「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A negative electrode active material includes negative electrode active material particles containing at least one of silicon or a silicon alloy, and a binder.例文帳に追加

負極活物質層は、ケイ素及びケイ素合金のうちの少なくとも一方を含む負極活物質粒子とバインダーとを含む。 - 特許庁

A solar battery of this invention comprises: a back electrode; a silicon substrate; a dope silicon layer; and a front electrode.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、背面電極と、シリコン基板と、ドープシリコン層と、前面電極と、を含む。 - 特許庁

SILICON FILM, SILICON FILM FORMING METHOD, GATE ELECTRODE, GATE ELECTRODE FORMING METHOD, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン膜、シリコン膜形成方法、ゲート電極、ゲート電極形成方法、及び電界効果トランジスタ - 特許庁

The sides of the silicon electrode 5 exposed at the process are covered by an insulating film 21 with the surface of the silicon electrode 5 exposed.例文帳に追加

シリコン電極５の表面を露出させた状態で、先の工程で露出したシリコン電極５の側壁を絶縁膜２１で覆う。 - 特許庁

A reference electrode 8a and a fixed electrode 8b are embedded in an insulating material 9, such as, silicon dioxide (SiO_2) and silicon nitride (SiN).例文帳に追加

参照電極８ａ及び固定電極８ｂは、二酸化珪素(SiO_2)や窒化珪素(SiN)等の絶縁材料９内に埋設されている。 - 特許庁

Just under the lower electrode BE, a silicon oxide (SiO_2), for example, is disposed and a silicon oxide is also disposed, for example, just over the upper electrode TE.例文帳に追加

下部電極ＢＥの直下には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）が配置され、上部電極ＴＥの直上にも、例えば、酸化シリコンが配置される。 - 特許庁

To provide a composite silicon electrode which has small resistivity in in-plane variation, and to provide a method of manufacturing the composite silicon electrode.例文帳に追加

比抵抗値の面内バラツキが小さい複合シリコン電極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative electrode for secondary battery in which the negative electrode active material is made of silicon or silicon alloy and is superior in cycle characteristics.例文帳に追加

負極活物質がケイ素又はケイ素合金からなり、サイクル特性に優れた二次電池用負極を提供する。 - 特許庁

In this vertical MOS transistor, a polycrystal silicon gate electrode is embedded into the middle part of a trench, and an intermediate insulating film is embedded on the polycrystal silicon gate electrode.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込む。 - 特許庁

A gate electrode is formed on the silicon oxide capping layer.例文帳に追加

ゲート電極は、シリコンオキサイドキャッピング層上に形成される。 - 特許庁

An amorphous silicon film is formed on an oxide transparent electrode.例文帳に追加

酸化物透明電極上に、アモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁

SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING NOT DAMAGING COOLING PLATE例文帳に追加

冷却板を損傷することのないプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁

TRUNCATED SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND SHIELD RING例文帳に追加

円錐台状プラズマエッチング用シリコン電極板およびシールドリング - 特許庁

SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING OF SUPERIOR DURABILITY例文帳に追加

耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁

A gate electrode 7 is formed on the silicon oxide film 5.例文帳に追加

シリコン酸化膜５の上にゲート電極７を形成する。 - 特許庁

CONDUCTIVE PASTE FOR FORMING CRYSTAL SYSTEM SILICON SOLAR CELL ELECTRODE例文帳に追加

結晶系シリコン太陽電池電極形成用導電性ペースト - 特許庁

PROCESSING ELECTRODE DEVICE FOR SILICON SPHERICAL BODY AND PROCESSING METHOD例文帳に追加

シリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法 - 特許庁

SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING WITH SUPERIOR CRACKING RESISTANCE例文帳に追加

耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁

And a gate electrode 11 is formed on the silicon insulating film 4.例文帳に追加

シリコン絶縁膜４上にゲート電極１１が形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 14 is formed on the emitter electrode 13.例文帳に追加

エミッタ電極層１３上にシリコン酸化膜１４が形成されている。 - 特許庁

A pad electrode 53 is formed on the surface of a silicon chip 51A.例文帳に追加

シリコンチップ５１Ａの表面にパッド電極５３が形成されている。 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE FOR MANUFACTURING DIAMOND THIN FILM AND DIAMOND THIN FILM ELECTRODE例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜製造用シリコン基板およびダイヤモンド薄膜電極 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE OF SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

炭化珪素半導体のオーミック電極及びその製造方法 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is formed on the top surface of the charge transfer electrode 40.例文帳に追加

電荷転送電極４０の上面は、酸化シリコン膜５が形成される。 - 特許庁

PLASMA ETCHING SILICON ELECTRODE PLATE GENERATING LESS PARTICLES例文帳に追加

パーティクル発生の少ないプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁

On a silicon substrate 100, a gate electrode 103 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１００上にゲート電極１０３が形成されている。 - 特許庁

On a silicon substrate 2, the first electrode 9 is provided.例文帳に追加

シリコン基板２上には、第１電極９が設けられている。 - 特許庁

INSPECTION METHOD FOR VENT HOLE OF SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING例文帳に追加

プラズマエッチング用シリコン電極板の通気孔検査方法 - 特許庁

OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF SILICON CARBIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

炭化けい素のオーミック電極構造および半導体装置 - 特許庁

In addition, a second poly-silicon layer 8 is used as an upper layer electrode 10.例文帳に追加

また、上層電極１０として第２のポリシリコン層８を用いている。 - 特許庁

The front electrode is disposed on the dope silicon layer.例文帳に追加

前記前面電極は、前記ドープシリコン層の上に配置される。 - 特許庁

FERROELECTRIC LAYER, ELECTRODE, INSULATING LAYER, AND SILICON STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

強誘電層／電極／絶縁層／シリコン構造及びその製造方法 - 特許庁

SILICON ELECTRODE BOARD COATED WITH ETCHING-RESISTANCE FILM FOR PLASMA ETCHING例文帳に追加

プラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板 - 特許庁

A silicon electrode pad 111 is also formed in the second through hole 126.例文帳に追加

また、シリコン電極パッド１１１も第２の貫通穴に形成した。 - 特許庁

SILICON ALLOY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL EXCELLENT IN CONDUCTIVITY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

導電性に優れるＳｉ系合金負極材料およびその製造方法 - 特許庁

Then the cathode electrode 24 is formed from a P-type silicon.例文帳に追加

そして、陰極電極２４をＰ型シリコンにより形成する。 - 特許庁

A back electrode 32 is formed on a rear surface of the p-type silicon substrate 10.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の裏面に裏面電極３２を形成する。 - 特許庁

To form a through electrode passed through a silicon substrate and having a high aspect ratio.例文帳に追加

シリコン基板に高アスペクト比の貫通電極を形成する。 - 特許庁

A remainder of the silicon wafer 11 is used as an electrode.例文帳に追加

残存したシリコンウエハ１１は電極として使用する。 - 特許庁

High-frequency power is applied to only the electrode of the silicon substrate side.例文帳に追加

シリコン基板側の電極にのみ高周波電力を印加する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MULTIPLE-LAYER ELECTRODE STRUCTURE FOR SILICON PHOTOVOLTAIC CELL例文帳に追加

シリコン太陽電池用の多層電極構造体の製造方法 - 特許庁

SILICON COMPOUND, NEGATIVE ELECTRODE FOR POWER STORAGE DEVICE, AND POWER STORAGE DEVICE例文帳に追加

シリコン化合物、蓄電デバイス用負極及び蓄電デバイス - 特許庁

The radiation detector 1 has a silicon substrate, a dopant layer, a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

放射ディテクタは、シリコン基板、ドーパント層、第１電極、および第２電極を有する。 - 特許庁

The negative electrode active material layer contains as the negative electrode active material silicon (Si), carbon (c), and oxygen (O).例文帳に追加

負極活物質層は、負極活物質としてケイ素（Ｓｉ），炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）を含む。 - 特許庁

A gate-electrode pattern and a capacitor-electrode pattern are subsequently formed on the polycrystalline silicon film 111.例文帳に追加

その後、多結晶シリコン膜１１１にゲート電極パターンと容量電極パターンを形成する。 - 特許庁