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「sensor element」に関連した英語例文の一覧と使い方(138ページ目) - Weblio英語例文検索


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sensor elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 6912



例文

The magnetic sensor for encoder for detecting the magnetic field, the sliding surface of which is in contact with the surface of the magnetic medium magnetized in a predetermined magnetization pitch is provided with a plurality of MR elements stacked with insulation films interposed so that the direction of stacking turn in accordance with the direction of the magnetization pitch, each of the MR element is provided with a plurality of straight linear parts.例文帳に追加

所定の着磁ピッチで着磁された磁気媒体の表面に摺動面が接触することによって磁界検出を行うエンコーダ用磁気センサであって、積層方向が磁気媒体の着磁ピッチ方向となるように絶縁膜を介して積層された複数のMR素子を備えており、これらMR素子の各々が複数の直線部分を有している。 - 特許庁

This integrated surface plasmon resonance sensor can sequentially analyze the presence of occurrence of biochemical reactions in plural samples while relatively moving a transparent substrate and a silicon substrate by entering a laser beam emitted from the minute optical element into the transparent substrate through a diffraction grating and by detecting the intensity of reflected light emitted from the transparent substrate through another diffraction grating adjacent to the diffraction grating by the minute optical element.例文帳に追加

本発明の集積型表面プラズモン共鳴センサは、微細光学素子から出射されるレーザ光を回折格子を介して透明基板内に入射させると共に金属薄膜の試料搭載領域に照射し、回折格子に隣接する他の回折格子を介して透明基板から出射される反射光の強度を微細光学素子で検出することにより、透明基板とシリコン基板とを相対移動させながら、複数の試料における生化学反応の発生の有無を順次分析できる。 - 特許庁

The ceramic heater for oxygen sensor is made of solid electrolyte composed mainly of zirconia ceramics, and used in a state being inserted in a cup shaped detecting element having nearly cylindrical substrate formed with a nearly semi-spherical curved surface at the top end, of which inside and outside a platinum electrode is installed, and has a resistance heating element embedded in a spherical substrate made of mainly alumina (aluminum oxide).例文帳に追加

ジルコニアセラミックを主成分とする固体電解質からなり、先端に略半球形状の曲面が形成された略円筒形状の基材の内部及び外部に白金電極が設けられたコップ型の検出素子に挿入した状態で用いられ、主としてアルミナからなる円柱形状の基材中に、抵抗発熱体が埋設されてなる酸素センサー用のセラミックヒーターであって、上記抵抗発熱体の長さlは、上記酸素センサーの内部電極と外部電極との重複する部分の長さをLとした際、下記の(1)式で表されることを特徴とするセラミックヒーター。 - 特許庁

A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第1導電型半導体領域12の表面に第2導電型半導体領域13が形成されたセンサ部2を有し、第2導電型半導体領域13下の第1導電型半導体領域12内に、第2導電型半導体領域13より小さい面積の第2導電型半導体層6が形成されて成る固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁

例文

A circuit block of this electric potential sensor 10 is composed of a self-oscillation oscillating circuit 14 for driving the piezoelectric tuning fork 11 into the self oscillation state, a signal processing circuit 20 for processing and detecting an electric signal obtained from the piezoelectric tuning fork 11, and a comparison circuit 30 for comparing the output signal of the feedback piezoelectric element 11c arranged on the piezoelectric tuning fork 11 with a reference signal.例文帳に追加

この電位センサ10の回路ブロックは、圧電音叉11を自励振駆動させるための自励振発振回路14と、圧電音叉から得られる電気的信号を処理し検出するための信号処理回路20と、圧電音叉11に配置されている帰還用圧電素子11cの出力信号を基準信号と比較する比較回路30とから構成される。 - 特許庁


例文

The frost sensor comprises a frost adherence detecting surface 1, a conducting circuit having a positive temperature coefficient thermistor element 7 thermally bonded to the surface 2, and a current and electric energy detector 104 for detecting a current and an electric energy flowing to the circuit, thereby sensing a frost to the surface 2 based on the energy detected by the detector 104.例文帳に追加

霜付着検出面2と、それと熱結合した正特性サーミスタ素子7を含む通電回路と、前記回路に流れる電流および電力量を検出する電流・電力量検出部104とを備え、前記電流・電力量検出部104の検出する電力量に基づき前記霜付着検出面2への着霜を検知するように霜検知装置を構成する。 - 特許庁

The temperature drift arising from the environmental temperature change or the like in output data from infrared detection elements each having sufficient sensitivity to incidence infrared, is compensated by using a fluctuation value of data outputted from a defective element which has low sensitivity to the incidence infrared and is contained in the infrared detection elements arranged in the form of the two-dimensional array, thereby obtaining a stable output without making any temperature control to the sensor elements.例文帳に追加

二次元アレイ状に配置された赤外線検知素子に含まれる入射赤外線に対し感度の低い欠陥素子から出力されるデータの変動値によって、入射赤外線に対し十分な感度を持つ素子からの出力データの環境温度変動等で発生する温度ドリフトを補正し、センサ素子の温度制御をしないでも安定した出力を得る。 - 特許庁

In the case of reaching a state that a reference amount or larger of the fine particles are accumulated on the first electrodes at the time of the detection of the amount of the fine particles, a temperature of the sensor element is controlled so as to reach a reference temperature or higher and a reference voltage is applied across the first electrodes and the second electrodes arranged so as to hold the solid electrolyte with respect to the first electrodes.例文帳に追加

微粒子量検出の際に、第1電極に基準量以上の微粒子が堆積した状態となった場合、センサ素子部の温度を基準温度以上となるように制御すると共に、第1電極と第1電極に対して固体電解質を挟んで配置された第2電極との間に、基準電圧を印加するように制御する。 - 特許庁

A using element selection circuit 403C selects all ultrasonic vibration elements in the internal circumference 401M and ultrasonic vibration elements of the ultrasonic vibration elements on the external circumference, located at a point that a distance between the centers of gravity locations of neighboring ultrasonic vibration elements is within the distance that does not produce a noise in the transmitting and receiving direction that the transmitting and receiving direction of an ultrasonic wave is projected to the surface of the array sensor.例文帳に追加

使用素子選択回路403Cは、内周部401Mの全ての超音波振動素子と、外周部401Nの超音波振動素子の内、超音波の送受信方向をアレイセンサの面に投射した送受信方向における隣接する前記超音波振動素子の重心位置の間の距離が、ノイズが発生しない距離以内である超音波振動素子を選択する。 - 特許庁

例文

The solid state image sensor has a micro lens on a semiconductor substrate 1 with a photoelectric conversion element 2 formed.例文帳に追加

光電変換素子2が形成された半導体基板1の上にマイクロレンズを備える固体撮像素子において、半導体基板1の上に厚さXのカラーフィルタ層が積層されると共に該カラーフィルタ層の表面部を厚さY(<X)の凸レンズ部11aに成形して前記マイクロレンズ11とし、該カラーフィルタ層の凸レンズ11a部を除く厚さZ(=X−Y)の部分11bを平板形状としたことを特徴とする。 - 特許庁

例文

The sample liquid is transferred by capillary phenomenon, laminated internal section or cylindrical section of the sensor is filled with the sample liquid, a specific component of the sample liquid is identified by the electrode installed in sample feed channel or molecular recognition element, and then the chemical or physical information of the sample is quantitatively measured by the measuring instrument connected via electrode.例文帳に追加

試料液は毛細管現象により移送され、センサの貼り合せ内部部分または筒状部分が試料液で満され、試料液のある特定の成分が試料搬送路内に設置された電極または分子識別素子によって識別され、試料の化学的または物理的情報は電極を介して接続した測定器により定量的に測定される。 - 特許庁

According to this sensor element manufacturing method, since a pressurizing process is performed, after a punching arrangement process to arrange the solid electrolyte object 435 for a penetration hole 433 of the insulating member 405, step dimension between the solid electrolyte object 435 and the insulated member 405 in the boundary portion can be made smaller than thickness dimension of the electrodes (first electrode 404 and second electrode 406).例文帳に追加

本センサ素子製造方法によれば、絶縁部材405の貫通孔433に対して固体電解質体435を配置する打抜配置工程の後、加圧工程を実行することから、境界部分における固体電解質体435と絶縁部材405との段差寸法を電極(第1電極404および第2電極406)の厚さ寸法よりも小さくすることができる。 - 特許庁

This gas sensor element 1 is constituted of a measured gas chamber 150, a detecting cell 3 for detecting the specific gas concentration in the measured gas, an oxygen pump cell 2 for pumping oxygen gas to the measured gas chamber 150, and at least one guide path 100 provided on the surface of the oxygen pump cell 2 to guide the measured gas to the measured gas chamber 150.例文帳に追加

被測定ガス室150と,被測定ガス中の特定ガス濃度を検出するよう構成された検出セル3と,被測定ガス室150に対し酸素ガスをポンピングするよう構成された酸素ポンプセル2と,被測定ガス室150に被測定ガスを導入するよう構成されると共に上記酸素ポンプセル2の表面に設けられた少なくとも1つの導入路100とよりなる。 - 特許庁

This humidity sensor is formed with a humidity sensing part 100 having a humidity sensitive film 50 of which an electrostatic capacitance (dielectric constant) changes by adsorption of moisture, and electrodes 31, 32 covered with the humidity sensitive film 50 and for detecting the change of the electrostatic capacitance, and a circuit element 200 for processing an output signal from the humidity sensing part 100, in an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

水分を吸着することによって静電容量(誘電率)が変化する感湿膜50及び該感湿膜50に覆われて、その静電容量の変化を検出するための電極31及び32を有する感湿部100と、該感湿部100の出力信号を処理する回路素子部200とが、N型の半導体基板10に形成されている。 - 特許庁

The flat film is provided with at least an optical sensor part having plural projection parts corresponding to each photoelectric converter and a scintillator part 102 where each scintillator grown on the plural projection parts of the flat film and divided corresponds to each element.例文帳に追加

光電変換素子を含む画素が1次元または2次元に配列されて構成された光センサー部101上に平坦化膜105を有し、平坦化膜は少なくとも各光電変換素子に対応した複数の凸部を有する光センサー部と、平坦化膜の複数の凸部上に成長され、区切られた各シンチレーターが、画素にそれぞれ対応しているシンチレーター部102と、を備える。 - 特許庁

The ammonia concentration measuring sensor element 11 includes a detection electrode which includes a solid electrolyte substrate 12 comprising an ion conductive solid electrolyte, the Au layer 16 formed on the solid electrolyte substrate 12 and a porous oxide layer 13 covered with the Au layer 16, the Pt reference electrode coming into contact with the solid electrolyte and a temperature regulating part for regulating the temperature of the solid electrolyte.例文帳に追加

イオン伝導性固体電解質からなる固体電解質基板12と、固体電解質基板12上に設けられたAu層16と、Au層16を被覆した多孔質酸化物層13と、を含む検知極と、前記固体電解質基板に接するPt参照極と、前記固体電解質の温度調節をする温度調節部と、を含むアンモニア濃度測定用センサ素子11である。 - 特許庁

Higher output and smaller physical size are achieved by integrating an output amplifier circuit composed of TFT having a crystal structure semiconductor film (typically polysilicon film) with a sensor element using an amorphous semiconductor film (typically amorphous silicon film) on a heat-resistant plastic film substrate which can resist temperature at a time of packaging for solder reflow treatment and the like.例文帳に追加

本発明は、半田リフロー処理などの実装時の温度に耐えうる耐熱性プラスチックフィルム基板上に、結晶構造を有する半導体膜(代表的にはポリシリコン膜)を有するTFTからなる出力増幅回路と、非晶質半導体膜(代表的にはアモルファスシリコン膜)を用いたセンサ素子とを一体化させることで、高出力化及び小型化を図る。 - 特許庁

The piezoelectric ultrasonic sensor element is constituted by providing a common electrode 16 provided on one side of the ferroelectric body 17, an internal electrode 18 provided on the other side of the ferroelectric substance and approximately at a center part of the ferroelectric body 17, and an external electrode 19 provided on the other side of the ferrorelectric body 17 and outside of the internal electrode 18.例文帳に追加

圧電型超音波センサ素子は、強誘電体17の一方の側に設けられた共通電極16と、強誘電体の他方の側であって強誘電体17の略中央部に設けられた内側電極18と、強誘電体17の他方の側であって内側電極18よりも外側に設けられた外側電極19とを備えて構成される。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

In this solid electrolyte type carbon dioxide sensor element, a working electrode layer and a reference electrode layer are formed on the surface of a solid electrolyte layer which contains LiLaSiO4, especially (a) LiLaSiO4 and (b) lithium silicate, or they are formed on the surface of a solid electrolyte layer which includes (a) LiLaSiO4 and (b) zirconia and/or zirconium silicate.例文帳に追加

LiLaSiO_4、特に(a)LiLaSiO_4と(b)珪酸リチウムとを含む固体電解質層の表面に作用電極層と参照電極層とが形成されてなる、もしくは(a)LiLaSiO_4と(b)ジルコニア及び/または珪酸ジルコニウムとを含む固体電解質層の表面に作用電極層と参照電極層とが形成されてなることを特徴とする炭酸ガスセンサ素子である。 - 特許庁

In an oxygen sensor element wherein a pair of metal electrode layers 5 are formed on both surfaces of a zirconia solid electrolyte, the size of a metal particles constituting the electrode layers 5 is 0.5-7.0 μm and these metal particles 2 are partially embedded in the solid electrolyte 3 through a ceramic layer 4 of oxide based on Zr and/or Ce.例文帳に追加

ジルコニア固体電解質の両面に一対の金属の電極層が形成された酸素センサ素子において、前記電極層を構成する金属粒子の大きさが0.5〜7.0μmであって、これらの金属粒子をZrおよび/またはCeを主成分とする酸化物のセラミック層で前記固体電解質の表面に部分的に埋設させた酸素センサ素子とする。 - 特許庁

In this optical sensor element 1a, wherein a gate electrode 13 is stacked on a semiconductor layer 17 formed of an oxide semiconductor via a gate insulating film 15, and a source electrode 19s and a drain electrode 19d are connected to the semiconductor layer 17, the light reception quantity in the semiconductor layer 17 is read as a drain current value which has changed in a nonvolatile manner with respect to a gate voltage.例文帳に追加

酸化物半導体からなる半導体層17に対してゲート絶縁膜15を介してゲート電極13が積層され、当該半導体層17にソース電極19sおよびドレイン電極19dが接続された光センサー素子1aにおいて、半導体層17での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。 - 特許庁

This magnetic sensor element 22 is provided with a plurality of magnetoresistant elements 26 comprising a pair of thin film yokes 30, 32 fixed onto a common substrate 28, comprising a soft magnetic material and arranged with a prescribed space, and a GMR film 34 formed to connect electrically the paired thin film yokes 30, 32 in a space between the paired thin film yokes 30, 32.例文帳に追加

磁気センサ素子22は、共通の基板28上に固着された、軟磁性材料からなり且つ所定の間隙を介して配置された一対の薄膜ヨーク30、32と、その一対の薄膜ヨーク30、32間の間隙においてその一対の薄膜ヨーク30、32を電気的に接続するように形成されたGMR膜34とから成る磁気抵抗素子26を複数個備えている。 - 特許庁

The imaging apparatus (CMOS image sensor) comprises: a p-type silicon substrate 10; a gate insulating film 11; three gate electrodes, that is, a transfer gate electrode 12, a multiplication gate electrode 13 and a read-out gate electrode 14; a photodiode portion (PD) 15; a floating diffusion region 16 made of an n-type impurity region; and an element isolation region 17.例文帳に追加

この撮像装置(CMOSイメージセンサ)は、p型シリコン基板10と、ゲート絶縁膜11と、1つの転送ゲート電極12、1つの増倍ゲート電極13および1つの読出ゲート電極14の3つのゲート電極と、フォトダイオード部(PD)15と、n型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域16と、素子分離領域17とにより構成されている。 - 特許庁

To provide an elastic body material of a varying structural color; which may be usable in various fields such as functional members like a new strain sensor that is an inexpensive revolutionary type allowing easy visual recognition without using an expensive measuring device, a fuse element to impede propagation of light, or a short form gravimeter; devices; toys and so on.例文帳に追加

高価な測定器を使用することなく、簡単に視覚的に視認することができる安価で全く新しいタイプの新規なひずみセンサーや、光の伝播を阻害するヒューズ素子、簡易型の重量計といった各種機能性部材や、機器類、各種玩具等各種分野に使用されうる構造色変化型弾性体材料を提供しようというものである。 - 特許庁

In the manufacturing method for a gas sensor element that is the laminate of solid electrolyte sheets 112 and 132 becoming solid electrolytes 112 and 132 after baking and the substrate sheet 123 becoming a substrate 123 after baking, in the sheet manufacturing process, 1-20 mass% of organic matter with a melting point of 40-80°C is added to the substrate sheet 123 based on insulating ceramic.例文帳に追加

焼成後に固体電解質体112,132となる固体電解質シート112,132と、焼成後に基体123と成る基体シート123とを積層するガスセンサ素子の製造方法において、シート作製工程で、絶縁性セラミックを主成分とする基体シート123に、40℃以上80℃以下の融点をもつ有機物を1質量%以上20質量%以下含有させる。 - 特許庁

A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.例文帳に追加

密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションMOSトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントMOSトランジスタとを有し、ディプレッションMOSトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションMOSトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁

The gas sensors 34, 35 comprise condenser lenses 26, 26 for receiving the infrared rays from the contact combustion type sensor 25, a light receiving element for measuring quantity of light via the condenser lenses 26, 27, filters (BPF) 28, 29 for classifying wavelengths and infrared light receiving elements 30, 31 for measuring an exposure value of an oil vapor path 42 via the filters (BPF) 28, 29.例文帳に追加

また、ガスセンサ34,35は、接触燃焼式センサ25からの赤外線を受光するための集光レンズ26,27と、集光レンズ26,27を介して光量を測定する受光素子と波長を分別するためのフィルタ(BPF)28,29と、フィルタ(BPF)28,29を介して油蒸気通路42の露光量を測定する赤外線受光素子30,31とからなる。 - 特許庁

A displacement measuring sensor 1 comprises a projector 2 for casting measuring light to a measuring object W, and a light receiver 5 containing a light receiving element 8 having a light receiving region 8a and a focusing lens 7 forming reflection light on the light receiving region 8a as a focal point P, and a light receiving lens 6 for condensing the reflection light in parallel and emitting to the focusing lens 7.例文帳に追加

変位測定センサ1は、測定対象Wに測定光を照射する投光部2と、受光領域8aを有する受光素子8と反射光を受光領域8a上に結像点Pとして形成させる結像レンズ7と反射光を集光し平行にして結像レンズ7へ出射する受光レンズ6とを含む受光部5と、を備える。 - 特許庁

The supersonic wave sensor 2 dispatches the supersonic wave from a plurality of angles to the contacting part to detect a contact angle α of the raceway 11u of the outer ring 11 and the ball 15 and receives the reflected wave and the rolling element load calculation part 3 detects the contact angle α based on the reflected wave and calculates the load working on the ball 15 by using the contact angle α.例文帳に追加

そして、超音波センサ2は、外輪11の軌道11uと玉15との接触角αを検出するために、複数の角度から接触部分へ超音波を発信して反射波を受信し、転動体荷重算出部3は、反射波に基づいて接触角αを検出するとともに、接触角αを用いて玉15に作用する荷重を算出する。 - 特許庁

The image stabilizing system 10A has an imaging unit 9 with an image pickup element 5 attached, a shake sensor 8 provided in the imaging unit 9 to detect its instability, a main frame 12, an elastic support 11a to support the imaging unit 9 against the main frame 12, and a drive 16 to move the imaging unit 9 relative to the main frame 12.例文帳に追加

手振れ補正システム10Aは、撮像素子5が固定された撮像ユニット9と、撮像ユニット9に設けられその揺れを検知する揺れ検知センサ8と、本体側部材12と、撮像ユニット9を本体側部材12に対して支持する弾性支持部材11aと、撮像ユニット9を本体側部材12に対して相対的に移動させるように駆動する駆動部16とを備える。 - 特許庁

The electronic camera corrects the sensitivity of an image pickup element, when the hand shaking value detected by the sensor 90 lies outside an allowable range, and a system controller 3 calculating an exposure value on the basis of the sensitivity and the luminance value of a subject, decides a diaphragm value and exposure time for executing proper exposure control from the calculated exposure value.例文帳に追加

この電子カメラは、手振れセンサ90により検出された手振れ値が許容範囲外の場合には、撮像素子の感度を補正し、当該感度と被写体の輝度値とに基づいて露出値を算出するシステムコントローラ3を備えているシステムコントローラ3は、算出した露出値から適正な露光制御を実行するための絞り値と露出時間とを決定する。 - 特許庁

The laser light source equipment and the display device comprise the plurality of lasers 12, wavelength transducers 13 respectively carrying out the wavelength conversion of a plurality of light emitted from the the plurality of lasers 12, temperature sensors 14 detecting temperatures of the wavelength transducers 13, and a temperature control means (Peltier element 15) controlling the temperature of the wavelength transducer 13 based on an output of the temperature sensor 14.例文帳に追加

複数のレーザ12と、複数のレーザ12から出射された複数の光をそれぞれ波長変換する波長変換素子13と、波長変換素子13の温度を検出する温度センサ14と、温度センサ14の出力に基づいて波長変換素子13の温度を制御する温度制御手段(ペルチェ素子15)とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A different gain is applied for each unit of pixels in an imaging element 103 and after applying a periodic gain to each pixel, an addition average is obtained with respect to pixels in the same color, thereby effects of a low pass filter can be obtained before performing thinning-out processing of pixels in a sensor, and the occurrence of aliasing (moire) by thinning out can be prevented.例文帳に追加

撮像素子103における画素単位毎に異なるゲインをかけられるようにして、各画素に対して周期的なゲインをかけた後に、同色の画素について加算平均をとるようにすることにより、センサー内の画素の間引き処理を行なう前にローパスフィルタの効果を得ることが可能になるようにして、間引きによる折り返り(モアレ)の発生を防ぐことができるようにする。 - 特許庁

This invention provides the circuit for determining the median dark level of an image sensor, and comprises a first circuit for comparing a current pixel value and a cumulative median; a storage element for storing the cumulative median level; and a second circuit which utilizes the first circuit for adjusting the cumulative media based on the current pixel level input for updating the cumulative media dark level.例文帳に追加

画像センサの暗レベル中央値を決定するための回路であって、前記回路は、現行ピクセル値と累積中央値とを比較するための第1回路と、累積中央値レベルを記憶するための記憶素子と、暗レベル累積中央値を更新するための現行ピクセルレベル入力に基づき、前記累積中央値を調整するために第1回路を利用する第2回路と、から成る。 - 特許庁

The most of the stress applied to the region is given to the large external connection pad 6a and is distributed due to the large external connection pad 6a formed in the region facing the region with the sensor element 2 and the semiconductor device 3 to prevent the exfoliation of the part of the external connection pad 6 caused by the concentration of the stress.例文帳に追加

センサ素子2や半導体素子3が配置された領域と対向する領域に形成された大型外部接続パッド6aにより、この領域に加わる応力の多くが大型外部接続パッド6aに作用し、分散されるので、一部の外部接続パッド6において応力が集中して外部電気回路から剥がれてしまうことを防止することができる。 - 特許庁

To simplify the structure of a magnetic recording element, to shorten processes, to reduce a production unit price, to also provide a huge planar hall effect utilizing a multiple domain state further, and to provide a storage device measuring magnetoresistance and recording information in the multiple state by simultaneously utilizing a ferromagnetic semiconductor layer (MS) itself where magnetic information is recorded as a sensor layer.例文帳に追加

磁気情報の記録される強磁性半導体層(magnetic Semiconductors、MS)自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果(Planar Hall Effect)または磁気抵抗(Magnetoresistance)を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

The multiple optical axis photoelectric sensor includes a projector having a plurality of light projection elements and a photodetector having a plurality of light receiving elements for receiving a light beam from each light projection element, detects an object invading between the projector and photodetector, and individually outputs safety output for controlling a predetermined control object and non-safety output different from the safety output from mutually different terminals.例文帳に追加

複数の投光素子を有する投光器と、各投光素子からの光ビームを受ける受光素子を有する受光器とを備え、投受光器の間に侵入する物体を検出すると共に、所定の制御対象を制御するための安全出力と、安全出力とは異なる非安全出力とを互いに異なる端子から個別に出力する多光軸光電センサに関する。 - 特許庁

In a white criterion reading method, the white criteria of a plurality of lines are read in a subscanning direction with respect to each image pickup element of a line sensor and an averaging section 21 of a white criterion setting section 20 averages first and second line groups corresponding to both end sections of the read white criteria in the subscanning direction.例文帳に追加

ラインセンサの各撮像素子について副走査方向に複数ラインの白基準を読取り、読取られた白基準の副走査方向両端部に相当する第1および第2のライン群についてそれぞれ白基準データ設定部20の平均化回路21で平均化処理を施し、これらの平均値を比較回路22で比較し、その大きい方を設定回路23で白基準データとして設定する。 - 特許庁

While any of operation areas is determined in this way, an optical signal processing circuit 72 and a direction determination circuit 82 detect an operating direction on the two-dimensional plane of the operation face of the two-dimensional position sensor 61 from a light transmitting and receiving element 44 and detect the operating direction with respect to the absolute position to thereby distinguishingly detect operating position and direction.例文帳に追加

このように何れかの操作領域が判定されている状態で、光信号処理回路72及び方向判定回路82により、送受光素子44から2次元位置センサー61の操作面の2次元平面上における操作方向を検出して、絶対位置に対する操作方向を検出することにより、操作位置及び方向を区別して検出する。 - 特許庁

In the solid electrolyte type carbon dioxide sensor element wherein an acting electrode layer 1 containing an electron conductive substance and an auxiliary electrode substance and a reference electrode layer 3 containing an electron conductive substance are formed on the surface of a solid electrolyte layer, the reference electrode layer 3 contains composite oxide including lithium as oxide, for example, LiCoO2 or Li2MnO3.例文帳に追加

固体電解質層表面に電子伝導物質と補助電極物質とを含む作用電極層及び電子伝導物質を含む参照電極層が形成されてなる固体電解質型炭酸ガスセンサ素子において、該参照電極層がリチウムを酸化物として含む複合酸化物、例えば、LiCoO_2、Li_2MnO_3を含むことを特徴とする固体電解質型炭酸ガスセンサ素子である。 - 特許庁

This CMOS image sensor includes a semiconductor substrate in which an active region and an element isolation region are segmented, a photodiode region and a transistor region which are formed on the active region, a gate electrode formed on the transistor region and having first and second heights, and a diffusion region formed by implanting impurity ions into the photodiode region and the transistor region.例文帳に追加

本発明に係るCMOSイメージセンサは、アクティブ領域と素子分離領域が区画された半導体基板と、アクティブ領域に形成されたフォトダイオード領域とトランジスタ領域と、トランジスタ領域に形成された第1の高さと第2の高さを有するゲート電極と、フォトダイオード領域とトランジスタ領域に不純物イオンが注入されて形成された拡散領域と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a temperature sensor system, transmitting a measured environmental temperature to the externals by a radio transmitting means even in the case of an environmental temperature below a threshold temperature to generate enough power for operating the radio transmitting means by a thermionic element, and observing the dynamic status such as how the environmental temperature is rising even after the environmental temperature exceeds the threshold temperature.例文帳に追加

無線発信手段を作動させるための十分な電力が熱電素子により生成される閾値温度以下の環境温度であっても,測定した環境温度を該無線発信手段により外部へ発信可能であり,また,環境温度が閾値温度を超えた後も,環境温度がどの程度上昇しつつあるのかといった動的な状況を観測することができる温度センサシステムを提供する。 - 特許庁

The distribution sensor comprises a piezoelectric element assembly 1 having piezoelectric elements 2 having electrode layers 8 mounted on piezoelectric crystal thin films formed on both surfaces of a flexible base plate and aligned in a matrix state in one sheet-like state, and insulating films 5 laminating both the surfaces of the assembly 1 and terminals 9 connected to the layers 8 formed in predetermined patterns on the films 5.例文帳に追加

可撓性基板の両面に圧電結晶薄膜が形成され、この圧電結晶薄膜に電極層8が取り付けられた圧電素子2を、マトリックス状に並べて一枚のシート状に形成した圧電素子集合体1と、この圧電素子集合体1の両面をラミネートする絶縁フィルム5とからなっており、この絶縁フィルム5には、上記電極層8に接続される端子9が所要のパターンに形成されている。 - 特許庁

At least one sensor element is constituted by a layer structure, consisting of a flexible conductive layer and a flexible electrical insulation layer; conductive potential surfaces of the layers are arranged laterally separately on an insulating layer located between them; electric lines of force are formed among the conductive potential surfaces; and the electric line of force varies measurably, when a body or object approaches and/or touches it.例文帳に追加

少なくとも1つのセンサエレメントを、柔軟な導電層と電気的絶縁層から成る層構造体から構成し、層の導電性ポテンシャル面は側方で間隔を空けて、その間に位置する絶縁層上に配置され、導電性ポテンシャル面の間に電気力線が形成され、当該電気力線が、体または対象物が接近および/または接触した際に測定可能に変化すること。 - 特許庁

Output signals (pixel values) output from a sensor part where an image element having six kinds of color filters in different colors is disposed are classified corresponding to a tristimulus value, the number of colors is reduced by adding the output signals (pixel values) in respective classifications, the image signals of three bands are generated, preview is displayed using the generated image signals, and the photographed image is easily and instantaneously confirmed.例文帳に追加

色が異なる6種のカラーフィルタを有する撮像素子が配置されたセンサ部から出力された出力信号(画素値)を3刺激値に対応させて分類し、各分類における出力信号(画素値)を加算処理することにより色数を削減して3バンドの画像信号を生成し、生成された画像信号を用いてプレビュー表示を行うようにして、撮影画像を容易かつ即時に確認できるようにする。 - 特許庁

The sensor for the electromagnetic diagnostic apparatus includes a high-temperature superconductive electromagnet having a function of a magnetic field generation source generating a static magnetic field for the rotating body, and magnetic field sensors such as an induction coil and a Hall element for measuring a magnetic field generating a current induced by the rotating body moving in the generated magnetic field, and uses a set of the magnetic sensors and the superconductive electromagnet in measurement.例文帳に追加

回転体に静磁場を発生させる磁場発生源の役割を有する高温超電導電磁石と、発生した磁場中を運動する回転体に誘導された電流が発生する磁場を測定するための誘導コイルやホール素子などの磁場センサを備え、測定する時には磁場センサと超電導電磁石をセットで使用することを特徴とする電磁診断装置用センサである。 - 特許庁

The image reading apparatus includes a sensor having a plurality of image pickup elements, a correcting section for correcting each of pixel data of the image data of the read image, according to the characteristics of each image pickup element, and a memory as an SDRAM for storing a plurality of kinds of correction data including a plurality of correction value data to be used in correction processing and different corresponding to each of the plurality of reading modes.例文帳に追加

画像読取装置は、複数の撮像素子を有するセンサーと、読み取った画像の画像データの各画素データに対して、撮像素子ごとの特性に応じた補正処理を行う補正部と、補正処理を行う際に用いる複数の補正値データを含む補正データであって、複数種の読取モード毎に対応した異なる複数種の補正データを格納するSDRAMであるメモリーとを備える。 - 特許庁

The titled method comprises steps of providing a sensor element 30 having at least one outlet 36 for a fluid 52, the outlet 26 being positioned in the region of a standard position of the surface section 32, letting the fluid 52 flow from the outlet 36 and determining a proper parameter for a quantity of the fluid 52 flowing from the outlet 36.例文帳に追加

この方法は、i) 流体(52)用の少なくとも1つの流出口(36)を有するセンサ素子(30)を設け、前記流出口(36)を前記表面部分(32)の基準位置領域に配置する工程と、ii) 前記流体(52)を前記流出口(36)から流出させる工程と、iii) 前記流出口(36)から流出する前記流体(52)の量に固有のパラメータを決定する工程とを含む。 - 特許庁

例文

To improve readout property of signal charges without increasing readout voltage, in a solid state image sensor like a CCD imaging element of V times dense texture wherein the number of pixels of unidirection is made predetermined times of effective resolution, and first electrodes which exist between pixels which are adjacent to each other and second electrodes which correspond to the respective pixels are installed as means capable of reading out the signal charges from the pixels.例文帳に追加

V倍密構造のCCD撮像素子のような、一定方向の画素数が有効解像度の所定数倍にされるとともに、それらの画素から信号電荷を読出し可能な手段として、隣り合うの画素の間に存在する第1の電極と、各画素に対応する第2の電極とを有する固体撮像素子において、読出し電圧を高くすることなく信号電荷の読出し特性を改善する。 - 特許庁




  
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