguide, light transmitted via a ridge type optical waveguide 120 in the direction parallel to a surface of a semiconductor substrate is entered in a semiconductor light-receiving element 110, and is reflected downward on a forward mesa reflecting surface 130B opposite from a surface 130A where the semiconductor light-receiving element 110 is in contact with the optical waveguide 120.例文帳に追加

本実施形態による導波路一体型半導体受光素子においては、リッジ型光導波路１２０を経由して半導体基板表面に平行な方向に伝送された光は、半導体受光素子１１０に入射され、半導体受光素子１１０と光導波路１２０とが接する面１３０Ａと反対側の面である順メサ反射面１３０Ｂにて下方向に反射される。 - 特許庁

The light exiting side of a semiconductor laser 29 which oscillates the basic lateral mode up to high output is directly coupled to the end surface side having the parallel waveguide wherein the diffraction grating 52 of the optical waveguide element 51 is formed so that the distribution of light intensity of the semiconductor laser nearly coincides with a propagating mode of the optical waveguide element.例文帳に追加

高出力まで基本横モード発振する半導体レーザ29の光出射側と光導波路素子51の回折格子52が形成された平行導波路を有する端面側とを、半導体レーザの光強度分布と光導波路素子の伝搬モードがほぼ一致するように直接結合させる。 - 特許庁

An optical waveguide is formed by one time of etching and this optical waveguide is embedded separately two times by a semiconductor having a different polarity and a refraction factor equal to an oscillation wavelength, so that a refraction factor waveguide type semiconductor laser having the resonator of an extremely small refraction factor step in spite of an end face non-injection type can be produced.例文帳に追加

１回のエッチングにより光導波路を形成し、これを極性が異なり発振波長に対して等しい屈折率を有する半導体で２回に分けて埋め込む事で、端面非注入型であっても屈折率段差が極めて小さい共振器を有する屈折率導波型の半導体レーザが製造できる。 - 特許庁

The optical waveguide type semiconductor optical device has an optical waveguide comprising at least a core layer 3 having at least a function of absorbing light and a clad layer 2 on a semiconductor substrate 1, and in the device, while the light entering the entrance end face propagates the optical waveguide, the light is absorbed to generate a photo current.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層３とクラッド層２とからなる光導波路を形成し、光入射端面から入射した光が光導波路を伝搬するでコア層に吸収されることにより光電流が生成される光導波路型半導体光デバイスである。 - 特許庁

To provide a technique for stably manufacturing a semiconductor optical integrated device which is low in waveguide loss and kept free from an excess loss caused by a gap in a joint between an optical function part and a passive optical waveguide part, where the semiconductor optical integrated device comprises the optical function part and the passive optical waveguide part on the same substrate.例文帳に追加

光機能部と受動光導波路部を同一基板上に集積した半導体光集積素子において、導波損失が低く、光機能部との接続部の空隙等による過剰損失のない光集積素子を安定して製造する技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element and an optical module such that while reduction effect on an end surface reflection factor by an inclined end surface of a waveguide is obtained, the direction of a beam incident on the waveguide of the semiconductor optical element or the direction of a beam emitted from the waveguide can be designed independently of a cleavage end surface.例文帳に追加

導波路の斜め端面による端面反射率の低減効果を得ながらも、半導体光素子の導波路に入射するビームの方向或いは導波路から出射するビームの方向を、劈開端面とは独立に設計可能にした半導体光素子および光モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide member having excellent productivity, an optical wiring board including the optical waveguide member, an optical wiring module including the optical wiring board and an optical semiconductor device, a display device including the optical waveguide member, and a method for manufacturing the optical waveguide member and the optical wiring board.例文帳に追加

生産性に優れた、光導波路部材、光導波路部材が含まれる光配線基板、光配線基板と光半導体素子とを含む光配線モジュール、及び光導波路部材が含まれる表示装置、ならびに光導波路部材及び光配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁