「silicon electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode 200 includes an n-type amorphous silicon film 4, a reverse-surface electrode 6, and a current collection electrode 8 forme din order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

負極２００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｎ型非晶質シリコン膜４、裏面電極６および集電極８を含む。 - 特許庁

An ohmic electrode 2 is formed on the back surface of the n-type silicon substrate 1, and a lower electrode is formed by the n-type silicon substrate 1 and the ohmic electrode 2.例文帳に追加

また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されており、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とで下部電極を構成している。 - 特許庁

A gate electrode upper layer of a MOS transistor, a polycrystalline silicon film to be a base electrode of a bipolar transistor are formed on a polycrystalline silicon film to be a gate electrode lower layer of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極下層となる多結晶シリコン膜５１ｂの上に、ＭＯＳトランジスタのゲート電極上層およびバイポーラトランジスタのベース電極となる多結晶シリコン膜５２を形成する。 - 特許庁

A silicon electrode is divided into an electrode body 10 composed of a silicon sheet and an annular supporting member 20 supporting the electrode body 10 and fitted to an etching device, and they are made mechanically attachable and detachable.例文帳に追加

シリコン電極を、シリコン板からなる電極本体１０と、電極本体１０を支持してエッチング装置に取付ける環状の支持部材２０とに分け、機械的に着脱可能とする。 - 特許庁

A gate electrode 105 and a sidewall 107 covering the side wall of the gate electrode are formed on an element forming surface of a silicon substrate 101, and a source-drain region 109 is formed on the silicon substrate 101 around the gate electrode 105.例文帳に追加

シリコン基板１０１の素子形成面にゲート電極１０５およびその側壁を覆うサイドウォール１０７を形成し、ゲート電極１０５の周囲のシリコン基板１０１に、ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

This organic semiconductor light emitting element comprises an electron injecting electrode 3, a hole injecting electrode 4, an organic semiconductor part 5, a silicon oxide film 2, and a gate electrode 1 which is put opposite to the semiconductor part 5 across the silicon oxide film 2.例文帳に追加

この有機半導体発光素子は、電子注入電極３および正孔注入電極４と、有機半導体部５と、酸化シリコン膜２と、これを挟んで有機半導体部５に対向するゲート電極１とを備えている。 - 特許庁

The electrode 14 is formed of, for example, a lower electrode 14a made of conductive polycrystalline silicon, an upper electrode 14b made of a tungsten and a protective film 14c made of conductive polycrystalline silicon.例文帳に追加

コントロールゲート電極１４は、例えば導電性の多結晶シリコンからなる下部電極部１４ａとタングステンからなる上部電極部１４ｂと導電性の多結晶シリコンからなる保護膜１４ｃとから構成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed on a silicon substrate 1, a polycrystalline silicon film 5, an ONO film 6, a polycrystalline silicon film 7, and a tungsten silicon film 8 are formed as a gate electrode MG; and a silicon nitride film 9 is laminated.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜４を形成し、ゲート電極ＭＧとして、多結晶シリコン膜５、ＯＮＯ膜６、多結晶シリコン膜７、タングステンシリコン膜８を形成すると共に、シリコン窒化膜９を積層形成する。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。 - 特許庁

The thickness of a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6c is set so that the number of electrons accumulated in the interface between a silicon oxide film 6a and the silicon nitride film 6b is larger than that of holes accumulated in the silicon nitride film 6b by biasing the gate electrode 7.例文帳に追加

ゲート電極７へのバイアスにより、シリコン酸化膜６ａとシリコン窒化膜６ｂとの界面に蓄積される電子が、シリコン窒化膜６ｂ中に蓄積されるホールよりも多くなるように、シリコン窒化膜６ｂおよびシリコン酸化膜６ｃの膜厚を設定する。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

Silicon nitride film 5 is deposited on the silicon oxide film 4, silicon oxide film 6 is formed on the surface of silicon nitride film 5 (Fig.(c)) by using a method, by which the surface of the silicon nitride film 5 is oxidized, and the like, and upper layer electrode 7 is formed thereon (Fig.(d)).例文帳に追加

そして、そのシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を堆積し、そのシリコン窒化膜５の表面を酸化させる方法などにより、シリコン窒化膜５の表面にシリコン酸化膜６を形成し（図（ｃ））、その上に上層電極７を形成する（図（ｄ））ものである。 - 特許庁

A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode.例文帳に追加

本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。 - 特許庁

A memory cell 100 includes a silicon substrate 10, gate electrodes 12 and 13 arranged on the silicon substrate 10 while adjoining each other, an insulating layer 30 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, and a charge storage layer 26 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, wherein the gate electrode 12 becomes broad at least partially as it recedes from the silicon substrate 10.例文帳に追加

メモリセル１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に互いに隣り合って配置されたゲート電極１２、１３と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された絶縁層３０と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された電荷蓄積層２６と、を備え、ゲート電極１２は、シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広になる。 - 特許庁

A first silicon oxide film and gate electrode materials formed on gate electrode materials are worked (a step S2), and a second silicon oxide film and a silicon nitride film for protecting the sidewalls of the gate electrode materials are formed with predetermined film thicknesses in this order (steps S4, S5).例文帳に追加

ゲート電極材料上に形成した第１のシリコン酸化膜とゲート電極材料とを加工した後（ステップＳ２）、ゲート電極材料の側壁を保護する第２のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を、この順でそれぞれ所定の膜厚で形成する（ステップＳ４，Ｓ５）。 - 特許庁

To provide a plasma etching silicon electrode plate which is capable of heat insulation, especially the plasma etching silicon electrode plate which is capable of heat insulation so as to prevent the decline of the temperature of the silicon electrode plate and the decline of work efficiency when exchanging a wafer inside a plasma etching device.例文帳に追加

保温可能なプラズマエッチング用シリコン電極板、特にプラズマエッチング装置内でウエハを交換する際にシリコン電極板の温度が低下して作業効率が低下することのないように保温することができるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a p-type silicon substrate 1, i.e., a first conductive layer, a gate electrode 5, i.e., a second electrode, and a gate dielectric layer 5 formed between the p-type silicon substrate 1 and gate electrode 5 and formed of a silicon dioxide SiO_2 layer into which chlorine is introduced.例文帳に追加

上記半導体装置は、ｐ型シリコン基板１（第１導電層）と、ゲート電極５（第２導電層）と、ｐ型シリコン基板１とゲート電極５との間に形成され、塩素が導入されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_2膜）からなるゲート絶縁膜５とを備えている。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery negative electrode material in which a proportion of polycrystalline silicon powders in an active material does not exceed 50 wt.%, and in which binder of 1 to 20 wt.% is contained in the negative electrode material regarding the negative electrode material composed of silicon oxide powders and polycrystalline silicon powders as the active material.例文帳に追加

活物質としての酸化珪素粉末及び多結晶珪素粉末からなる負極材において、活物質中の多結晶珪素粉末の割合が５０質量％を超えず、かつ負極材中に１〜２０質量％の結着剤を含有することを特徴とする非水電解質二次電池負極材。 - 特許庁

To obtain a negative electrode wherein a negative electrode collector is joined to a negative electrode reed so that electrical continuity can be established, by improving joining ability between a negative electrode plate including the negative electrode collector and a negative electrode active material layer formed on the surface of the negative electrode collector while containing a silicon based active material and a negative electrode reed.例文帳に追加

負極集電体および負極集電体の表面に形成されかつ珪素系活物質を含有する負極活物質層を含む負極板と、負極リードとの接合性を向上させ、負極集電体と負極リードとが導通可能に接合した負極を得る。 - 特許庁

An electrode layer 16 is on a silicon carbide substrate 90 and has Ni atoms and Si atoms.例文帳に追加

電極層１６は、炭化珪素基板９０上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する。 - 特許庁

ELECTRODE CATALYST FOR FUEL CELL CONTAINING PHOTOCATALYST HAVING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

酸化珪素膜を有する光触媒を含有する燃料電池用電極触媒 - 特許庁

Metallic lithium, lithium alloy, silicon, or carbon fluoride or the like can be used as a positive electrode.例文帳に追加

正極としては、リチウム金属、リチウム合金、ケイ素、フッ化炭素等を用いることができる。 - 特許庁

To obtain a lithium secondary battery excellent in charging/discharging cycle characteristics using a lithium silicon alloy negative electrode.例文帳に追加

リチウム−ケイ素合金負極を用い、充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を得る。 - 特許庁

The gate electrode is preferably polysilicon, silicon germanium or a laminated structure of these.例文帳に追加

また、ゲート電極は、ポリシリコン、シリコンゲルマニウム又はこれらの積層構造であることが好ましい。 - 特許庁

SENSOR HAVING DRIVER ELECTRODE INDEPENDENT OF LOCATION IN MULTILAYER SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE例文帳に追加

多層シリコン・オン・インシュレータ基板中に位置非依存の駆動装置電極を有するセンサ - 特許庁

To form a gate electrode comprising a uniform metal silicon compound or metal germanium compound.例文帳に追加

均一な金属シリコン化合物もしくは金属ゲルマニウム化合物からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

The solar cell element has the silicon semiconductor substrate 1 and an aluminum electrode layer 8.例文帳に追加

太陽電池素子はシリコン半導体基板１とアルミニウム電極層８とを備える。 - 特許庁

The ohmic electrode has an alloy layer containing at least titanium, aluminum, and silicon.例文帳に追加

オーミック性電極は、少なくともチタンとアルミニウムと珪素とを含む合金層を有する。 - 特許庁

To provide a lithium battery using a silicon negative electrode and its electrolyte solution.例文帳に追加

シリコン負極を用いたリチウム電池およびその電解質溶液を提供する。 - 特許庁

The gate electrode 12 including silicon is formed on a semiconductor substrate 10 through a gate insulating film 11.例文帳に追加

半導体基板10上にゲート絶縁膜11を介してシリコンを含むゲート電極12を形成する。 - 特許庁

To provide a diamond film-deposited silicon used for an industrially utilizable diamond electrode.例文帳に追加

工業的に利用可能なダイヤモンド電極に用いるダイヤモンド成膜シリコンを提供する。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed on an epitaxial silicon layer 2 via a LOCOS film 4.例文帳に追加

エピタキシャル・シリコン層２上には、ＬＯＣＯＳ膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

The silicon nitride film 114 is formed also to a side wall 3a of the gate electrode 3.例文帳に追加

シリコン窒化膜１１４は、ゲート電極３に側壁３ａにも形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 4 is formed on a semiconductor substrate covering a gate electrode 2.例文帳に追加

ゲート電極２を覆うように、半導体基板１上にシリコン窒化膜４を形成する。 - 特許庁

Thus, the ions are not implanted into the silicon substrate 1 by penetrating through the gage electrode 3.例文帳に追加

よって、イオンがゲート電極３を突き抜けてシリコン基板１内に注入されることはない。 - 特許庁

A gate electrode 5 made of polysilicon is patterned and formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上にポリシリコンからなるゲート電極５をパターン形成する。 - 特許庁

The gate electrode 5a of the transistor T is formed of the polysilicon film containing silicon.例文帳に追加

トランジスタＴのゲート電極５ａは、シリコンを含有するポリシリコン膜から形成されている。 - 特許庁

This is annealed in a nitrogen atmosphere so that the polycrystal silicon gate electrode is substituted with aluminum.例文帳に追加

窒素雰囲気でアニールし、多結晶シリコンのゲート電極をアルミニウムに置換する。 - 特許庁

A gate electrode 8a is formed on a silicon substrate 1 through a gate oxide film 7.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８ａが形成されている。 - 特許庁

MONOCRYSTAL SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING WITH LITTLE IN-PLANE VARIATION OF SPECIFIC RESISTANCE VALUE例文帳に追加

比抵抗値の面内バラツキが少ないプラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 - 特許庁

A gate electrode is formed on the silicon substrate via a gate insulation film (S1).例文帳に追加

シリコン基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

An aluminum electrode 8 is formed on the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-形シリコン基板１の上面３上にはアルミニウム電極８が形成されている。 - 特許庁

The Z-movable electrode 5 faces the silicon substrate 2 and can be displaced in the facing direction.例文帳に追加

Ｚ可動電極５は、シリコン基板２と対向し、その対向方向に変位可能である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE ELECTRODE MADE OF DOPED SILICON FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

ドープシリコン膜からなるゲート電極の形成方法及びデバイスの製造方法 - 特許庁

The negative electrode active material contains the silicon oxide with a small oxygen content.例文帳に追加

該負極活物質は、酸素含量の少ないシリコン酸化物を含む負極活物質である。 - 特許庁