「semiconductor waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

That is, the semiconductor waveguide having an absorption coefficient of certain extent has an optical limiter characteristic by itself.例文帳に追加

即ち、ある程度の吸収係数を持つ半導体導波路は、それ自身で光リミッタ特性を有する。 - 特許庁

An optical waveguide consisting of a semiconductor multilayer film is formed on an n-type GaAs substrate 111.例文帳に追加

ｎ型のＧａＡｓ基板１１１上に半導体多層膜からなる光導波路が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laser element 6 and an optical waveguide type wavelength conversion element 7 are mounted on a submount 3.例文帳に追加

サブマウント３上に半導体レーザー素子６と光導波路型波長変換素子７とを備える。 - 特許庁

Whereas the optical waveguide core layer 3 is interposed by an insulating semiconductor material in the gap region.例文帳に追加

これに対し、ギャップ領域は光導波路コア層３が絶縁性の半導体材料で挟まれる。 - 特許庁

The semiconductor optical elements 4 and 5 are mounted on the base part 3 so as to stride the flexible optical waveguide 2.例文帳に追加

半導体光素子４，５は、フレキシブル光導波路２を跨ぐように基台部３上に実装される。 - 特許庁

The waveguide 8 coupled to the semiconductor laser is fixed to a movable part arranged on the floating slider 5.例文帳に追加

半導体レーザに結合された導波路８を浮上スライダ５上に配置された可動部に固定する。 - 特許庁

An in-layer lens 107 is disposed above the side of the waveguide member 106 opposite to the semiconductor substrate 101 side.例文帳に追加

導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。 - 特許庁

To facilitate alignment of a semiconductor device comprising a waveguide-type optical element with an optical system.例文帳に追加

導波路型光素子を有する半導体光デバイスの光学系に対するアラインメントを容易にする。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide-type semiconductor laser element having a high kink level in which θ_para is large.例文帳に追加

θ_paraが大きく、しかも高いキンクレベルを有するリッジ導波路型の半導体レーザ素子を提供する - 特許庁

To realize an optical waveguide device capable of performing optical coupling adjustment with a semiconductor laser precisely.例文帳に追加

半導体レーザとの光結合調整を高精度に行うことができる光導波路デバイスを実現する。 - 特許庁

A stripe-shaped waveguide region 38 is formed on an upper surface of the semiconductor laminated structure 16.例文帳に追加

半導体積層構造１６の上面にストライプ状の導波路領域３８が形成されている。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser with excellent optical output and high frequency characteristic.例文帳に追加

光出力特性及び高周波特性に優れたリッジ導波路型半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

Thus, the optical integrated circuit 1A is so configured that the optical semiconductor components 3 are not in direct contact with the optical waveguide 2A, but the heat generated from the optical semiconductor components 3 is hard to be directly transmitted to the optical waveguide 2A, and the heat generated from the optical semiconductor components 3 is dissipated in the air not through the optical waveguide 2A.例文帳に追加

これにより、光半導体部品３と光導波路２Ａは直接接しておらず、光半導体部品３から発せられた熱が、直接、光導波路２Ａには伝わり難い構成となっており、光半導体部品３から発せられた熱は、光導波路２Ａを介さずに空気中に放熱される。 - 特許庁

To prevent fluctuation in element performance by reducing light loss and current leak in an MMI type semiconductor laser wherein a multimode waveguide which is wider than a basic mode waveguide is connected to the basic mode waveguide.例文帳に追加

基本モード導波路より広い導波路幅を有する多モード導波路を基本モード導波路に接続したＭＭＩ型半導体レーザにおいて、光損失や電流リークを減少し、素子性能のばらつきを防止する。 - 特許庁

An electrode 106 is provided in the array waveguide 123 of the semiconductor array waveguide lattice 120-1, and a voltage is applied to the electrode 106 whereby an electric field can be applied to a core layer of the waveguide 123 to change a transmission refractive index.例文帳に追加

半導体アレイ導波路格子120-1のアレイ導波路123には電極106を設け、この電極106に電圧を印加することにより、導波路123のコア層に電界を印加して透過屈折率を変化させることができる。 - 特許庁

When the gap between the semiconductor laser 1 and optical waveguide device 2 is detected, the gap between a real image of the semiconductor laser and a mirror image 12 of the semiconductor laser formed by a light reflected by an incidence end surface 8 of the optical waveguide device is used.例文帳に追加

半導体レーザ１と光導波路デバイス２の間隔を検出する際に、半導体レーザの実像と光導波路デバイスの入射端面８で反射された光により形成される半導体レーザの鏡像１２の間隔を用いる。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting element 9 which is optically coupled with the 1st optical waveguide and provided in the 2nd area.例文帳に追加

半導体発光デバイスは、第１の光導波路に光学的に結合され第２の領域に設けられた半導体発光素子９を含む。 - 特許庁

To provide a small wavelength converter composed of a semiconductor laser element and an optical waveguide device which are integrated and mounted on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体レーザー素子と光導波路デバイスが半導体基板上に集積化されて実装された、小型の波長変換装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor optical device 1a comprises a semiconductor waveguide part 7, a first electrode 9a, a second electrode 11, and a heat transfer layer 13.例文帳に追加

半導体光デバイス１ａは、半導体導波路部７と、第１の電極９ａと、第２の電極１１と、熱伝達層１３を備える。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a laser diode (semiconductor laser region 10) provided on a semiconductor substrate and having a first optical waveguide including a gain waveguide, three photodiodes (two photodiode structures 22 and one photodiode element) optically coupled to the first optical waveguide, a ring resonator (optical waveguide 213) optically coupled between one photodiode structure 22 and the first optical waveguide, and an etalon filter optically coupled between the photodiode element and the first optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第１の光導波路を有するレーザダイオード（半導体レーザ領域１０）と、第１の光導波路と光結合された３つのフォトダイオード（２つのフォトダイオード構造２２及び一つのフォトダイオード素子）と、一つのフォトダイオード構造２２と第１の光導波路との間に光結合されたリング共振器（光導波路２１３）と、フォトダイオード素子と第１の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of reducing coupling with a waveguide of the optical power of reflected light which is propagated through the waveguide and then reflected on an emission end face.例文帳に追加

導波路を伝搬した後に出射端面で反射されてこの反射光の光パワーが該導波路に結合することを低減できる半導体光素子を提供する。 - 特許庁

In this edge emission type semiconductor laser, a second waveguide layer 2 adjoins a second mantle layer 5, and the active layer is not embedded in the second waveguide layer.例文帳に追加

エッジ発光型半導体レーザでは第２の外套層（５）に第２の導波体層（２）が隣接しており、この第２の導波体層にはアクティブ層が埋め込まれていない。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device, a first waveguide core 17 and a second waveguide core 19 are provided between a first conductive-type cladding region 13 and a second conductive-type cladding region 15.例文帳に追加

第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。 - 特許庁

To provide an optical waveguide made of a soft resin in which the positions of a semiconductor laser and an optical waveguide are easily adjusted and a decrease in optical coupling efficiency is suppressed low.例文帳に追加

半導体レーザと光導波路の位置合わせが容易で、光の結合効率の低下を小さく抑えられる軟質性樹脂の光導波路を提供する。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the optical waveguide type wavelength converting device module which has at least the optical waveguide type wavelength converting device 2 and a semiconductor laser 1 fixed to a submount 5.例文帳に追加

少なくとも光導波路型波長変換デバイス２と半導体レーザ１とがサブマウント５へ固定されている光導波路型波長変換デバイスモジュールの作製方法。 - 特許庁

To provide an optical coupling module centering/fixing jig in a waveguide element for achieving the high-efficiency optical coupling of each kind of semiconductor laser and the waveguide element.例文帳に追加

各種半導体レーザと導波路素子の高効率光結合を実現する導波路素子の光結合モジュール調芯固定冶具を提供することを目的とする。 - 特許庁

An optical waveguide part composed of a positive dielectric medium 3 and a negative dielectric structure (supperlattice structure) 4 is formed on a semiconductor substrate 2 of the optical waveguide 1.例文帳に追加

光導波路１の半導体基板２上には、正誘電体媒質３と負誘電体構造（超格子構造）４とでなる光導波部分が形成されている。 - 特許庁

The light beam from the first optical waveguide 13A is incident on the semiconductor light absorption layer 142 from a direction different from that of the light beam from the second optical waveguide 13B.例文帳に追加

第一光導波路１３Ａからの光は、第二光導波路１３Ｂからの光とは異なる方向から前記半導体光吸収層１４２に入射する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical waveguide element and a semiconductor optical waveguide array element in which coupling loss is low, variation in values is less, and crystal quality is satisfactory, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To improve the reliability of optical coupling characteristics between an optical semiconductor element and an optical waveguide by allowing suppression of air bubbles occurring between the optical semiconductor element and the optical waveguide without increasing a ferrule size or the like.例文帳に追加

光半導体素子と光導波路との間に発生する気泡をフェルールサイズ等の増大無しに抑制でき、光半導体素子と光導波路との間の光結合特性の信頼性向上をはかる。 - 特許庁

In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes; an optical waveguide structure consisting of a projection-shaped semiconductor laminate structure; the organic insulator embedding the optical waveguide structure and having a plurality of opening parts reaching the top of the optical waveguide structure; and an electrode formed in a plurality of opening parts.例文帳に追加

凸状の半導体積層構造からなる光導波路構造と、前記光導波路構造を埋め込み、前記光導波路構造の頂上に達する複数の開口部を有する有機絶縁体と、前記複数の開口部に形成された電極を具備すること。 - 特許庁

The waveguide optical element includes a waveguide optical element having an n-type semiconductor layer 102, a p-type semiconductor layer 104, an active layer 103 formed therebetween, and an ESD protector 114 electrically connected to the waveguide optical element in parallel.例文帳に追加

本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。 - 特許庁

To provide a mounting method of an optical waveguide device module wherein generation of irregularity in distance between a laser light output part of a semiconductor laser and a submount is prevented, and optical coupling of high efficiency of an output light from the semiconductor laser and the optical waveguide device can be realized, and to provide an optical waveguide device module.例文帳に追加

半導体レーザのレーザ光出射部とサブマウントとの距離のばらつきを防ぎ、半導体レーザからの出射光と光導波路デバイスとの高効率な光結合が実現できる光導波路デバイスモジュールの実装方法および光導波路デバイスモジュールを提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer element has the three waveguides 22A to C formed to the first to third ridge stripes 23A to C respectively as an index guide structure and whose oscillation wavelengths are shorter in the order of the first waveguide 22A, the second waveguide 22B, and the third waveguide 22C, and the semiconductor laser element emits laser beams with different wavelengths via each waveguide.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、第１から第３のリッジストライプ２３Ａ〜Ｃに、それぞれ、インデックスガイド構造として形成され、第１導波路２２Ａ、第２導波路２２Ｂ、及び第３導波路２２Ｃの順で、発振波長が短くなる３個の導波路２２Ａ〜Ｃを有し、相互に異なる波長のレーザ光を各導波路を経由して出射する。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes: an optical semiconductor element 10 including an optical waveguide core layer 14; and first and second anode electrodes 20 and 22 lined up on an upper surface of the optical semiconductor element 10 along an extending direction of the optical waveguide core layer 14.例文帳に追加

光半導体装置は、光導波路コア層１４を含む光半導体素子１０と、光半導体素子１０の上面において光導波路コア層１４の延在方向に沿って並べて設けられた第１及び第２のアノード電極２０，２２とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light element capable of preventing the reduction of contact area between a semiconductor layer in a waveguide ridge top and an electrode by a simple process, and preventing the semiconductor layer in the waveguide ridge top from being damaged by etching.例文帳に追加

簡単な工程により導波路リッジ頂部の半導体層と電極の接触面積の減少を防ぎ、導波路リッジ頂部の半導体層がエッチングによって損傷を受けるのを防ぐことができる半導体光素子の製造方法を得る。 - 特許庁

The semiconductor laser apparatus includes first and second laser elements 170, 180 and a waveguide structure 190 on the same n-type GaAs semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、同一のｎ−GaAs半導体基板１００上に第１及び第２のレーザ素子１７０、１８０と導波構造１９０を備える。 - 特許庁

To provide semiconductor optical waveguides capable of preventing a decline in coupling efficiency with other semiconductor optical waveguide, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体光導波路同士の結合効率低下を抑制することができる半導体光導波路およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ridge-waveguide semiconductor optical element that has a single wavelength property and can carry out high-speed and low-threshold operation, and a method for manufacturing the semiconductor light element.例文帳に追加

単一波長性を有し、高速動作と、低閾値動作の可能なリッジ導波路型の半導体光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

First, an optical waveguide layer 15 formed of a single semiconductor layer is formed on a principal surface 11a of a semiconductor substrate 11 including a third region 3C.例文帳に追加

まず、半導体基板１１の第３の領域３Ｃを含む主面１１ａ上に単一半導体層からなる光導波層１５を形成する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide type semiconductor optical switch which can increase the optical response speed.例文帳に追加

光応答速度を高速化できる光導波路型の半導体光スイッチを実現することを目的にする。 - 特許庁

To provide an AlGaInAs-based high-performance, high-reliability, ridge-waveguide semiconductor laser and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

AlGaInAs系の高性能で信頼性の高いリッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of this kind of p-type semiconductor areas are disposed repeatedly in a light advancing direction of the optical modulator waveguide.例文帳に追加

このｐ型半導体領域は、光変調導波路の光進行方向に繰り返し複数配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element in which non-alignment in structure of waveguide is reduced and better current constriction structure is attained.例文帳に追加

半導体発光素子において、導波路の構造不整を少なくし、電流狭窄構造を良好にする。 - 特許庁