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sensor elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6912件
The main features of the CMOS image sensor comprise: multiple light-sensing elements formed on a semiconductor substrate; multiple internal microlenses formed on the multiple light-sensing elements; multiple internal micro lenses formed on multiple light-sensing elements; an interlayer insulation film formed on the internal microlens, multiple interconnections formed inside the interlayer insulation film; and multiple microlenses formed on the element protecting film.例文帳に追加
本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、半導体基板に形成された複数の光感知素子と、複数の光感知素子上に形成された複数の内部のマイクロレンズと、内部のマイクロレンズ上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜内に形成された複数の金属配線と、層間絶縁膜上に形成された素子保護膜と、素子保護膜上に形成された複数のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁
The concentration of hydrogen is detected precisely in response to a limiting current based on a direct current, while preventing the catalytic material contained in the positive side electrode from being poisoned by the carbon monoxide, and while preventing the steam in the measured gas from being dissociated, when a voltage impressed between the positive side electrode an a negative side electrode of a sensor element is within 400-1,200 mV of range.例文帳に追加
センサ素子の正側電極と負側電極との間に印加する電圧が、４００（ｍＶ）〜１２００（ｍＶ）の範囲以内の直流電圧であれば、正側電極に含有される触媒材料が一酸化炭素による被毒を受けたり当該被測定ガス中の水蒸気が解離したりすることがなく、上記直流電流に基づく限界電流に応じて水素ガスの濃度を精度よく検出し得る。 - 特許庁
A sensor lens SN adjusts a focus position according to the magnification of a polarized light hologram element HOE and therefore, a single photodetector PD to allow photodetection of the reflected light from an information recording surface of BD and the reflected light from the information recording surface of HD with a photodetecting surface of the same photodetector PD can be used and thereby the configuration of the optical pickup device PU can be simplified.例文帳に追加
センサレンズＳＮが、偏光ホログラム素子ＨＯＥの倍率に応じて、焦点位置を調整するので、ＢＤの情報記録面からの反射光と、ＨＤの情報記録面からの反射光とを、同一の光検出器ＰＤの受光面で受光することができるため、単一の光検出器ＰＤを用いることができ、これにより光ピックアップ装置ＰＵの構成を簡素化できる。 - 特許庁
If the optical information recording medium D tilts, this optical pickup device tilts an optical element 14 provided on the optical path of laser light between an optical system O and a semiconductor laser 2 according to the tilt quantity of the optical information recording medium D detected by a tilt sensor 10 and also tilts the optical path of the laser light emitted by the semiconductor laser 2 in the tilt direction of the optical information recording medium D.例文帳に追加
光情報記録媒体Ｄがチルトしている場合には、光学系Ｏと半導体レーザ２との間のレーザ光の光路上に設けられた光学素子１４をチルトセンサ１０によって検出した光情報記録媒体Ｄのチルト量に基づいて傾斜させ、半導体レーザ２から出射されたレーザ光の光路を光情報記録媒体Ｄのチルト方向に傾斜させる。 - 特許庁
The gas sensor element comprises an oxygen ion-conductive solid electrolyte, a measured gas side electrode and a reference gas side electrode, respectively provided on one surface and the other surface of the solid electrolyte, a diffusion resistance layer 12 which allows a measured gas to be transmitted while covering the measured gas side electrode, and a catalyst support trap layer 2 supporting catalyst 22 formed on lateral surface 120 of the diffusion resistance layer 12.例文帳に追加
酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２と、該拡散抵抗層１２の外側面１２０に形成された触媒２２を担持させた触媒担持トラップ層２とを有するガスセンサ素子。 - 特許庁
The memory lock system of microelectronics includes: a computer interface for performing connection to an external computer; a biometric interface receiving biometric data input to a biometric sensor by a user; a controller connected to the biometric interface and the computer interface; a biometric data storage device for storing the raw and/or processed biometric data; and a large-capacity storage element for storing accessed data.例文帳に追加
マイクロ電子工学のメモリロックシステムは、外部のコンピュータに接続するためのコンピュータ・インタフェースと、バイオメトリック・センサに接続されて、ユーザがバイオメトリック・センサに入力するバイオメトリック・データを受信するように構成されたバイオメトリック・インタフェースと、バイオメトリック・インタフェースとコンピュータ・インタフェースに接続された制御装置と、生の、および/または、処理されたバイオメトリック・データを保存するためのバイオメトリック・データ記憶装置と、アクセスされるデータを保存するための大容量記憶素子を含む。 - 特許庁
The image sensor according to an embodiment includes a first substrate 100 where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode 210 formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection 110, and an element isolation film 222 formed in the photodiode 210.例文帳に追加
実施の形態によるイメージセンサは、下部配線１１０と回路が形成された第１基板１００と、前記下部配線１１０と接触しながら前記第１基板１００とボンディングされた結晶半導体層と、前記結晶半導体層内に前記下部配線１１０と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記フォトダイオード２１０内に形成された素子分離膜２２２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
In this sensor element having at least one auxiliary electrode and a measuring electrode making contact directly with a gas mixture, wherein a signal generated by the measuring electrode is used for the measurement of a concentration of the oxidizable component, a potential for reducing oxygen contained in the gas mixture and nitrogen oxides contained in the gas mixture is impressed to the auxiliary electrode at least temporarily.例文帳に追加
上記課題は、混合気と直接接する少なくとも１つの補助電極と測定電極とを有しており、測定電極により生成された信号が被酸化性成分の濃度の測定に使用される形式のセンサ素子において、補助電極に、混合気に含まれている酸素および混合気に含まれている窒素酸化物を還元する電位が少なくとも一時的に印加されるように構成することにより解決される。 - 特許庁
In an acceleration pedal module provided with an acceleration pedal 12 supported so as to be turned in a casing, the acceleration pedal 12 being operable against the force of a return spring 22 with hysterisis related to a pedal force, and a pedal position sensor for generating an electric signal equivalent to a pedal position, acceleration pedals 12 and 18 are supported so as to float on a supporting element 28 having play upward.例文帳に追加
アクセルペダルモジュールであって、ケーシング内に旋回可能に支承されたアクセルペダル１２が設けられていて、該アクセルペダル１２が、ペダル力に関連したヒステリシスをもって戻しばね２２の力に抗して操作可能であり、さらに、ペダル位置に相当する電気信号を生ぜしめるペダル位置センサが設けられている形式のものにおいて、アクセルペダル１２，１８が、上方に向かって遊びを有する支承エレメント２８に浮遊可能に支承されている。 - 特許庁
The current of the output signal from the ultrasonic sensor element 20 is amplified by a current amplifying amplifier 31 and output as a detection signal, a frequency counter 32 measures the frequency of the detection signal, and a comparator 33 compares a signal indicating the measured frequency with a DC voltage corresponding to a desired resonance frequency to control the DC bias voltage of the variable DC voltage source 30 so that they substantially match each other.例文帳に追加
超音波センサ素子２０からの出力信号の電流を電流増幅アンプ３１により増幅して検出信号として出力し、周波数カウンタ３２は検出信号の周波数を計測し、計測された周波数を示す信号をコンパレータ３３により所望の共振周波数に対応する直流電圧と比較しこれらが実質的に一致するように可変直流電圧源３０の直流バイアス電圧を制御する。 - 特許庁
A ceramic load sensor element 51 is arranged so that the first arm 2 and the second arm 4 may be held in an elastically approaching direction by the pedal effort on the pedal 10.例文帳に追加
ペダル１０に踏力が加えられることにより弾性変形可能なペダルアーム１の弾性変形する中間部が、ペダル側の第１アーム２と、アーム長手方向において第１アーム２の一部とオーバーラップするように配置されたペダル１０とは遠い側の第２アーム４と、第１アーム２および第２アーム４とを連結する連結部３とを備えた構造をなし、かつ第１アーム２と第２アーム４とがペダル１０への踏力により弾性的に接近する方向において挟まれるようにセラミック製の荷重センサ素子５１が配置されていることを特徴とする。 - 特許庁
Plastic bodies 7-10 are subjected to injection molding around a connection bridge 2 that is connected to a sensor element in a carrier strip 1 and is arranged between end part strips 5 and 6.例文帳に追加
連続するキャリヤストリップのグリッドに設けられ該連続ストリップ内におけるそれぞれ一つのセンサ要素との後での電気的および機械的接触のための接触パッドを有する少なくとも二つの接続ブリッジを、周りをプラスチックで少なくとも部分的に射出成形し、接続ブリッジ上に少なくとも二つのプラスチック体が相互に所定距離をおいて配置されるようにし、そして、それぞれ隣接する接続ブリッジのプラスチック体間に、プラスチックより成るスペーサ部材を同じ射出プロセスで形成し、接続ブリッジの接触パッドおよび端部をプラスチックなしで残す。 - 特許庁
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